公开(公告)号：CN107052284A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201610887505.3

申请日：2011-06-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永伦正 ,  内原武志 ,  沼野正祯 ,  大石幸广 ,  河部望

IPC: B22D11/06 ,  C04B35/582 ,  C04B35/583 ,  C04B35/565 ,  C04B35/80 ,  C04B35/83 ,  C04B41/87

Abstract: 本发明涉及连续铸造用喷嘴、连续铸造方法、铸造材料和镁合金铸造卷材。本发明提供一种适合于形成连续铸造用部件的复合材料，所述部件能够长时间铸造表面品质优异的铸造材料并且可以抑制金属熔融液流入到喷嘴和动模之间的间隙中。复合材料(喷嘴1)包含具有许多孔的多孔体2和在所述多孔体的表面部中与所述金属熔融液接触的部位的至少一部分中包含的填充材料。包含在多孔体2中的填充材料是选自氮化物、碳化物和碳的至少一种。

公开(公告)号：CN106715736A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201580049782.0

申请日：2015-09-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 大石幸广 ,  河部望 ,  宫永伦正 ,  弘荣介

IPC: C22C23/02 ,  B21B3/00 ,  B22D11/06 ,  B22D21/04 ,  C22C23/00 ,  C22F1/06 ,  C22F1/00

CPC classification number: C22C23/02 ,  B21B3/00 ,  B22D11/001 ,  B22D11/06 ,  B22D21/04 ,  C22C1/02 ,  C22C23/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/06

Abstract: 一种镁合金，其含有以质量％计1％以上且12％以下的Al和0.1％以上且5％以下的Mn并且具有含有Al和Mn的化合物的粒子分散在其中的结构。所述化合物的粒子的平均粒径为0.3μm以上且1μm以下，并且所述化合物的粒子的面积比例为3.5％以上且25％以下。

公开(公告)号：CN104674143B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201510023390.9

申请日：2011-03-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 沼野正祯 ,  宫永伦正 ,  内原武志 ,  大石幸广 ,  河部望

IPC: C22F1/06 ,  B22D11/124 ,  B22D11/22 ,  C22C23/00 ,  C22F1/00

CPC classification number: C22F1/00 ,  B21B3/003 ,  B21C47/04 ,  B21C47/26 ,  B21C47/326 ,  B22D11/001 ,  B22D11/124 ,  B22D11/22 ,  B22D41/50 ,  C21D8/021 ,  C21D9/68 ,  C22C23/00 ,  C22F1/06 ,  Y10T428/12292

Abstract: 本发明提供一种能够有助于提高高强度镁合金板的生产率的卷材和制造所述卷材的方法。关于通过将由金属形成的板材卷绕成圆筒形以制造卷材，从而制造卷材的方法，所述板材为从连续铸造机中排出的镁合金铸造材料，且其厚度t(mm)为7mm以下。在将板材(1)卷绕即将开始时的温度T(℃)控制在如下温度，并利用卷取机对所述板材(1)进行卷绕，在该温度下由板材(1)的厚度t和弯曲半径R(mm)表示的表面应变((t/R)×100)小于或等于所述板材(1)在室温下的伸长率。

公开(公告)号：CN101644871B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN200910164134.6

申请日：2009-08-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  宫永伦正 ,  山本喜之 ,  中幡英章

IPC: G02F1/365

CPC classification number: G02F1/3558 ,  G02F1/353 ,  G02F2001/3548

Abstract: 本发明提供一种制造波长变换器的方法和由此能够提高透射率的波长变换器。制造波长变换器(10a)的方法包括下列步骤。首先，生长晶体。然后，以使畴彼此相反的方式将所述晶体分割成两个以上的部分，从而形成第一晶体(11)和第二晶体(12)。接着，以形成畴相反结构且所述畴相反结构对于所述入射光束(101)满足准相位匹配条件的方式对所述第一晶体(11)和第二晶体(12)进行嵌合，在所述畴相反结构中所述第一晶体(11)和第二晶体(12)的极向沿光波导(13)周期性反转。

公开(公告)号：CN102137960B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN200980134190.3

申请日：2009-08-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 荒川聪 ,  宫永伦正 ,  樱田隆 ,  山本喜之 ,  中幡英章

IPC: H01L21/304 ,  C30B29/38 ,  B24B1/00 ,  C30B33/00

CPC classification number: H01L21/02021 ,  C30B25/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02389

Abstract: 一种制造氮化物衬底(10)的方法，其提供有以下步骤。首先，生长氮化物晶体。然后，从该氮化物晶体切割包括前表面(11)的氮化物衬底(10)。在该切割步骤中，切割氮化物衬底(10)，使得在与前表面(11)正交的轴和m轴或a轴之间形成的偏离角大于零。当在c轴方向上生长氮化物晶体时，在切割步骤中，沿着穿过氮化物晶体的前表面和后表面且没有穿过连接氮化物晶体的前表面的曲率半径中心与后表面的曲率半径中心的线段的平面，从氮化物晶体切割氮化物衬底(10)。

