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公开(公告)号：CN101501822A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200780029411.1
申请日：2007-06-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C30B29/38 , B08B3/08 , H01L33/00 , B08B3/12
CPC classification number: C30B29/403 , B08B3/12 , C30B33/00 , C30B33/10 , H01L21/02052 , Y10T428/25
Abstract: 提供一种能够实现高质量外延膜的稳定生长的GaxIn1－xN衬底和用于获得GaxIn1－xN衬底的清洗方法。当GaxIn1－xN衬底具有2英寸直径时，存在于GaxIn1－xN衬底上且颗粒尺寸不小于0.2μm的颗粒数目不大于20。而且，在通过X射线光电子能谱法以10度的检测角获得的GaxIn1－xN衬底表面上的光电子能谱中，C1s电子和N1s电子峰面积之比(C1s电子的峰面积/N1s电子的峰面积)不大于3。
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公开(公告)号：CN101469452A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810188586.3
申请日：2008-12-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B23/005 , C30B29/403 , Y10T117/10
Abstract: 本发明涉及一种用于生长III族氮化物半导体晶体的方法以及用于III族氮化物半导体晶体的生长装置。一种用于生长III族氮化物半导体晶体的方法，其提供有以下步骤：首先，准备包括用于屏蔽来自在腔中材料(13)的热辐射的热屏蔽部的腔。然后，将材料(13)设置在腔中的热屏蔽部的一侧。接下来，通过加热要被升华的材料，将材料气体沉积在腔中热屏蔽部的另一侧，使得生长III族氮化物半导体晶体。
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公开(公告)号：CN101466878A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200680055009.6
申请日：2006-06-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38
CPC classification number: C30B23/005 , C30B29/403 , C30B35/002 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明提供了生长结晶度良好的第III族氮化物单晶的方法，所述方法具有优良的再现性，并提供了通过所述生长方法形成的第III族氮化物晶体。本发明的一个方面是在晶体生长容器(11)内生长第III族氮化物单晶(3)的方法，所述方法的特征在于，由金属碳化物形成的孔隙率为0.1％～70％的多孔体被用作所述晶体生长容器(11)的至少一部分。使用晶体生长容器(11)，可将晶体生长容器(11)内1％～50％的原料气体(4)经由多孔体中的孔而排放至晶体生长容器(11)的外部。
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公开(公告)号：CN100413102C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200510066894.5
申请日：2005-04-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供半导体发光装置，其中在活性层中自发电场的产生减小，从而能够提高亮度。半导体发光装置(1)装备有n-类型包层(3)；安置在n-类型包层(3)上的p-类型包层(7)；以及由氮化物构成并安置在n-类型包层(3)与p-类型包层(7)之间的活性层(5)，其中其特征在于通过正交于n-类型包层(3)和活性层(5)之间的界面的轴与活性层(5)的c-轴形成角度，以及通过正交于活性层(5)和p-类型包层(7)之间的界面的轴与活性层(5)的c-轴形成的角度，每个所述角度都大于零。
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公开(公告)号：CN1929090A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610110151.8
申请日：2006-08-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/7813 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/02647 , H01L29/2003 , H01L29/34 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L29/872 , H01L33/007 , H01L33/0079
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体器件的制作方法，在芯片分离通过晶片工艺在基板上制造的元件单元时，能够减少研磨、切断等工序，能够重复使用基板。采用预先确定形成封闭曲线的集合晶体生长速度慢的缺陷的缺陷集合区域(H)和晶体生长速度快的低缺陷区域(ZY)的位置的氮化物半导体缺陷位置控制基板(S)，在低缺陷区域(ZY)上器件的内部，以边界线到达缺陷集合区域(H)的方式，使氮化物半导体层(上层部(B))外延生长在氮化镓基板上，用激光照射或机械方法在上下方向横向同时分离缺陷位置控制基板(S)和生长层(上层部(B))，重复使用基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1694272A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510066894.5
申请日：2005-04-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供半导体发光装置，其中在活性层中自发电场的产生减小，从而能够提高亮度。半导体发光装置(1)装备有n－类型包层(3)；安置在n－类型包层(3)上的p－类型包层(7)；以及由氮化物构成并安置在n－类型包层(3)与p－类型包层(7)之间的活性层(5)，其中其特征在于通过正交于n－类型包层(3)和活性层(5)之间的界面的轴与活性层(5)的c－轴形成角度，以及通过正交于活性层(5)和p－类型包层(7)之间的界面的轴与活性层(5)的c－轴形成的角度，每个所述角度都大于零。
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公开(公告)号：CN104426382B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201410433065.5
申请日：2014-08-28
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
IPC: H02M5/06
Abstract: 本发明涉及变压器。一种分布常数型变压器，其被设置在具有频率f的AC电源和具有电阻值R的负载之间，并且包括：第一转换器，其连接到AC电源，并且具有长度λ/4；以及，第二转换器，其被设置在第一转换器的终端和负载之间，并且具有长度λ/4，其中，在频率f处的波长是λ。这样的变压器具有小尺寸和轻重量，并且不需要在传统变压器中使用的线圈和铁芯等。
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公开(公告)号：CN107078649A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580056287.2
申请日：2015-10-09
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
Abstract: 变压器包括：对于前级电路，开关串联单元，电容器以及接地电路径。开关串联单元包括构造为交替导通的奇数开关以及偶数开关，且作为整体并联至电源。假设相应开关的互连点以及开关串联单元两端处的点被认为是总计m个节点，则两端的点中的一个被认为是接地节点，电容器设置在合并奇数节点并将奇数节点引导至第一输出端口的第一电路径和合并偶数节点并将偶数节点引导至第二输出端口的第二电路径的至少一个电路径上，且存在电容器以便对应于除接地节点之外的至少(m‑1)个节点。接地电路径将接地节点直接连接至第一输出端口而无需插入的电容器。变压器还包括，对于后级电路，元件串联单元和电感器。元件串联单元由彼此串联并进行互相相反极性的传导操作的一对半导体元件组成。元件串联单元的两端中的一端连接至第一输出端口以及负载的接地端，同时元件串联单元的另一端连接至第二输出端口。电感器分别设置在将元件串联单元的非接地端引导至负载的接地端的第三电路径和将该对半导体元件的互连点引导至负载的非接地端的第四电路径上。
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公开(公告)号：CN102612758B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180004431.X
申请日：2011-05-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/035236 , B82Y20/00 , H01L31/03046 , H01L31/105 , H01L31/1844
Abstract: 提供一种半导体器件和光学传感器装置，每个都具有减小的暗电流和向着近红外中的更长波长扩展的探测灵敏度。而且，提供了一种半导体器件的制造方法。该半导体器件50包括：位于InP衬底1上的II型(InGaAs/GaAsSb)MQW结构的吸收层3，和位于MQW结构上的InP接触层5。在MQW结构中，GaAsSb的组分x(％)不小于44％，其厚度z(nm)不小于3nm，且满足z≥-0.4x+24.6。
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