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公开(公告)号：KR100178315B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019950036347
申请日：1995-10-20
Applicant: 한민구
IPC: H01L29/72
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술 분야
본 발명은 바이폴라 모드 전계 효과 트랜지스터에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
본 발명은 정상 오프 특성을 가지고 순방향 차단 능력이 우수하며 높은 전류 이득 및 우수한 스위칭 특성을 갖는 수평형 바이폴라 모드 전계 효과 트랜지스터를 제공한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 수평형 바이폴라 모드 전계 효과 트랜지스터에 있어서, 제1도전형의 반도체기판과, 절연층과, 제2도전형의 반도체에피층과, 절연막과, 상기 제2도전형의 제1확산영역과, 상기 제1도전형의 제2확산영역과, 상기 제2도전형의 제3확산영역과, 트렌치와, 상기 트렌치 내부에 전극 물질을 채워 형성한 소오스전극과, 상기 제2확산영역의 상부 표면의 개방된 부분에 전극 물질로서 형성된 게이트전극과, 상기 제3확산영역의 상부 표면의 개방된 부분에 전극 물질로서 형성된 드레인전극을 포함한다.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 전력용 소자에 적합하게 사용된다.-
公开(公告)号：KR100149779B1
公开(公告)日：1998-10-01
申请号：KR1019950003505
申请日：1995-02-21
Applicant: 한민구
IPC: H01L29/74
Abstract: 1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술 분야
전력 반도체 소자에 관한 것으로, 특히 수평형 모스 제어 다이리스터 분야이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
다이리스터의 턴-오프 능력 및 스위칭 특성 향상을 제공한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
디모스 트랜지스터와 엔채널 수평형 모스 트랜지스터를 가지는 수평형 모스 제어 다이리스터내의 아노드 전극측에 위치하는 피층을 통해 고농도의 제2전도형 이온을 주입하여 턴-오프시 전자 전도 경로를 형성해 주는 것을 특징으로 한다.
4. 발명의 중요한 용도
전력 반도체 소자에 적합하게 사용된다.-
公开(公告)号：KR100149704B1
公开(公告)日：1998-10-01
申请号：KR1019940025718
申请日：1994-10-07
IPC: H01L29/47
Abstract: 본 발명은 쇼트키정류소자에 관한 것으로, 캐소오드전극에 연결되는 엔형반도체 기판과, 상기 반도체 기판상에 형성된 엔형 에피층과, 각각은 상기 에피층의 상부로부터 내부로 신장하도록 형성되고 서로 소정거리 이격되며 애노오드전극과 연결되는 적극막에 공통접속되는 다수개의 피형 불순물영역을 가지는 쇼트키 정류소자에 있어서, 상기 피형 불순물영역의 일부를 관통하여 상기 에피층의 내부로 신장하는 트렌치를 형성하고 그 내부를 상기 전극막으로 충진시키며, 상기 트렌치의 하부는 또다른 피형 확산영역에 의해 둘러싸이도록 형성됨을 특징으로 하는 쇼트키 정류소자에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019980026789A
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019960045354
申请日：1996-10-11
IPC: H01L29/861
Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 장치에 사용되는 전력용 다이오우드에 괸한 것으로, 특히 시드홀을 이용한 전력용 다이오우드에 관한 것이며, 본 발명의 목적은 신뢰성이 향상된 전력용 다이오우드 및 그 제조방법을 제공함에 있다. 이러한 목적을 달성하기 위한 기술적 사상에 따르면, 전력용 다이오우드에 있어서: 제1도전형의 반도체 기판상에 소정의 개구부를 가지고 형성되는 절연층과, 상기 개구부와 상기 절연층 상부의 일부영역상에 형성되는 제1도전형의 실리콘층과, 상기 실리콘층의 양측면에 형성되는 스페이서와, 상기 실리콘층내의 상부에 형성되는 제2도전형의 불순물층과, 상기 스페이서 및 불순물층의 상부에 형성되는 아노드 메탈층과, 상기 반도체 기판의 하부에 형성되는 캐소드 메탈층을 구비함을 특징으로 한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019960015969A
公开(公告)日：1996-05-22
申请号：KR1019940025718
申请日：1994-10-07
IPC: H01L29/47
Abstract: 본 발명은 쇼트키정류소자에 관한 것으로, 캐소오드전극에 연결되는 엔형 반도체 기판과, 상기 반도체 기판상에 형성된 엔형 에피층과, 각각은 상기 에피층의 상부로부터 내부로 신장하도록 형성되고 서로 소정거리 이격되며 애노오드전극과 연결되는 적극막에 공통접속되는 다수개의 피형 불순물영역을 가지는 쇼트키 정류소자에 있어서, 상기 피형 불순물영역의 일부를 관통하여 상기 에피층의 내부로 신장하는 트렌치를 형성하고 그 내부를 상기 전극막으로 충전시키며, 상기 트렌치의 하부는 또다른 피형 확산영역에 의해 둘러싸이도록 형성됨을 특징으로 하는 쇼트키 정류소자에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019920009021B1
公开(公告)日：1992-10-12
申请号：KR1019900006719
申请日：1990-05-11
Abstract: The vacuum level of a chamber is measured by using the change of dark conductivity of amorphous silicon thin film with the pressure change of the chamber. The amorphous silicon pressure sensor for measuring the vacuum level comprises an amorphous silicon thin film (20) formed on glass substrate (10) by plasma enhanced chemical vapor deposition method; an amorphous silicon layer (30) formed on (20) by implanting the impurity of conductivity type; a metal electrode (40) formed on (30) by electron bean evaporation method. The thickness of the amorphous silicon thin film is 0.1-0.2 μm. The relation between the length of the metal electrode (L) and the separated distance of the metal electrodes (D) satisfy the following condition; L/D
