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公开(公告)号：CN1773709A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200510103902.9
申请日：2005-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/112
CPC classification number: G11C11/5621 , B82Y10/00 , G11C11/5607 , G11C11/5628 , G11C11/5657 , G11C13/025 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L21/28291 , H01L29/0692 , H01L29/4232 , H01L29/7923
Abstract: 公开了一种多位闪速存储器件及其操作方法。该多位闪速存储器件包括：堆叠结构，该堆叠结构包括：设置在衬底上具有台面形状的第一有源层；第二有源层，在第一有源层上形成且具有与第一有源层不同的导电类型；有源层间隔离层，插置在第一有源层与第二有源层之间以便将第一有源层从第二有源层电隔离；公共源极和公共漏极，在堆叠结构的一对相对的侧表面上形成；公共第一栅极和公共第二栅极，在堆叠结构的另外一对相对的侧表面上形成；隧道介质层，插置在第一和第二栅极与第一和第二有源层之间；以及电荷捕集层，插置在隧道介质层与第一和第二栅极之间，存储隧穿隧道介质层的电荷。
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公开(公告)号：CN101651145B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN200910165721.7
申请日：2009-08-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14641 , H04N5/332 , H04N5/3696 , H04N5/37457 , H04N13/229 , H04N13/257
Abstract: 提供了一种三维图像传感器的像素阵列。该像素阵列包括多个单元像素图案，每一单元像素图案包括按照阵列形式排列的颜色像素以及距离测量像素。所述多个单元像素图案按照这样的方式排列，使得彼此相邻地安排距离测量像素组。
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公开(公告)号：CN1869811B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200610092874.X
申请日：2006-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种用于极远紫外(EUV)光刻的反射掩模和制作该反射掩模的方法，其中，该反射掩模包括：基板，以多层结构形成在基板上并包含反射EUV光线的材料的下反射层，以多层结构形成在下反射层上和反射EUV光线的上反射层，在下反射层和上反射层之间形成为预定图案的相位反转层，该相位反转层引起来自上反射层的反射光线与来自下反射层的反射光线之间的破坏性干涉。这减少了阴影效应的影响，并且可以消除不必要的EUV光线，使得在掩模上设计的图案能够精确地投影到硅晶片上。由于相位反转层具有与反射层和吸收层的材料完全一样的材料，掩模制作过程能够简易地处理。
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公开(公告)号：CN1869811A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610092874.X
申请日：2006-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种用于极远紫外(EUV)光刻的反射掩模和制作该反射掩模的方法，其中，该反射掩模包括：基板，以多层结构形成在基板上并包含反射EUV光线的材料的下反射层，以多层结构形成在下反射层上和反射EUV光线的上反射层，在下反射层和上反射层之间形成为预定图案的相位反转层，该相位反转层引起来自上反射层的反射光线与来自下反射层的反射光线之间的破坏性干涉。这减少了阴影效应的影响，并且可以消除不必要的EUV光线，使得在掩模上设计的图案能够精确地投影到硅晶片上。由于相位反转层具有与反射层和吸收层的材料完全一样的材料，掩模制作过程能够简易地处理。
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公开(公告)号：CN100573336C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200610106080.4
申请日：2006-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/70241 , G03F7/70941
Abstract: 提供了一种离轴投影光学系统，其包括离轴设置的第一和第二反射镜。第一反射镜弯曲部分的切向和径向半径分别为R1t和R1s。第二反射镜弯曲部分的切向和径向半径分别为R2t和R2s。从物点到第一反射镜10的光束入射角为i1，从第一反射镜10反射到第二反射镜30的光束入射角为i2。数值R1t、R1s、R2t、R2s、i1和i2可以满足下面的等式：R1tcosi1＝R2tcosi2；R1s＝R1tcos2i1；R2s＝R2tcos2i2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100477226C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200510103902.9
申请日：2005-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/112
CPC classification number: G11C11/5621 , B82Y10/00 , G11C11/5607 , G11C11/5628 , G11C11/5657 , G11C13/025 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L21/28291 , H01L29/0692 , H01L29/4232 , H01L29/7923
Abstract: 公开了一种多位闪速存储器件及其操作方法。该多位闪速存储器件包括：堆叠结构，该堆叠结构包括：设置在衬底上具有台面形状的第一有源层；第二有源层，在第一有源层上形成且具有与第一有源层不同的导电类型；有源层间隔离层，插置在第一有源层与第二有源层之间以便将第一有源层从第二有源层电隔离；公共源极和公共漏极，在堆叠结构的一对相对的侧表面上形成；公共第一栅极和公共第二栅极，在堆叠结构的另外一对相对的侧表面上形成；隧道介质层，插置在第一和第二栅极与第一和第二有源层之间；以及电荷捕集层，插置在隧道介质层与第一和第二栅极之间，存储隧穿隧道介质层的电荷。
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公开(公告)号：CN1908702A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610125718.9
申请日：2006-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02B5/12 , G03F1/00 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/70316 , G03F7/70958 , G21K1/062
Abstract: 一种反射器件可包括基板和形成在基板上的多反射层。该多反射层由能反射EUV射线的材料形成。通过堆叠多个层组可形成所述多反射层，每个层组都包括第一材料层、通过对第一材料层进行表面处理而获得的表面处理的层、和形成在该表面处理的层上的第二材料层。一种制造反射器件的方法包括制备基板和在基板上形成多反射层，该多反射层由能反射EUV射线的材料形成。通过重复形成层组来实施形成多反射层。形成该层组包括：形成第一材料层、对第一材料层进行表面处理、和在表面处理过的第一材料层上形成第二材料层。
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公开(公告)号：CN1881091A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610106080.4
申请日：2006-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/70241 , G03F7/70941
Abstract: 提供了一种离轴投影光学系统，其包括离轴设置的第一和第二反射镜。第一反射镜弯曲部分的切向和径向半径分别为R1t和R1s。第二反射镜弯曲部分的切向和径向半径分别为R2t和R2s。从物点到第一反射镜10的光束入射角为i1，从第一反射镜10反射到第二反射镜30的光束入射角为i2。数值R1t、R1s、R2t、R2s、i1和i2可以满足下面的等式：R1tcosi1＝R2tcosi2，R1s＝R1tcos2i1，R2s＝R2tcos2i2。
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公开(公告)号：CN1811593A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510121654.0
申请日：2005-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 用于光刻的掩模及其制造方法。掩模包括衬底，由能反射电磁辐射的材料在衬底上形成的反射层，和以希望的图案形成的吸收图案以使得形成对于电磁辐射的吸收区和电磁射线通过的窗口区，其中吸收图案包括至少一个邻近窗口并且相对于反射层倾斜的侧面。该方法可以包括在衬底上形成由能够反射电磁射线的材料形成的反射层，在反射层上形成由能够吸收电磁射线的材料形成的吸收层，和图案化吸收层以形成具有至少一个邻近窗口的侧面并且具有相对于反射层倾斜的侧面的吸收图案。
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公开(公告)号：CN1825210B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610059996.9
申请日：2006-02-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70233
Abstract: 一种离轴投影光学系统包括：离轴设置并共用一共焦点的第一和第二反射镜，它们布置成减小线性象散。假设物面和第一反射镜之间的距离是l1，光从物面到第一反射镜的入射角是i1，第一反射镜和共焦点之间的距离是l1’，共焦点和第二反射镜之间的距离是l2，光从第一反射镜到第二反射镜的入射角是i2，第二反射镜和像面之间的距离是l2’，则第一和第二反射镜的布置满足以下等式：
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