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公开(公告)号：ES2800164T3
公开(公告)日：2020-12-28
申请号：ES15801687
申请日：2015-10-29
Inventor： LEONHARDT HEINRICH , HELMA JONAS , SCHUMACHER DOMINIK , HACKENBERGER CHRISTIAN
Abstract: Método para la producción de un polipéptido que comprende (a) introducir o añadir en el extremo C-terminal de un polipéptido una secuencia de reconocimiento para tubulina-tirosina ligasa; (b) poner en contacto el polipéptido obtenido en la etapa (a) en presencia de tubulina-tirosina ligasa y un derivado de tirosina en condiciones adecuadas para que la tubulina-tirosina ligasa someta a tirosinación dicho polipéptido con dicho derivado de tirosina.
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42.发明专利
公开(公告)号：AU2019232602A1
公开(公告)日：2020-09-17
申请号：AU2019232602
申请日：2019-03-06
Inventor： HACKENBERGER CHRISTIAN , BAUMANN ALICE LEONIE , KASPER MARC-ANDRÉ , BYRNE STEPHEN , HELMA-SMETS JONAS , LEONHARDT HEINRICH , STOSCHECK TINA , GERLACH MARCUS , SCHUMACHER DOMINIK
Abstract: Disclosed are novel conjugates and processes for the preparation thereof. A process for the preparation of alkene-or alkyne-phosohonothiolates and -phosphonates comprises the step of: reacting a compound of formula (I) with a thiol-containing molecule of formula (II) wherein represents an amino acid, a peptide, a protein, an antibody, a nucleotide, an oligonucleotide, a saccharide, a polysaccharide, a polymer, an optionally substituted C
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公开(公告)号：DE102018131040A1
公开(公告)日：2020-06-10
申请号：DE102018131040
申请日：2018-12-05
Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
Inventor： BENGTSSON OLOF , PAUL SOPHIE , KUREMYR TOBIAS
IPC: H03F3/189
Abstract: Die Erfindung betrifft einen Hochfrequenz-Leistungstransistor (1) umfassend einen Transistor (2), mindestens einen Kondensator (3) und ein Gehäuse, das den Transistor (2) und den Kondensator (3) zumindest teilweise umgibt. Ein erster Anschluss (4) für einen Hochfrequenz-Eingang und eine Gate-Gleichspannungsversorgung ist an einem Gatekontakt (5) des Transistors (2) angeschlossen. Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es einen Hochfrequenz-Leistungstransistor bereitzustellen, der ein besser definierbares Verhalten aufweist. Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, dass ein zweiter Anschluss (6) an einem Drainkontakt (7) des Transistors (2) für einen Hochfrequenz-Ausgang und Drain-Gleichspannungsversorgung angeschlossen ist. An einem Sourcekontakt (8) des Transistors (2) sind ein dritter Anschluss (9) und ein vierter Anschluss (10) angeschlossen. Der erste, zweite, dritte und vierte Anschluss (4, 6, 9, 10) führen alle aus dem Gehäuse heraus. Der dritte Anschluss (9) ist über den Kondensator (3) an den Sourcekontakt (8) angeschlossen und der vierte Anschluss (10) ist über mindestens ein induktives Element (36, 11) an den Sourcekontakt (8) angeschlossen, sodass der dritte Anschluss (9) eine Hochfrequenz-Masse bereitstellt und der vierte Anschluss (10) eine potentialfreie Niederfrequenz-Masse und Source-Gleichspannungsversorgung bereitstellt.
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公开(公告)号：DE102018130131A1
公开(公告)日：2020-05-28
申请号：DE102018130131
申请日：2018-11-28
Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
Inventor： TAKAGAKI YUKIHIKO , RAMSTEINER MANFRED , JAHN UWE , JENICHEN BERND , TRAMPERT ACHIM
Abstract: Ein schaltbares Widerstands-Bauelement 10, das einen veränderlichen elektrischen Widerstand aufweist, umfasst eine erste Elektrode 1, die ein erstes elektrisch leitfähiges Elektrodenmaterial umfasst, eine zweite Elektrode 2, die ein zweites elektrisch leitfähiges Elektrodenmaterial umfasst, und eine Barriereschicht 3, die zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode angeordnet ist, wobei das Widerstands-Bauelement eine elektrische Leitfähigkeit aufweist, die durch Anlegen einer elektrischen Spannung zwischen der ersten Elektrode 1 und der zweiten Elektrode 2 veränderlich ist, und wobei das erste Elektrodenmaterial ein Chalkogenid mit metallischer Leitfähigkeit umfasst, das zweite Elektrodenmaterial ein Metall umfasst, und die Barriereschicht 3 eine Schichtzusammensetzung aufweist, die mindestens teilweise das erste Elektrodenmaterial und mindestens teilweise das zweite Elektrodenmaterial enthält. Es werden auch ein Verfahren zur Herstellung und Anwendungen des Widerstands-Bauelements beschrieben.
