公开(公告)号：CN1790720A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510120245.9

申请日：2005-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐顺爱 ,  柳寅儆 ,  朴允童 ,  李明宰

IPC: H01L27/105

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/79

Abstract: 提供了一种采用具有多种电阻状态的电阻器的非易失性存储器件及其操作方法。存储器件包括开关器件和电阻器。电阻器与开关器件电连接且具有一个复位电阻状态和至少两个或多个设定电阻状态。

公开(公告)号：CN1790719A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510120235.5

申请日：2005-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳寅儆 ,  李明宰 ,  徐顺爱 ,  徐大卫

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L27/24 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/75

Abstract: 本发明涉及一种包括一电阻器和一晶体管的非易失存储器件。所述非易失存储器件包括：晶体管；电连接到所示晶体管的第一杂质区和第二杂质区的电阻层。

公开(公告)号：CN1773709A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200510103902.9

申请日：2005-09-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元柱 ,  朴允童 ,  李殷洪 ,  徐顺爱 ,  申尚旻 ,  李政勋 ,  张丞爀

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/112

CPC classification number: G11C11/5621 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/5607 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5657 ,  G11C13/025 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/28291 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/7923

Abstract: 公开了一种多位闪速存储器件及其操作方法。该多位闪速存储器件包括：堆叠结构，该堆叠结构包括：设置在衬底上具有台面形状的第一有源层；第二有源层，在第一有源层上形成且具有与第一有源层不同的导电类型；有源层间隔离层，插置在第一有源层与第二有源层之间以便将第一有源层从第二有源层电隔离；公共源极和公共漏极，在堆叠结构的一对相对的侧表面上形成；公共第一栅极和公共第二栅极，在堆叠结构的另外一对相对的侧表面上形成；隧道介质层，插置在第一和第二栅极与第一和第二有源层之间；以及电荷捕集层，插置在隧道介质层与第一和第二栅极之间，存储隧穿隧道介质层的电荷。

公开(公告)号：CN102820324B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210041323.6

申请日：2012-02-21

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 宋俔在 ,  赵炳珍 ,  徐顺爱 ,  申宇哲

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/513

Abstract: 本发明提供了具有多层栅极绝缘层的石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括在石墨烯沟道层与栅极电极之间的多层栅极绝缘层。该多层栅极绝缘层包括有机绝缘层和位于有机绝缘层上的无机绝缘层。有机绝缘层防止杂质被吸收到石墨烯沟道层中，因此石墨烯沟道层的固有特性被保持。

公开(公告)号：CN102050442B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201010504291.X

申请日：2010-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹轮成 ,  戴维·徐 ,  徐顺爱 ,  郑现钟 ,  姜世拉 ,  许镇盛

IPC: C01B31/04

CPC classification number: C01B31/0453 ,  B01J23/755 ,  B01J37/347 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C01B2204/04 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/26

Abstract: 本发明提供一种利用合金催化剂制造石墨烯的方法，该方法可以包括在衬底上形成包括镍的合金催化剂层以及通过将碳氢气体提供到合金催化剂层上来形成石墨烯层。合金催化剂层可以包括从由镍、铜、铂、铁和金构成的组中选出的至少两种。当制造石墨烯时，减少碳在Ni中的溶解性的催化剂金属可以在合金催化剂层中与Ni一起使用。可以调整碳被溶解的量，并且可以制造均匀的石墨烯单层。

公开(公告)号：CN102285660B

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201110164676.0

申请日：2011-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晟熏 ,  徐顺爱 ,  禹轮成 ,  郑现钟 ,  许镇盛

IPC: C01B35/00 ,  H01L29/167

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

Abstract: 提供被氮和硼代替的石墨烯、其制造方法及具有其的晶体管，该石墨烯包括碳(C)原子被硼(B)原子和氮(N)原子部分地代替的结构。该石墨烯具有带隙。被硼和氮代替的石墨烯可用作场效应晶体管的沟道。该石墨烯可通过使用环硼氮烷或氨硼烷作为氮化硼(B-N)前体进行化学气相沉积(CVD)方法形成。

