-
公开(公告)号：JPWO2010021272A1
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：JP2010525669
申请日：2009-08-11
Applicant: Sumco Techxiv株式会社 , Sumco Techxiv株式会社 , 株式会社Sumco , 株式会社Sumco
Abstract: トップ部分から低抵抗率であるシリコンインゴットを得る製造方法等を提供すること。シリコン種結晶13を引き上げてシリコン単結晶12を成長させることによりシリコンインゴットを製造する方法であって、シリコン種結晶13及びシリコン融液11は同じ種類のドーパントを含有しており、シリコン融液11に特定の濃度範囲のドーパントを含有するシリコン種結晶13を両者の温度差が50〜97Kになるように着液させる着液工程と、前記着液工程を経て引き上げられたシリコン単結晶12を成長させてシリコンインゴットを得る成長工程と、を備え、さらに、前記成長工程において、シリコン融液11からの輻射熱を遮蔽する熱遮蔽板22を備える単結晶引き上げ装置を用い、熱遮蔽板22とシリコン融液11との間の距離が特定の範囲となるシリコンインゴットの製造方法を使用する。
-
2.发明专利
-
公开(公告)号：JPWO2010010628A1
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：JP2009524034
申请日：2008-07-25
Applicant: Sumco Techxiv株式会社 , Sumco Techxiv株式会社
CPC classification number: C30B15/04 , C30B15/20 , C30B29/06 , Y10T117/1064 , Y10T117/1072
Abstract: 単結晶引き上げ装置(1A)を利用して単結晶(6)を製造する際に、添加後成長前期間における整流筒(35A)の筒内圧力を33331Pa〜79993Pa、整流筒(35A)内の不活性ガスの流速を0.06m/sec〜0.31m/sec(0.005〜0.056SL/min・cm2)に制御する。このため、添加後成長前期間における不活性ガスの流速を上述した値に制御することにより、筒内圧力を上述したような比較的高圧力に設定した条件であっても、不活性ガスの流れをスムーズにでき、不活性ガスの逆流に伴う揮発性ドーパントの蒸発を抑制できる。したがって、揮発性ドーパントがアモルファスとして整流筒(35A)内に付着して結晶成長中に落下したり、固着したりすることを抑制でき、単結晶化率の低下を抑制できるとともに、付着物の除去を容易にできる。
-
公开(公告)号：JP5118386B2
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：JP2007125847
申请日：2007-05-10
Applicant: Sumco Techxiv株式会社
Abstract: In consideration of influence of segregation, an evaporation area of a volatile dopant and influence of pulling-up speed at the time of manufacturing a monocrystal using a monocrystal pulling-up device, an evaporation speed formula for calculating evaporation speed of the dopant is derived. At predetermined timing during pulling-up, gas flow volume and inner pressure in a chamber are controlled such that a cumulative evaporation amount of the dopant, calculated based on the evaporation speed formula, becomes a predetermined amount. A difference between a resistivity profile of the monocrystal predicted based on the evaporation speed formula and an actual resistivity profile is made small. Since no volatile dopant is subsequently added, increase in workload on an operator, increase of manufacturing time, an increase in amorphous adhering to the inside of the chamber, and an increase in workload at the time of cleaning the inside of the chamber can be prevented.
-
-
Patent Agency Ranking
-
-
8.发明专利
-
-
公开(公告)号：JP4813313B2
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：JP2006268028
申请日：2006-09-29
Applicant: Sumco Techxiv株式会社
CPC classification number: C30B15/00 , C30B11/003 , C30B15/14 , C30B29/06 , C30B35/00 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032 , Y10T117/1068
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.04 seconds)