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公开(公告)号：DE102018129623A1
公开(公告)日：2020-05-28
申请号：DE102018129623
申请日：2018-11-23
Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
Inventor： WERNER NILS , HOFMANN JULIAN , BEGE ROLAND , SAHM ALEXANDER , PASCHKE KATRIN
Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Erzeugung von Laserstrahlung.Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Vorrichtung zur Erzeugung von Laserstrahlung unter Verwendung eines nichtlinearen Kristalls anzugeben, die einen einfachen Aufbau und geringe optische Verluste aufweist.Die erfindungsgemäße Vorrichtung umfasst einen optischen Verstärker (1) mit einer aktiven Zone (14); wobei der optische Verstärker (1) eine Frontfacette (4) und eine Rückfacette (2) aufweist, zwischen denen sich die aktive Zone (14) erstreckt; und einen Resonator mit einem ersten Resonatorelement (21) und einem zweiten Resonatorelement (22), zwischen denen sich der optische Verstärker (1) erstreckt, wobei das erste Resonatorelement (21) auf einer der Frontfacette (4) abgewandten Seite der aktive Zone (14) und das zweite Resonatorelement (22) auf einer der Frontfacette (4) zugewandten Seite der aktive Zone (14) angeordnet ist, wobei das zweite Resonatorelement (22) einen nichtlinearen Kristall (5) mit einer periodischen Polung (W5) umfasst.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DK2932319T3
公开(公告)日：2020-01-27
申请号：DK13826720
申请日：2013-11-26
Applicant: HUMBOLDT UNIV ZU BERLIN , FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
Inventor： HENZE RICO , THIES ANDREAS , BENSON OLIVER
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公开(公告)号：DE102018201596A1
公开(公告)日：2019-08-08
申请号：DE102018201596
申请日：2018-02-02
Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
IPC: B23K26/06 , B23K26/352
Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur direkten Strukturierung mittels Laserstrahlung. Es wird ein Verfahren zum Erzeugen laserinduzierter optischer oberflächennaher Strukturierungen im Material eines Körpers vorgeschlagen, welches die Schritte umfasst: Erzeugen von gepulster Laserstrahlung;Fokussieren der gepulsten Laserstrahlung (1300) mittels einer Fokussieroptik (1400) zum Erzeugen fokussierten Laserstrahlung (1310);wobei Einstrahlen der gepulsten fokussierten Laserstrahlung (1310) auf den Körper;wobei Strahlen der gepulsten fokussierten Laserstrahlung (1310), die beim Einstrahlen auf das Material (1100) des Körpers (1101) auf eine Oberfläche (1150) des Materials (1100) des Körpers (1101) gerichtet sind, mit der Oberfläche (1150) am Auftreffpunkt einen Winkel (β) einschließen, welcher kleiner oder gleich dem maximalen Öffnungswinkel (α) der Fokussieroptik ist. Ferner wird eine Vorrichtung (1000) zur Erzeugung solcher oberflächennaher Strukturierungen geschaffen.
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公开(公告)号：DK2920342T3
公开(公告)日：2019-07-15
申请号：DK13798234
申请日：2013-10-20
Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
Inventor： RIEMANN HELGE , WÜNSCHER MICHAEL
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公开(公告)号：AU2017255938A1
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：AU2017255938
申请日：2017-04-27
Inventor： HACKENBERGER CHRISTIAN , SCHUMACHER DOMINIK , HELMA JONAS , LEONHARDT HEINRICH
Abstract: The present invention provides means and methods for functionalizing a polypeptide of interest at its C-terminus with an amino acid derivative.
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公开(公告)号：DE102012219655B4
公开(公告)日：2018-10-25
申请号：DE102012219655
申请日：2012-10-26
Applicant: UNIV FREIBURG ALBERT LUDWIGS , FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
Inventor： WALLRABE ULRIKE , BRUNNE JENS , PAULS MICHAEL , GRUNWALD RÜDIGER
Abstract: Optisches Element (10, 10', 20), mit folgenden Merkmalen:einer strukturierten Trägerschicht (12) mit einer Makrostruktur (13) an einer Hauptoberfläche (12a); undeiner Schicht (14) aus ausgehärtetem Material mit einer optisch glatten und der Hauptoberfläche (12a) abgewandten Oberfläche (14a), wobei eine Makrooberflächenstruktur (15) der Oberfläche (14a) von der Makrostruktur (13) der Trägerschicht (12) und dem Schichtdickenprofil der Schicht (14) abhängig ist.
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