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公开(公告)号:CN107208309A
公开(公告)日:2017-09-26
申请号:CN201680004997.5
申请日:2016-01-05
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B29/36 , C30B23/02 , C30B23/066 , C30B29/06 , C30B33/02 , C30B35/002 , C30B35/007
Abstract: 一种碳化硅单晶的制造方法,所述方法包括:将碳化硅原料填充到坩埚中的步骤(S01),所述碳化硅原料的流动性指数为70以上且100以下;和通过加热所述碳化硅原料而使所述碳化硅原料升华的步骤(S02)。
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公开(公告)号:CN107109694A
公开(公告)日:2017-08-29
申请号:CN201580069705.1
申请日:2015-12-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种晶体生长装置(50),其包含:腔室(20),所述腔室(20)包含进气口(21)、排气口(22)、焊接部、和被构造成能够用水冷却至少包括所述焊接部的部分的水冷部;与所述排气口(22)连接的排气泵(30);配置在所述排气口(22)与所述排气泵(30)之间的露点仪(40),并且所述露点仪(40)被构造成能够测定通过所述排气口(22)的气体的露点。
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公开(公告)号:CN103582950B
公开(公告)日:2016-07-20
申请号:CN201280025863.3
申请日:2012-05-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/12 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/16 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/049 , H01L21/3065 , H01L29/045 , H01L29/0623 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7813
Abstract: 一种衬底,其具有由具有多型4H的六方形单晶结构的半导体制成的表面(SR)。通过交替地设置具有(0-33-8)的平面取向的第一平面(S1)和连接到第一平面(S1)并且具有与第一平面(S1)的平面取向不同的平面取向的第二平面(S2)来构建衬底的表面(SR)。在衬底的表面(SR)上设置有栅绝缘膜。在栅绝缘膜上设置有栅电极。
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公开(公告)号:CN102257190B
公开(公告)日:2014-04-16
申请号:CN201080003672.8
申请日:2010-04-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36 , C23C16/32 , C23C16/42 , C30B25/20 , H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/80 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/861 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/7802 , B24B7/17 , B24B7/228 , B24B37/08 , B24B37/10 , C30B25/20 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/0243 , H01L21/02529 , H01L21/0465 , H01L29/02 , H01L29/045 , H01L29/063 , H01L29/0657 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/78 , H01L29/7813 , H01L29/808 , H01L29/8083 , H01L29/812 , H01L29/8122 , H01L29/8128 , H01L29/8611 , H01L29/872
Abstract: 提供了一种衬底、具有薄膜的衬底、用上述衬底形成的半导体器件以及制造所述半导体器件的方法,其中所述衬底实现了抑制由于衬底的弯曲而造成半导体器件加工精度的劣化。在衬底(1)中,主表面(1a)的直径为2英寸或更大,主表面(1a)弯曲度值为-40μm至-5μm,并且主表面(1a)的翘曲度值为5μm至40μm。优选衬底(1)的主表面(1a)的表面粗糙程度(Ra)的值为1nm或更小,并且优选主表面(1b)的表面粗糙程度(Ra)的值为100nm或更小。
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公开(公告)号:CN103582950A
公开(公告)日:2014-02-12
申请号:CN201280025863.3
申请日:2012-05-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/12 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/16 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/049 , H01L21/3065 , H01L29/045 , H01L29/0623 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7813 , H01L21/0475
Abstract: 一种衬底,其具有由具有多型4H的六方形单晶结构的半导体制成的表面(SR)。通过交替地设置具有(0-33-8)的平面取向的第一平面(S1)和连接到第一平面(S1)并且具有与第一平面(S1)的平面取向不同的平面取向的第二平面(S2)来构建衬底的表面(SR)。在衬底的表面(SR)上设置有栅绝缘膜。在栅绝缘膜上设置有栅电极。