Abstract translation: 通过使用具有室的压力变化的非晶硅薄膜的暗电导率的变化来测量室的真空度。 用于测量真空度的非晶硅压力传感器包括通过等离子体增强化学气相沉积法形成在玻璃基板（10）上的非晶硅薄膜（20） 通过注入导电型杂质形成在（20）上的非晶硅层（30）; 通过电子束蒸发法在（30）上形成的金属电极（40）。 非晶硅薄膜的厚度为0.1-0.2μm。 金属电极（L）的长度与金属电极（D）的分离距离之间的关系满足以下条件： L / D <= 20。
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公开(公告)号：KR100802346B1
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：KR1020070106411
申请日：2007-10-23
Applicant: 한민구
Inventor： 한민구
CPC classification number: B60P7/02 , B60J7/08 , B60Y2200/145
Abstract: A wing body vehicle is provided to reduce the number of processes by supporting a wing door using a single stationary shaft which is coupled in a length direction in the upper middle portion of a front panel and a rear panel. A wing body vehicle comprises a frame. A loading box(100) is installed on the frame such that a front panel(110b) and a rear panel(110c) are vertically coupled to two sides of a bottom panel(110a) and a side panel(110d) is bendably coupled between the front panel and the rear panel. Wing doors(140,140') are installed the front panel and the rear panel and are opened/closed through an opening/closing part(150). The opening/closing part has a structure in which a rotation member fixed to a stationary shaft is coupled to the wing doors. A space maintaining bar has a first end coupled to a lower part of the stationary shaft and a second end coupled to a reinforcing shaft. A cross-reinforcing member is provided between the stationary shaft, the space maintaining bar and the reinforcing shaft. A stay-damper(160) is installed between the wing doors and the front panel or the wind doors and the rear panel. A water proof cover(170) covers a portion in which the stationary shaft, the rotation member and the wing doors are coupled.
Abstract translation: 设置翼体车辆以通过使用在前面板和后面板的上中间部分中沿长度方向联接的单个固定轴来支撑翼门来减少处理次数。 翼体车辆包括框架。 装载箱（100）安装在框架上，使得前面板（110b）和后面板（110c）垂直联接到底板（110a）的两侧，并且侧板（110d）可弯曲地联接在 前面板和后面板。 翼门（140,140'）安装在前面板和后面板上，并通过打开/关闭部件（150）打开/关闭。 开/关部具有固定在固定轴上的旋转部件与翼门连结的结构。 空间保持杆具有联接到固定轴的下部的第一端和联接到加强轴的第二端。 在固定轴，空间保持杆和加强轴之间设置有交叉加强构件。 在翼门与前面板或风门和后面板之间安装了一个阻尼器（160）。 防水盖（170）覆盖固定轴，旋转构件和翼门联接的部分。
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公开(公告)号：KR100769433B1
公开(公告)日：2007-10-22
申请号：KR1020060121695
申请日：2006-12-04
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단 , 한민구
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/42384 , H01L21/26586 , H01L29/78621
Abstract: A thin film transistor, a manufacturing method thereof, and a flat panel display having the same are provided to reduce a manufacturing cost by forming an LDD(Lightly Doped Diffusion) region and source and drain regions without using extra mask and photolithography. A semiconductor layer(13) is formed on a substrate(11). A gate electrode(15a) is isolated from the semiconductor layer by a gate insulating layer(14), and openings are formed on both sides of the gate electrode. A first impurity region is formed in the semiconductor layer, and is exposed by the openings. A second impurity region is formed on both sides of the gate electrode, in which an impurity concentration of the second impurity region is higher than that of the second impurity region. A buffer layer(12) is formed between the substrate and the semiconductor layer.
Abstract translation: 提供薄膜晶体管及其制造方法和具有该薄膜晶体管的平板显示器，以通过在不使用额外掩模和光刻的情况下形成LDD（轻掺杂扩散）区域和源极和漏极区域来降低制造成本。 半导体层（13）形成在基板（11）上。 栅电极（15a）通过栅极绝缘层（14）与半导体层隔离，并且在栅电极的两侧形成开口。 第一杂质区形成在半导体层中，并被开口露出。 第二杂质区形成在栅电极的两侧，其中第二杂质区的杂质浓度高于第二杂质区的杂质浓度。 在衬底和半导体层之间形成缓冲层（12）。
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