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公开(公告)号：CN104736261B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201380053723.1
申请日：2013-08-28
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
CPC classification number: A61L2/10 , A61L2202/14 , A61L2202/21 , F25D17/042 , F25D27/005 , F25D2317/0417
Abstract: 紫外辐射被指向区域中。位于该区域中的物品和/或该区域的一个或多个条件在一段时间上被监视。基于该监视，通过调整由紫外辐射源生成的紫外辐射的方向、强度、模式和/或频谱功率来控制紫外辐射源。对紫外辐射源的调整可以对应于包括存储期限保存操作配置、消毒操作配置和乙烯分解操作配置的多个可选择的操作配置中之一，每种操作配置可以包括对应的目标波长范围和/或目标强度范围。
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公开(公告)号：CN106449910A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610656173.8
申请日：2016-08-11
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
Abstract: 本公开涉及具有铁磁域的光电半导体装置。描述了具有一个或多个铁磁域的光电半导体装置和用于处理具有(一个或多个)铁磁域的(一个或多个)光电半导体装置的方法。在一个实施例中，光电半导体装置可以包括半导体结构，半导体结构具有衬底、形成在衬底之上的n型接触层、形成在n型接触层之上的有源层以及形成在有源层之上的p型接触层；以及位于半导体结构上的至少一个铁磁域。用于处理的方法可以包括将(一个或多个)光电半导体装置移动和/或组装为系统。
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公开(公告)号：CN106165126A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580015794.1
申请日：2015-02-23
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/12 , G06F17/505 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/46
Abstract: 提供了包含缓冲结构和邻近该缓冲结构的第一面形成的一组半导体层的半导体结构。该缓冲结构能够具有有效的晶格常数以及厚度使得该组半导体层内的总体应力在室温下为压缩性的并且在大约0.1GPa和大约2.0GPa之间的范围内。能够使用一组生长参数来生长该缓冲结构，该组生长参数经选择以实现目标有效的晶格常数a，控制在该缓冲结构的生长过程中存在的应力，和/或控制在冷却该半导体结构后存在的应力。
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公开(公告)号：CN105590999A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201610127836.7
申请日：2011-06-17
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/22 , H01L33/385 , H01L33/405 , H01L33/32
Abstract: 提供深紫外发光二极管，该深紫外发光二极管包含n型接触层和与n型接触层相邻的光产生结构。光产生结构包含量子阱组。接触层和光产生结构可被配置为使得n型接触层的能量与量子阱的电子基态能量之间的差值大于光产生结构的材料中的极性光学声子的能量。另外，光产生结构可被配置为使得其宽度与用于通过注入到光产生结构中的电子发射极性光学声子的平均自由程相当。二极管可包含阻挡层，该阻挡层被配置为使得阻挡层的能量与量子阱的电子基态能量之间的差值大于光产生结构的材料中的极性光学声子的能量。二极管可包含复合接触，该复合接触包含至少部分地对于由光产生结构产生的光透明的粘接层和被配置为反射由光产生结构产生的光的至少一部分的反射金属层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105518380A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480048772.0
申请日：2014-09-05
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
IPC: F21S2/00 , F21V7/00 , G02F1/13357 , G02B5/00
CPC classification number: A61L2/10 , A61L2202/14 , H05B33/0854 , H05B37/0227
Abstract: 提供了用于生成紫外线漫射辐射的解决方案。漫射紫外线辐射照射器包括位于包括多个表面的反射腔内的至少一个紫外线辐射源。所述多个表面当中至少一个可被配置为漫反射至少70％的紫外线辐射，并且所述多个表面中当中至少一个可被配置为透射至少30％的紫外线辐射并反射至少10％的紫外线辐射。
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公开(公告)号：CN105263531A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201480016435.3
申请日：2014-03-18
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
CPC classification number: A61L2/10 , A61L2202/14 , A61L2202/16
Abstract: 用于给可流动产品，诸如液体、混悬剂、霜剂、胶体、乳剂、粉末等等，以及与其相关的配件和产品，诸如容器、帽、刷子、敷抹器等等，消毒的解决方案。在实施例中，紫外线防渗帽被配置为封住对应于可流动产品的容积。至少一个紫外线辐射源可以被安装在帽上并且被配置为产生用于给被封区域消毒的紫外线辐射。紫外线辐射源可被配置为只有在容积被紫外线防渗帽封住时才产生紫外线辐射。
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公开(公告)号：CN105163605A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201380056459.7
申请日：2013-08-28
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
CPC classification number: A61L2/10 , F25D17/042 , F25D2317/0417
Abstract: 紫外辐射被指向区域中。存储区域被扫描和监视所指定区中生物活性的存在。一旦识别出生物活性，紫外辐射就被指向，以杀菌和消毒存储区域中指定的区。
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公开(公告)号：CN105142682A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480016670.0
申请日：2014-03-18
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
IPC: A61L2/10
Abstract: 提供了一种将紫外辐射源安装到柔性基板上的解决方案。所述柔性基板能够具有至少0.1米-1的形变曲率。可以将柔性基板结合到现有的外壳内或者包含到所述外壳内。可以采用所述柔性基板作为用于对处于所述外壳内的一个或多个物品消毒的解决方案的部分。在这种情况下，在物品处于所述外壳内的时候，生成紫外线并指向所述物品。可以将用于紫外辐射源的布线嵌入到所述柔性基板内，并且所述柔性基板具有波导结构、紫外吸收表面或紫外反射表面的至少其中之一。可以采用控制系统管理外壳内的紫外辐射的生成。
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公开(公告)号：CN105050433A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201380053729.9
申请日：2013-08-28
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
IPC: A23L3/28
CPC classification number: A23L3/28 , A23L3/003 , A23L3/3409 , A61L2/10 , A61L2/24
Abstract: 紫外辐射被指向区域中。紫外辐射源的目标波长范围和/或目标强度范围可以对应于包括灭菌操作配置和保存操作配置的多个可选择的操作配置当中至少一个。
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