公开(公告)号：CN102050442A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN201010504291.X

申请日：2010-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹轮成 ,  戴维·徐 ,  徐顺爱 ,  郑现钟 ,  姜世拉 ,  许镇盛

IPC: C01B31/04

CPC classification number: C01B31/0453 ,  B01J23/755 ,  B01J37/347 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C01B2204/04 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/26

Abstract: 本发明提供一种利用合金催化剂制造石墨烯的方法，该方法可以包括在衬底上形成包括镍的合金催化剂层以及通过将碳氢气体提供到合金催化剂层上来形成石墨烯层。合金催化剂层可以包括从由镍、铜、铂、铁和金构成的组中选出的至少两种。当制造石墨烯时，减少碳在Ni中的溶解性的催化剂金属可以在合金催化剂层中与Ni一起使用。可以调整碳被溶解的量，并且可以制造均匀的石墨烯单层。

公开(公告)号：CN1964050B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200610075345.9

申请日：2006-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东彻 ,  柳寅儆 ,  李明宰 ,  徐顺爱 ,  白寅圭 ,  安承彦 ,  朴炳昊 ,  车映官 ,  朴祥珍

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供一种在存储节点中具有改进的结构从而具有稳定的开关特性的非易失性存储器件及其制造方法。该非易失性存储器件包括开关器件和与该开关器件耦接的存储节点。该存储节点包括第一电极、第二电极、数据存储层、以及至少一个接触层。该数据存储层设置在该第一电极与该第二电极之间且包括过渡金属氧化物或者铝氧化物。所述至少一个接触层设置在该数据存储层之上或之下，且包括导电金属氧化物从而改善该数据存储层与该第一电极之间以及该数据存储层与该第二电极之间的界面特性。

公开(公告)号：CN1734773B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200510092281.9

申请日：2005-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴允童 ,  李兆远 ,  金桢雨 ,  李殷洪 ,  徐顺爱 ,  金元柱 ,  蔡熙顺 ,  蔡洙杜 ,  宋利宪

IPC: H01L27/112 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/8247

CPC classification number: G11C11/5621 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11551

Abstract: 提供了一种互补非易失性存储器件及其操作和制造方法，包括该器件的逻辑器件和半导体器件，以及用于该器件的读电路。所述互补非易失性存储器件包括第一非易失性存储器和第二非易失性存储器，它们被顺序的堆叠并具有互补关系，其中所述第二非易失性存储器被翻转，使得所述第一非易失性存储器和第二非易失性存储器的底部彼此相对，且所述第一非易失性存储器和第二非易失性存储器的顶部在所述底部之间彼此面对。

公开(公告)号：CN101751988A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910253967.X

申请日：2009-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成喆 ,  申在光 ,  徐顺爱 ,  曹永真 ,  皮雄焕 ,  裴智莹

IPC: G11C11/02 ,  G11C11/16

CPC classification number: G11C19/0808 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675

Abstract: 提供了一种磁轨、信息存储装置和操作该信息存储装置的方法。所述磁轨包括具有不同长度和不同磁畴壁移动速度的第一磁畴区域和第二磁畴区域。第一磁畴区域和第二磁畴区域中较长的磁畴区域用作信息读/写区域。所述信息存储装置包括磁轨。所述磁轨包括多个磁畴区域和在相邻磁畴区域之间形成的磁畴壁区域。所述多个磁畴区域包括第一磁畴区域和至少一个第二磁畴区域，所述至少一个第二磁畴区域的长度小于第一磁畴区域的长度。所述信息存储装置还包括第一单元和磁畴壁移动单元，其中，所述第一单元被构造为在第一磁畴区域上执行信息记录操作和信息再现操作中的至少一个，所述磁畴壁移动单元被构造为移动磁畴壁区域的磁畴壁。