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公开(公告)号:CN102782823A
公开(公告)日:2012-11-14
申请号:CN201180011867.1
申请日:2011-10-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/337 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/808
CPC classification number: H01L29/36 , H01L21/02447 , H01L21/02502 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/808
Abstract: 缓冲层(31)设置在衬底(30)上,由包含杂质的碳化硅制成,并且具有大于1μm且小于7μm的厚度。漂移层(32)设置在缓冲层(31)上,并且由具有比缓冲层(31)的杂质浓度小的杂质浓度的碳化硅制成。以此方式,能够提供一种包括具有所期望的杂质浓度和高结晶性的漂移层(32)的碳化硅半导体器件。
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公开(公告)号:CN101663741B
公开(公告)日:2012-11-07
申请号:CN200880013119.5
申请日:2008-10-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/28 , H01L21/337 , H01L29/04 , H01L29/201 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/808 , H01L21/047 , H01L29/045 , H01L29/0634 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/812
Abstract: 由六方晶系的SiC构成的衬底被制备成使得其主表面处于在该主表面和与(0001)面垂直的面之间的最小角度为一度以下的方向上,例如,在主表面和与(0001)面垂直的[0001]方向之间的最小角度为一度以下的方向上。在通过前述方法制备的衬底的一个主表面上形成横向半导体器件。因而,可以相对于其中由六方晶系的SiC构成的衬底的主表面处于沿着(0001)方向的方向上的横向半导体器件,可以显著提高击穿电压的值。
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公开(公告)号:CN102725849A
公开(公告)日:2012-10-10
申请号:CN201080003308.1
申请日:2010-01-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/28008 , H01L21/049 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/518 , H01L29/66068 , H01L29/7813
Abstract: 提供了一种碳化硅半导体器件(1),所述碳化硅半导体器件(1)包括半导体层(12),其由碳化硅制成并具有带沟槽(20)的表面(12a),所述沟槽(20)具有由以相对于{0001}面不小于50°且不大于65°的范围内的角度倾斜的晶面形成的侧壁(19);以及绝缘膜(13),其形成为接触所述沟槽(20)的所述侧壁(19)。在从所述沟槽(20)的所述侧壁(19)与所述绝缘膜(13)之间的界面起10nm的区域中的氮浓度的最大值不小于1×1021cm-3,并且所述半导体器件具有在所述沟槽(20)的所述侧壁(19)内的、相对于与 方向正交的方向±10°的范围内的沟道方向。还提供了一种碳化硅半导体器件的制造方法。
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公开(公告)号:CN102576659A
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201180004270.4
申请日:2011-06-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/02378 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02631 , H01L21/0475 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/66068
Abstract: 第一碳化硅衬底(11)具有与支撑部(30)相连接的第一背面(B 1)、与第一背面(B 1)相反的第一正面(T 1)以及将第一背面(B 1)和第一正面(T 1)彼此连接的第一侧面(S 1)。第二碳化硅衬底(12)具有与支撑部(30)相连接的第二背面(B2)、与第二背面(B2)相反的第二正面(T2)以及将第二背面(B2)和第二正面(T2)彼此连接的第二侧面(S2),并且在第一侧面(S 1)和第二侧面(S2)之间形成有间隙(GP)。封闭部(21)封闭间隙(GP)。由此,能够防止异物残留在复合衬底中提供的多个碳化硅衬底之间的间隙中。
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公开(公告)号:CN102449733A
公开(公告)日:2012-05-09
申请号:CN201080023785.4
申请日:2010-09-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/0475 , H01L21/187 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/66068
Abstract: 公开了一种碳化硅衬底制造方法,所述方法提供有以下步骤:准备包括碳化硅的基底衬底(10)和包括单晶碳化硅的SiC衬底(20);以及在所述基底衬底(10)和所述SiC衬底(20)之间形成作为导体的、包括碳的中间层(80)。由此将所述基底衬底(10)和所述SiC衬底(20)彼此接合。
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