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公开(公告)号：KR1019970024282A
公开(公告)日：1997-05-30
申请号：KR1019950036347
申请日：1995-10-20
Applicant: 한민구
IPC: H01L29/72
Abstract: 1 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술 분야; 본 발명은 바이폴라 모드 전계 효과 트랜지스터에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제; 본 발명은 정상 오프 특성을 가지고 순방향 차단능력이 우수하며 높은 전류 이득 및 우수한 스위칭 특성을 갖는 수평형 바이폴라 모드 전계 효과 트랜지스터를 제공한다.
3. 발명의 해결방법의 요지; 본 발명은 수평형 바이폴라 모드 전계 효과 트랜지스터에 있어서, 제1 도전형의 반도체기판과, 절연층과, 제2도전형의 반도체에피층과, 절연막과, 상기 제2도전형의 제1확산영역과, 상기 제1도전형의 제2확산영역과, 상기 제2도전형의 제3확산영역과, 트렌치와, 상기 트렌치 내부에 전극 물질을 채워 형성한 소오스전극과, 상기 제2확산영역의 상부 표면의 개방된 부분에 전극 물질로서 형성된 게이트전극과, 상기 제3확산영역의 상부 표면의 개방된 부분에 전극 물질로서 형성된 드레인전극을 포함한다.
4. 발명의 중요한 용도; 본 발명은 전력용 소자에 적합하게 사용된다.-
公开(公告)号：KR100178315B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019950036347
申请日：1995-10-20
Applicant: 한민구
IPC: H01L29/72
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술 분야
본 발명은 바이폴라 모드 전계 효과 트랜지스터에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
본 발명은 정상 오프 특성을 가지고 순방향 차단 능력이 우수하며 높은 전류 이득 및 우수한 스위칭 특성을 갖는 수평형 바이폴라 모드 전계 효과 트랜지스터를 제공한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 수평형 바이폴라 모드 전계 효과 트랜지스터에 있어서, 제1도전형의 반도체기판과, 절연층과, 제2도전형의 반도체에피층과, 절연막과, 상기 제2도전형의 제1확산영역과, 상기 제1도전형의 제2확산영역과, 상기 제2도전형의 제3확산영역과, 트렌치와, 상기 트렌치 내부에 전극 물질을 채워 형성한 소오스전극과, 상기 제2확산영역의 상부 표면의 개방된 부분에 전극 물질로서 형성된 게이트전극과, 상기 제3확산영역의 상부 표면의 개방된 부분에 전극 물질로서 형성된 드레인전극을 포함한다.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 전력용 소자에 적합하게 사용된다.-
公开(公告)号：KR100149779B1
公开(公告)日：1998-10-01
申请号：KR1019950003505
申请日：1995-02-21
Applicant: 한민구
IPC: H01L29/74
Abstract: 1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술 분야
전력 반도체 소자에 관한 것으로, 특히 수평형 모스 제어 다이리스터 분야이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
다이리스터의 턴-오프 능력 및 스위칭 특성 향상을 제공한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
디모스 트랜지스터와 엔채널 수평형 모스 트랜지스터를 가지는 수평형 모스 제어 다이리스터내의 아노드 전극측에 위치하는 피층을 통해 고농도의 제2전도형 이온을 주입하여 턴-오프시 전자 전도 경로를 형성해 주는 것을 특징으로 한다.
4. 발명의 중요한 용도
전력 반도체 소자에 적합하게 사용된다.-
公开(公告)号：KR1019960032766A
公开(公告)日：1996-09-17
申请号：KR1019950003505
申请日：1995-02-21
Applicant: 한민구
IPC: H01L29/74
Abstract: 1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
전력반도체 소자에 관한 것으로, 특히 수평형 보스 제어 다이리스터 분야이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
다이리스터의 턴-오프 능력 및 스위칭 특성 향상을 제공한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
디모스 트랜지스터와 엔채널 수평형 모스 트랜지스터를 가지는 수평형 모스 제어 다이리스터내의 아노드 전극측에 위치하는 피층을 통해 고농도를 제2전도형 이온을 주입하여 턴-오프시 전자 전도 경로를 형성해 주는 것을 특징으로 한다.
4. 발명의 중요한 용도
전력 반도체 소자에 적합하게 사용된다.
※ 선택도 : 제2,4도
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