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公开(公告)号：CN1750168B
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200510092762.X
申请日：2005-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供一种磁存储器件和操作该磁存储器件的方法，该磁存储器件具有一致翻转特性并且能够由低电流翻转。该磁存储器件包括具有圆柱形状和共轴形成的元件的MTJ(磁性隧道结)层。该MTJ层包括：被施加写电流的导电层、共轴形成在该导电层周围的绝缘层、以及形成在该绝缘层周围的材料层，该材料层与该导电层共轴并且具有多个磁层。该材料层至少包括沿该导电层顺序堆叠的下磁层、隧穿层和上磁层。当写电流施加到导电层时，在上磁层中感应闭合磁场并且上磁层的磁矩沿该闭合磁场排列。
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公开(公告)号：CN1866395B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200510129769.4
申请日：2005-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/15
Abstract: 本发明公开了一种磁随机存取存储(MRAM)器件及其控制和制造方法。所述器件的示范性实施例包括：具有自由层的磁隧道结；具有覆盖自由层表面的第一部分的第一电极(第一磁场产生元件)，以及通过一连接而连接到第一电极的电源，该连接覆盖第一电极的的第一部分的不到一半。MRAM器件的另一示范性实施例包括：磁隧道结；在该磁隧道结的相对侧上直接连接到所述磁隧道结的第一和第二电极(第一和第二磁场产生元件)；以及电源，具有通过第一连接而连接到第一电极的一个极和通过第二连接而连接到第二电极的第二极，其中第一和第二连接从第一和第二电极与磁隧道结之间的连接横向偏移。
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公开(公告)号：CN101030444B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200710008128.2
申请日：2007-01-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/16 , G11C19/0808
Abstract: 本发明提供一种利用磁畴拖动的磁器件单元及其操作方法。该磁器件单元包括：数据储存单元，包括具有可翻转磁化方向且具有多个毗邻磁畴的自由层、以及与该自由层的一部分对应地形成且具有被钉扎磁化方向的参考层，其中多个数据位区域以阵列形成在该自由层上，该数据位区域的每个以该参考层的有效尺寸单元形成，使得该数据储存单元以阵列储存多位数据；第一输入部分，电连接到该自由层的该数据位区域的至少一个和该参考层以施加写信号和读信号中的至少一种；以及第二输入部分，电连接到该自由层以将储存在该自由层的该数据位区域中的数据向相邻数据位区域拖动，且施加用于磁畴拖动的拖动信号。
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公开(公告)号：CN1637927B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200410010486.3
申请日：2004-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种磁随机存取存储器(MRAM)及其制造方法。该MRAM包括开关器件和与该开关器件相连的MTJ单元，其特点是包括一被钉扎膜，该被钉扎膜包括一金属膜及围绕该金属膜的一磁性膜。
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公开(公告)号：CN100341386C
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN03132667.6
申请日：2003-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金泰完 , 尤利·N·托尔马契夫 , 马东俊
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/321
Abstract: 本发明提供了一种具有能提高等离子体均匀性的结构的感应耦合天线以及一种使用该感应耦合天线的等离子体处理装置。感应耦合天线安装在感应耦合等离子体(ICP)处理装置的反应室上，并与射频(RF)电源相连，以便感应产生电场，用于使注入反应室内的气体反应物离子化并产生等离子体。感应耦合天线包括有多圈的线圈，其中，流过最外圈的电流大于流过内圈的电流。最外圈和内圈与RF电源并联连接，内圈彼此串联连接。该感应耦合天线包括：导体金属管，该导体金属管有冷却通道；以及导体金属条带，该导体金属条带与该金属管的底部电连接和热连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101026176A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610136108.9
申请日：2006-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , H01L27/228
Abstract: 提供了一种磁存储器件以及向所述磁存储器件写入数据的方法。所述磁存储器件包括：界定多个单位单元区域的多条字线和多条位线；设置于每一单位单元区域内的晶体管；以及磁隧道结(MTJ)元件，其与晶体管形成组合，并且具有MTJ单元以及位于所述MTJ单元的两侧的形成磁场的第一和第二焊盘层，其中，每一晶体管的漏极连接至对应的单元区域内的第一焊盘层，其源极连接至相邻的单位单元区域内的第二焊盘层，以及每一晶体管的栅极连接至对应的单位单元区域内的对应的字线，其漏极连接至对应的单位单元区域内的位线。
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公开(公告)号：CN101026001A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610148552.2
申请日：2006-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/15 , G11C19/0808 , G11C19/0841
Abstract: 本发明提供一种磁存储器。该磁存储器包括存储道，其中形成多个磁畴，使得能够以阵列来存储每个由磁畴构成的数据位。存储道由非晶软磁材料形成。
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公开(公告)号：CN101026000A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710084953.0
申请日：2007-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/14
CPC classification number: G11C11/16 , G11C19/0808 , G11C19/0841 , G11C2213/77
Abstract: 本发明提供一种磁存储装置。所述磁存储装置包括：记录层、参考层、第一输入部分以及第二输入部分。所述记录层具有垂直磁化方向和多个磁畴，且所述参考层对应于记录层的一部分并具有被钉扎磁化方向。所述记录层具有其中形成多个数据位区的数据存储单元，每个数据位区由磁畴构成。所述磁畴与参考层的有效尺寸相对应。第一输入部分输入写入信号和读取信号中的至少一个。第二输入部分电连接到记录层并输入磁畴运动信号以将记录层的数据位区中存储的数据移动到相邻数据位区。
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公开(公告)号：CN1866395A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200510129769.4
申请日：2005-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/15
Abstract: 本发明公开了一种磁随机存取存储(MRAM)器件及其控制和制造方法。所述器件的示范性实施例包括：具有自由层的磁隧道结；具有覆盖自由层表面的第一部分的第一电极(第一磁场产生元件)，以及通过一连接而连接到第一电极的电源，该连接覆盖第一电极的的第一部分的不到一半。MRAM器件的另一示范性实施例包括：磁隧道结；在该磁隧道结的相对侧上直接连接到所述磁隧道结的第一和第二电极(第一和第二磁场产生元件)；以及电源，具有通过第一连接而连接到第一电极的一个极和通过第二连接而连接到第二电极的第二极，其中第一和第二连接从第一和第二电极与磁隧道结之间的连接横向偏移。
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公开(公告)号：CN1815769A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200510022966.6
申请日：2005-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3909 , G11B5/3929 , G11B2005/3996 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供使用TiN作为盖帽层的磁致电阻器件以及制造该磁致电阻器件的方法。该磁致电阻器件通过更简化的制造工艺被制造，且该磁致电阻器件具有更改进的稳定性和可靠性。
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