公开(公告)号：CN108574007A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810162659.5

申请日：2018-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炳训 ,  金贤陈 ,  罗勋奏 ,  徐圣仁 ,  李灿珩 ,  李厚容 ,  郑圣勋 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/49

Abstract: 本申请提供了一种半导体装置以及一种制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：位于衬底上的栅绝缘层、位于栅绝缘层上的第一功函数调整层、在第一功函数调整层上且与第一功函数调整层接触的下阻挡导电层以及在下阻挡导电层上且与下阻挡导电层接触的上阻挡导电层。上阻挡导电层和下阻挡导电层包括共同的材料，例如，它们可以各自包括氮化钛(TiN)层。

公开(公告)号：CN107799516A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710762460.1

申请日：2017-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宰中 ,  蔡荣锡 ,  金相溶 ,  罗勋奏 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H01L27/0924 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7845 ,  H01L27/0251

Abstract: 一种半导体器件可以包括衬底、第一纳米线、第二纳米线、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、第一金属层和第二金属层。第一栅极绝缘层可以沿着第一纳米线的周界。第二栅极绝缘层可以沿着第二纳米线的周界。第一金属层可以沿着第一纳米线的周界在第一栅极绝缘层的顶表面上。第一金属层可以具有第一晶粒尺寸。第二金属层可以沿着第二纳米线的周界在第二栅极绝缘层的顶表面上。第二金属层可以具有不同于第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸。