公开(公告)号：CN116156879A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202211430632.2

申请日：2022-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正敏 ,  林汉镇

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括衬底上的第一接触插塞、电容器、绝缘分隔层以及第二接触插塞。电容器包括第一电极和第二电极以及介电层。第一电极接触第一接触插塞的上表面，并沿基本垂直于衬底的上表面的竖直方向延伸。第二电极与第一电极间隔开，并沿竖直方向延伸，并且包括分别与第一电极的下表面和上表面基本共面的下表面和上表面。介电层在第一电极和第二电极的侧壁上。绝缘分隔层形成在介电层的在第一电极和第二电极的侧壁上的部分之间。第二接触插塞接触第二电极的上表面。

公开(公告)号：CN116018059A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211045407.7

申请日：2022-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林汉镇 ,  朴正敏

IPC: H10N97/00 ,  H10B53/30

Abstract: 公开了一种半导体设备和包括该半导体设备的半导体存储器设备。一种半导体设备可以包括第一电极、在第一电极上的第二电极、在第一电极与第二电极之间的铁电层、与铁电层接触的反铁电层、以及与铁电层间隔开并与反铁电层接触的插入层。

公开(公告)号：CN114334879A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111180685.9

申请日：2021-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正敏 ,  林汉镇 ,  金海龙 ,  朴瑛琳 ,  赵哲珍

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 一种集成电路装置包括：第一电极层，其包括第一金属并且具有第一热膨胀系数；位于第一电极层上的介电层，该介电层包括包含与第一金属不同的第二金属的第二金属氧化物，并且具有小于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数；以及位于第一电极层和介电层之间的第一应力缓冲层，该第一应力缓冲层包括包含第一金属的第一金属氧化物，并且由于第一电极层的热应力和介电层的热应力而形成。

公开(公告)号：CN106972016B

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN201610868493.X

申请日：2016-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜相列 ,  任基彬 ,  金润洙 ,  林汉镇

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/64

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种具有电容器的半导体器件包括：具有晶体管的衬底；形成在衬底上且不重叠形成在衬底中的第一接触节点的第一绝缘图案；第二绝缘图案，其形成在衬底上，不重叠形成在衬底中的第二接触节点，并且与第一绝缘图案分离；形成在部分衬底上和第一绝缘图案的侧壁上的第一下电极；形成在部分衬底上和第二绝缘图案的侧壁上的第二下电极；形成在第一下电极和第二下电极上的电介质层图案；以及形成在电介质层图案上的上电极。相关制造方法也被讨论。

公开(公告)号：CN106972016A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201610868493.X

申请日：2016-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜相列 ,  任基彬 ,  金润洙 ,  林汉镇

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/64

CPC classification number: H01L27/10805 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/60 ,  H01L28/90

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种具有电容器的半导体器件包括：具有晶体管的衬底；形成在衬底上且不重叠形成在衬底中的第一接触节点的第一绝缘图案；第二绝缘图案，其形成在衬底上，不重叠形成在衬底中的第二接触节点，并且与第一绝缘图案分离；形成在部分衬底上和第一绝缘图案的侧壁上的第一下电极；形成在部分衬底上和第二绝缘图案的侧壁上的第二下电极；形成在第一下电极和第二下电极上的电介质层图案；以及形成在电介质层图案上的上电极。相关制造方法也被讨论。

公开(公告)号：CN118829230A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202311636827.7

申请日：2023-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林汉镇 ,  韩珍优 ,  李基硕 ,  金根楠 ,  朴硕韩 ,  郑文泳

IPC: H10B53/30 ,  H10B53/20 ,  H10B53/40 ,  H10B53/50

Abstract: 一种半导体存储器件包括：位线，其在第一方向上延伸；有源图案，其位于位线上，并且包括在第一方向上彼此面对的第一垂直部分和第二垂直部分以及连接第一垂直部分和第二垂直部分的水平部分；第一字线和第二字线，其位于第一垂直部分与第二垂直部分之间的水平部分上，在与第一方向交叉的第二方向上延伸；栅极绝缘图案，其位于第一字线和第二字线与有源图案之间；以及电容器，其连接到第一垂直部分和第二垂直部分中的每一者，并且包括第一电极图案、位于第一电极图案上的第二电极图案和位于第一电极图案与第二电极图案之间的铁电图案，该第一电极图案连接到第一垂直部分和第二垂直部分中的一者。

公开(公告)号：CN118804678A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410439499.X

申请日：2024-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正敏 ,  金志星 ,  林汉镇 ,  丁炯硕

IPC: H10N97/00 ,  H01L23/64 ,  H10B53/30

Abstract: 实施方式提供了电容器和包括电容器的半导体器件。根据至少一个实施方式的电容器可以包括彼此间隔开的第一电极和第二电极、以及设置在第一电极和第二电极之间并包括铁电层和设置在铁电层中的辅助部分的电介质层，其中辅助部分的能带隙Eg可以低于约4.0eV。

公开(公告)号：CN118301933A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202311773880.1

申请日：2023-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正敏 ,  林汉镇 ,  丁炯硕

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括：结构，包括导电区域；以及电容器，与该结构的导电区域电连接。该电容器包括与导电区域电连接的第一电极、在第一电极上的第二电极以及在第一电极和第二电极之间的介电层。第一电极和第二电极中的至少一个包括：第一材料层，包括第一材料区域和第二材料区域，该第一材料区域包括第一晶体区域和与第一晶体区域不同的第二晶体区域，该第二材料区域在第一晶体区域和第二晶体区域之间；以及在第一材料层上的第二材料层。第一材料层的至少一部分在第二材料层和介电层之间。第一材料区域的材料不同于第二材料区域的材料。

公开(公告)号：CN109216328B

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN201810705802.0

申请日：2018-07-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文瑄敏 ,  朴瑛琳 ,  曹圭镐 ,  林汉镇

IPC: H01L23/64

Abstract: 公开了一种半导体器件，其包括顺序地设置在衬底上的底电极、电介质层和顶电极。电介质层包括铪氧化物层和氧化籽晶层，铪氧化物层包含具有四方晶体结构的铪氧化物，氧化籽晶层包含氧化籽晶材料。氧化籽晶材料具有一晶格常数，该晶格常数与具有四方晶体结构的铪氧化物的水平晶格常数和垂直晶格常数中的一个拥有6％或更小的晶格失配。

公开(公告)号：CN117729775A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311083766.6

申请日：2023-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正敏 ,  林汉镇 ,  丁炯硕

IPC: H10B53/30 ,  H01L23/64 ,  H10N97/00

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括多个存储器单元，每个存储器单元包括单元晶体管和连接到单元晶体管的忆容器，并且忆容器包括：信息存储层，包括铁电材料；第一电极和第二电极，连接到信息存储层的两端；固定层，堆叠在信息存储层上并且包括顺电材料或反铁电材料；以及第三电极，连接到固定层而不接触信息存储层。