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公开(公告)号：CN106653073B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201610645104.7
申请日：2016-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种具有存储单元阵列和页缓冲器电路的非易失性存储设备，所述存储单元阵列包括耦合至第一字线至第M字线和第一位线至第N位线的多个存储单元(M>2，N>2)，所述页缓冲器电路包括分别耦合至第一位线至第N位线、并分别生成第一输出数据至第N输出数据的第一页缓冲器至第N页缓冲器。第K页缓冲器包括第一锁存器至第L锁存器，所述第一锁存器至第L锁存器在读电压被施加到第P字线之后，通过在不同的采样定时处对通过第K位线进行放电的第K输出线的电压进行采样，来生成读数据(K≤N，L>1，P≤M)。如果第一锁存器的读数据中的误差可校正，则第K页缓冲器输出第一输出数据。
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公开(公告)号：CN106847338B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201611079351.1
申请日：2016-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
Abstract: 本发明提供了非易失性存储器装置、存储器系统及操作它们的方法。提供了如下一种操作包括三维(3D)存储器单元阵列的非易失性存储器装置的方法。利用第一读电压电平对连接至第一字线的第一存储器单元执行第一读操作。如果第一读操作失败，则对第一存储器单元执行读重试操作，以将读重试电压电平设为第二读电压电平。基于第一读电压电平与第二读电压电平之间的差来确定读偏移表。读偏移表存储多个读电压偏移。利用通过利用读偏移表确定的第三读电压电平对连接至第二字线的第二存储器单元执行第二读操作。
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公开(公告)号：CN112018167A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010083771.7
申请日：2020-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/10 , H01L27/146 , H01L27/30
Abstract: 一种图像传感器以及制造图像传感器的方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一浮置扩散区；模制图案，所述模制图案位于所述第一浮置扩散区上方，并且包括开口；第一光电转换部，所述第一光电转换部位于所述半导体衬底的表面；以及第一传输晶体管，所述第一传输晶体管将所述第一光电转换部连接到所述第一浮置扩散区。所述第一传输晶体管包括第一传输栅电极和位于所述开口中的沟道图案。所述沟道图案包括氧化物半导体。所述沟道图案还包括侧壁部分和中心部分，所述侧壁部分覆盖所述开口的侧表面，所述中心部分从所述侧壁部分延伸到所述第一传输栅电极上方的区域。
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公开(公告)号：CN111415953A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010004290.2
申请日：2020-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供了一种图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括：半导体基板，具有彼此面对的第一表面和第二表面；第一光电转换部分，设置在半导体基板的第二表面上；第一浮置扩散区，与第一表面相邻地提供在半导体基板中；覆盖第一表面的第一层间绝缘层；在第一层间绝缘层上的第一沟道图案；以及第一传输栅电极，与第一沟道图案相邻地设置，并控制在第一光电转换部分中产生的电荷通过第一沟道图案传输到第一浮置扩散区。
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公开(公告)号：CN110828493A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910503830.9
申请日：2019-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：衬底，包括与光入射的第二表面相对的第一表面；第一光电转换层，位于衬底中；包括多个布线层的布线结构，位于衬底的第一表面上；层间绝缘膜，位于衬底的第二表面上；电容器结构，位于层间绝缘膜中；以及第一布线，位于层间绝缘膜上。所述电容器结构包括依次堆叠在衬底的第二表面上的第一导电图案、介电图案和第二导电图案。第二导电图案连接到第一布线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109785892A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811309881.X
申请日：2018-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器器件，可以包括：存储器单元阵列，包括存储器单元和连接到存储器单元的字线；时钟产生器，被配置为根据系统时钟信号来产生第一泵浦时钟信号；电荷泵，被配置为使用电源电压和第一泵浦时钟信号来提供泵浦电压信号；补偿电路，被配置为根据电源电压的变化补偿第一参考时钟信号的变化，并且提供补偿后的第一参考时钟信号；以及合格/失败(P/F)确定电路，被配置为通过在所述泵浦电压信号被提供给字线的同时，比较所述第一泵浦时钟信号与所述补偿后的第一参考时钟信号，来确定所述字线是否有缺陷。
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公开(公告)号：CN108335711A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201711426789.7
申请日：2017-12-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C8/08
CPC classification number: G11C16/08 , G11C16/0483
Abstract: 一种非易失性存储器件执行包括以下步骤的方法：使得非易失性存储器件的就绪/忙碌信号引脚指示非易失性存储器件处于预充电忙碌状态，其中非易失性存储器件不能够执行对其非易失性存储单元的存储器访问操作；将一个或多个字线预充电电压施加到非易失性存储器件的多条字线中的一条或多条选定的字线以对选定的字线进行预充电；以及在预充电操作的至少一部分之后，使得就绪/忙碌信号引脚从指示预充电忙碌状态转变为指示非易失性存储器件处于就绪状态，其中非易失性存储器件能够执行对其非易失性存储单元的存储器访问操作。
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公开(公告)号：CN108010555A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201710976440.4
申请日：2017-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/30 , G11C11/5635 , G11C11/5642 , G11C16/14 , G11C16/225 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C29/02 , G11C29/12005 , G11C2029/5004
Abstract: 一种非易失性存储设备，包括：存储单元阵列，存储数据；以及控制逻辑。所述控制逻辑被配置为控制对数据的读取操作、编程操作或擦除操作。所述控制逻辑还被配置为基于提供给存储单元阵列的电压源中的一个和第一参考电压，检测第一电源噪声，并基于电压源中的所述一个电压源、以及第一参考电压和第二参考电压中的每个，检测第二电源噪声。所述控制逻辑被配置为基于是否检测到第一和第二电源噪声中的至少一个，确定是否执行读取操作的操作时段、编程操作的操作时段或擦除操作的操作时段中的至少一个。
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公开(公告)号：CN107025926A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610974364.9
申请日：2016-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F3/0656 , G06F3/0604 , G06F3/0685 , G11C11/5628 , G11C11/5635 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/16 , G11C16/3459 , G11C2211/5642 , G11C2211/5643 , G11C2211/5644 , G11C8/06 , G11C7/1057 , G11C8/12
Abstract: 本申请提供了存储装置和操作存储装置的方法。存储装置包括存储单元阵列和页缓冲器电路。存储单元阵列包括多个存储单元，而且所述多个存储单元被划分为第一存储器组和第二存储器组。第一页缓冲器组耦合至第一存储器组并且包括多个第一页缓冲器。第二页缓冲器组耦合至第二存储器组并且包括多个第二页缓冲器。第一页缓冲器组针对储存在第一页缓冲器组中的数据执行第一数据处理操作，并储存第一数据处理操作的结果。第二页缓冲器组针对储存在第二页缓冲器组中的数据执行第二数据处理操作，并储存第二数据处理操作的结果。第一数据处理操作和第二数据处理操作基本上同时执行。
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公开(公告)号：CN106504791A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610791554.7
申请日：2016-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 如下提供擦除包括多个NAND串的非易失性存储装置的方法。施加第一电压到每个字线达相应的有效擦除运行时间。对连接到字线中的每一个的存储单元执行擦除操作达相应的有效擦除运行时间。在相应的擦除禁止时间逝去后，施加第二电压到字线中的至少一些字线中的每一个达相应的有效擦除运行时间。所述至少一些字线中的每一个的相应的有效擦除运行时间和相应的擦除禁止时间之和基本上等于在其期间使用第一电压和比第一电压高的第二电压执行擦除操作的擦除间隔。字线堆叠在衬底上。
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