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公开(公告)号：JP2015006991A
公开(公告)日：2015-01-15
申请号：JP2014173283
申请日：2014-08-27
Applicant: 株式会社Sumco , Sumco Corp , 株式会社Sumco
Inventor： SUGIMURA WATARU , ONO TOSHIAKI , MITA SHIGEJI , SHIOTA TAKAAKI , ITO WATARU
CPC classification number: H01L21/3225 , C30B15/203 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L29/66348
Abstract: 【課題】同一の単結晶インゴットの引き上げ条件および同一の急速加熱急速冷却による熱処理(RTA処理)条件で製造されたウェーハを使用し、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)用ウェーハや一般のデバイス用ウェーハといった仕様の異なるウェーハの製造が可能なシリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法の提供。【解決手段】シリコン単結晶ウェーハであって、引き上げ工程と、空孔注入工程と、空孔制御熱処理工程と、を有し、前記空孔制御熱処理工程における熱処理条件によって、空孔制御熱処理後の酸素析出物密度分布のパターンを制御する。ウェーハの厚さ方向の中央部分のみにピークを有する分布p1は、ウェーハ表層部に形成されるDZ層の厚みが厚いため、IGBT用ウェーハに好適である。パターンp2、p3、p4の分布は、ウェーハ表層部に形成されるDZ層の厚みが前記p1よりも薄いため、一般のデバイスに好適である。【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题：提供能够制造不同规格的晶片的硅单晶晶片，例如用于绝缘栅双极晶体管（IGBT）的晶片和用于使用在相同单晶制造的晶片的通用器件的晶片 锭提升条件和由于快速加热和快速冷却而进行的相同的热处理（RTA处理）条件及其制造方法。解决方案：硅单晶晶片的制造方法包括上拉步骤，空穴注入 步骤，以及孔控制和热处理步骤。 在空穴控制和热处理步骤中具有热处理条件，控制了空穴控制和热处理之后的氧沉淀物密度分布模式。 由于在晶片表面层部分形成的DZ层的厚度较厚，所以在晶片的厚度方向的中心部分具有峰值的分布p1适用于IGBT晶片。 图案p2，p3，p4的分布适用于通用器件，因为在晶片表面层部分形成的DZ层的厚度比分布p1薄。
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公开(公告)号：JP2014239184A
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：JP2013121845
申请日：2013-06-10
Applicant: 株式会社Sumco , Sumco Corp , 株式会社Sumco
Inventor： FUKUI AKIRA
IPC: H01L21/205 , C23C16/52 , H01L21/20 , H01L21/66
CPC classification number: C30B25/16 , C23C16/52 , C30B29/06 , C30B33/00 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/30625 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 【課題】エピタキシャル膜の形成後にエピタキシャルウェーハを研磨するにあたり、平坦度がより高いエピタキシャルウェーハを得ることが可能なエピタキシャル成長条件の調整方法を提供する。【解決手段】本発明に従うエピタキシャル成長条件の調整方法は、エピタキシャル膜12aを形成する前の、ウェーハ11の厚み分布を測定する第1測定工程(S1)と、エピタキシャル成長処理工程(S2)の後、かつ研磨工程(S4)前の、エピタキシャルウェーハ10Bの厚み分布およびエピタキシャル膜12aの膜厚分布を測定する第2測定工程(S3)と、エピタキシャルウェーハ10Cの厚み分布およびエピタキシャル膜13aの膜厚分布を測定する第3測定工程(S5)と、第1、第2および第3測定工程で測定された厚み分布および膜厚分布を用いて、エピタキシャル成長条件を調整する工程(S6)と、を備えることを特徴とする。【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种调整外延生长条件的方法，该外延生长条件能够在形成外延膜之后研磨外延晶片时获得具有高平坦度的外延晶片。解决方案：一种用于调整外延生长条件的方法包括：第一测量步骤S1 在形成外延膜12a之前测量晶片11的厚度分布; 在外延生长处理步骤（S2）之后和抛光步骤（S4）之前测量外延晶片10B的厚度分布的第二测量步骤S3和外延膜12a的膜厚度分布; 测量外延晶片10C的厚度分布和外延膜13a的膜厚分布的第三测量步骤S5; 以及使用由第一，第二和第三测量步骤测量的厚度分布和膜厚度分布来调整外延生长条件的步骤S6。
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公开(公告)号：JP5625229B2
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：JP2008197504
申请日：2008-07-31
IPC: H01L21/20 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02381 , B24B7/228 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02658
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：JPWO2011083719A1
公开(公告)日：2013-05-13
申请号：JP2011548966
申请日：2010-12-27
Inventor： 崇史 山下 , 崇史 山下 , モハマッド．ビー．シャバニー
CPC classification number: G01N1/32 , H01L21/3065
Abstract: 本発明の一態様は、シリコンウェーハ表面をエッチングガスと接触させることにより、該シリコンウェーハ表層部をエッチングするシリコンウェーハ表層部のエッチング方法に関する。一態様では、前記エッチングガスとして、弗化水素ガス、硝酸ガス、および窒素酸化物ガスの混合ガスを使用する。
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公开(公告)号：JPWO2010150547A1
公开(公告)日：2012-12-10
申请号：JP2011519606
申请日：2010-06-24
IPC: H01L21/304 , C30B33/08 , H01L21/205 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/02381 , H01L21/02658
Abstract: 鏡面研磨を施した後、エピタキシャル層を形成する前に、オゾンガスを用いてシリコンウェーハの表面を酸化させるオゾンガス処理、フッ化水素蒸気を用いてシリコンウェーハの酸化した表面を溶解させ除去するフッ化水素蒸気処理、およびシリコンウェーハの表面に残存する異物を除去する洗浄を行うことにより、鏡面研磨で発生したPID(Polishing Induced Defect)が強制酸化されるとともに溶解して除去され、その後にエピタキシャル処理を施すことにより、エピタキシャルウェーハの表面でPIDに起因した凸欠陥の発生を防止することができる。
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公开(公告)号：JPWO2010119833A1
公开(公告)日：2012-10-22
申请号：JP2011509281
申请日：2010-04-12
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: C30B25/186 , B24B37/042 , C30B29/06 , H01L21/02024 , H01L21/30625
Abstract: 本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法は、シリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる成長工程Fと、前記成長工程の前に前記シリコン単結晶基板の少なくとも表面を無砥粒で研磨する第1研磨工程Dと、前記成長工程の後に前記シリコン単結晶基板の少なくとも表面を仕上げ研磨する第2研磨工程Gと、を有する。
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公开(公告)号：JPWO2010021272A1
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：JP2010525669
申请日：2009-08-11
Applicant: Sumco Techxiv株式会社 , Sumco Techxiv株式会社 , 株式会社Sumco , 株式会社Sumco
Abstract: トップ部分から低抵抗率であるシリコンインゴットを得る製造方法等を提供すること。シリコン種結晶13を引き上げてシリコン単結晶12を成長させることによりシリコンインゴットを製造する方法であって、シリコン種結晶13及びシリコン融液11は同じ種類のドーパントを含有しており、シリコン融液11に特定の濃度範囲のドーパントを含有するシリコン種結晶13を両者の温度差が50〜97Kになるように着液させる着液工程と、前記着液工程を経て引き上げられたシリコン単結晶12を成長させてシリコンインゴットを得る成長工程と、を備え、さらに、前記成長工程において、シリコン融液11からの輻射熱を遮蔽する熱遮蔽板22を備える単結晶引き上げ装置を用い、熱遮蔽板22とシリコン融液11との間の距離が特定の範囲となるシリコンインゴットの製造方法を使用する。
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