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公开(公告)号：CN104425620A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410443424.5
申请日：2014-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开涉及一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括处于第Ⅲ-Ⅵ主族化合物半导体层与电介质层之间的氧吸附层。所述半导体器件可包括化合物半导体层、布置在化合物半导体层上的电介质层以及插入在化合物半导体层与电介质层之间的氧吸附层。氧吸附层包含与化合物半导体的材料相比对氧有更高亲和性的材料。
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公开(公告)号：CN103515533A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310256116.7
申请日：2013-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/145 , H01L27/2427 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/14 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641
Abstract: 本发明涉及开关元件和器件、存储器件、及其制造方法。开关元件，包括：第一电极；第二电极；以及在所述第一电极和所述第二电极之间的含硅的硫属元素氮化物层。开关器件包括：在第一电极和第二电极之间的阈值开关材料层。所述阈值开关材料层包括金属元素、硫属元素、硅元素和氮元素。存储器件包括：彼此平行布置的多条第一布线；与所述第一布线交叉并且彼此平行布置的多条第二布线；和在所述多条第一布线和所述多条第二布线的各交叉点处形成的存储单元。所述存储单元包括具有含硅的硫属元素氮化物层、中间电极和存储层的叠层物。
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公开(公告)号：CN102386325A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110130691.3
申请日：2011-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2409 , G11C13/0007 , G11C2213/51 , G11C2213/55 , G11C2213/56 , G11C2213/72 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146
Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储元件和一种包括该非易失性存储元件的存储装置。非易失性存储元件可以包括在两个电极之间具有多层结构的存储层。存储层可以包括第一材料层和第二材料层，并且可以因第一材料层和第二材料层之间的离子物种的移动而具有电阻变化特性。第一材料层可以是供氧层，第二材料层可以是氧交换层。非易失性存储元件还可以包括位于存储层和第一电极之间的缓冲层。
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公开(公告)号：CN102376886A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110153471.2
申请日：2011-06-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1233 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/12 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供了非易失性存储元件及包括其的存储装置。所述非易失性存储元件可包括第一电极、第二电极、第一缓冲层、第二缓冲层和存储层。存储层设置在第一电极和第二电极之间。第一缓冲层设置在存储层和第一电极之间。第二缓冲层设置在存储层和第二电极之间。存储层可具有可包括第一材料层和第二材料层的多层结构。第二材料层可由第二金属氧化物形成，第二金属氧化物与形成第一材料层的第一金属氧化物同族或不同族。
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公开(公告)号：CN102347443A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110197102.3
申请日：2011-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C2013/0073 , G11C2213/12 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/55 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/146
Abstract: 示例实施例涉及一种非易失性存储元件和一种包括其的存储装置。非易失性存储元件可包括在两个电极之间具有多层结构的存储层。存储层可包括第一材料层和第二材料层，并可由于在第一材料层和第二材料层之间离子物种的移动而显示出电阻变化特性。第一材料层可以是供氧层。第二材料层可以是具有多重陷阱能级的氧化物层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102157540A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010589232.7
申请日：2010-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2013/0073 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/72 , G11C2213/73 , G11C2213/74 , G11C2213/76 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147
Abstract: 本发明公开了一种存储装置、一种存储卡和一种电子装置。存储装置包括存储单元。存储单元包括双极存储元件和双向开关元件。双向开关元件连接到双极存储元件的端部，并具有双向开关特性。双向开关元件包括第一开关元件和第二开关元件。第一开关元件连接到双极存储元件的第一端部，并具有第一开关方向。第二开关元件连接到双极存储元件的第二端部，并具有第二开关方向。第二开关方向与第一开关方向相反。
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公开(公告)号：CN101034732B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200610170100.4
申请日：2006-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/12 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供了一种电阻随机存取存储器装置，其包括：下电极；第一氧化物层，形成在下电极上并使用两个电阻状态存储信息，其中所述第一氧化物层由选自包括NiOx、ZrOx、Nb2O5-x、HfO、ZnO、WO3、CoO、CuO2和TiO2的组中的一种形成；电流控制层，由位于第一氧化物层上的第二氧化物形成；和上电极，堆叠在电流控制层上。所述电流控制层降低所述电阻随机存取存储器装置的开启电流。
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公开(公告)号：CN1964050B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200610075345.9
申请日：2006-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/115 , H01L21/8239 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种在存储节点中具有改进的结构从而具有稳定的开关特性的非易失性存储器件及其制造方法。该非易失性存储器件包括开关器件和与该开关器件耦接的存储节点。该存储节点包括第一电极、第二电极、数据存储层、以及至少一个接触层。该数据存储层设置在该第一电极与该第二电极之间且包括过渡金属氧化物或者铝氧化物。所述至少一个接触层设置在该数据存储层之上或之下，且包括导电金属氧化物从而改善该数据存储层与该第一电极之间以及该数据存储层与该第二电极之间的界面特性。
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公开(公告)号：CN100502037C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200510124729.0
申请日：2005-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/685
Abstract: 提供了通过所施加的电压改变沟道物理性质的晶体管及其制造和操作方法。该晶体管包括在衬底上制备为线形状的第一导电层，依次堆叠在第一导电层上的相变层和第二导电层，在第二导电层上形成并分开预定空间的第一电流方向限制单元和第二电流方向限制单元，分别在第一电流方向限制单元和第二电流方向限制单元上形成的第三导电层和第四导电层，连接到第三导电层的字线，连接到第四导电层的位线，以及连接到字线的电压降低单元。
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