公开(公告)号：CN102099511B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN200980128007.9

申请日：2009-07-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永伦正 ,  水原奈保 ,  谷崎圭祐 ,  佐藤一成 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02389 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0254

Abstract: 本发明提供一种用于制造厚、高品质的AlGaN块状晶体的方法。本发明还提供了一种用于制造高品质的AlGaN衬底的方法。所述制造AlGaN块状晶体的方法包括如下步骤：首先，准备由AlaGa(1-a)N(0＜a≤1)制成的支撑衬底。接着，在所述支撑衬底上生长由AlbGa(1-b)N(0＜b＜1)制成的具有主面的块状晶体。所述支撑衬底的Al组成比(a)大于所述块状晶体的Al组成比(b)。所述制造AlGaN衬底的方法包括从上述块状晶体中切下一个以上由AlbGa(1-b)N(0＜b＜1)制成的衬底的步骤。

公开(公告)号：CN101484617B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN200780025231.6

申请日：2007-06-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 水原奈保 ,  川濑智博 ,  宫永伦正

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L21/203 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/02 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明提供了AlN晶体衬底的制造方法，由此能够制造大尺度、高品质的AlN晶体衬底；本发明提供了AlN晶体的生长方法，由此能够生长具有优异结晶度的大尺寸AlN；还提供了由通过该生长方法生长的AlN晶体构成的AlN晶体衬底。本发明提供了AlN晶体衬底的制造方法，包括：相对于异质衬底的直径r，利用升华法在异质衬底上生长厚度为0.4r以上的AlN晶体的步骤；和从距所述异质衬底不少于200μm的AlN晶体区域内形成AlN晶体衬底的步骤。另外，还提供通过升华法在利用该制造方法制造的AlN晶体衬底上生长AlN晶体的AlN晶体生长方法，并提供由通过该生长方法生长的AlN晶体构成的AlN晶体衬底。

公开(公告)号：CN102105835B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200980128974.5

申请日：2009-07-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  宫永伦正 ,  山本喜之 ,  中幡英章

IPC: G02F1/355 ,  G02F1/377

CPC classification number: G02F1/3775 ,  G02F1/3558 ,  G02F2202/101 ,  Y10T156/1075

Abstract: 本发明公开了一种具有提高的性能保持寿命的波长变换元件。也公开了一种制造波长变换元件的方法。波长变换元件(10a)具有光波导(13)，并对从所述光波导(13)的一端(13a)侧输入的入射光(101)的波长进行变换，使得从所述光波导(13)的另一端(13b)侧输出出射光(102)。所述波长变换元件(10a)包含由AlxGa(1-x)N(0.5≤x≤1)构成的第一晶体(11)和组成与所述第一晶体(11)相同的第二晶体(12)。所述第一晶体和第二晶体(11，12)形成畴相反结构，在所述畴反转结构中极化方向沿所述光波导(13)周期性反转。所述畴相反结构对于所述入射光(101)满足准相位匹配条件。所述第一晶体和第二晶体(11，12)中的至少一种晶体具有1×103cm-2以上且小于1×107cm-2的位错密度。

公开(公告)号：CN101680109B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200980000432.X

申请日：2009-03-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  水原奈保 ,  谷崎圭祐 ,  宫永伦正 ,  樱田隆 ,  中幡英章

IPC: C30B23/08 ,  C23C14/28 ,  H01L21/203

CPC classification number: C30B23/066 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0254

Abstract: 一种化合物半导体单晶制造装置(1)，具有：激光源(6)，所述激光源(6)能通过将激光束照射到原料上而使得所述原料升华；具有激光入口(5)的反应容器(2)，从所述激光源(6)输出的所述激光束能透过所述激光入口(5)而导入到所述反应容器的内部，且所述反应容器(2)能保持起始衬底(3)，所述起始衬底(3)使所述升华的原料发生再结晶；以及加热器(7)，所述加热器(7)能加热所述起始衬底(3)。通过将所述激光束照射到所述反应容器(2)内部的所述原料上对原料进行加热，由此使其升华，并将所述升华的原料在所述起始衬底(3)上再结晶以生长化合物半导体单晶。然后，利用所述激光束将所述化合物半导体单晶与所述起始衬底(3)分离。

公开(公告)号：CN102933334A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201180027677.9

申请日：2011-06-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永伦正 ,  内原武志 ,  沼野正祯 ,  大石幸广 ,  河部望

IPC: B22D11/06 ,  B22D11/00 ,  B22D21/04 ,  C04B41/85 ,  C04B41/87

CPC classification number: B22D11/001 ,  B22D11/0622 ,  B22D11/0642 ,  B22D11/10 ,  C04B35/117 ,  C04B35/52 ,  C04B35/565 ,  C04B35/581 ,  C04B35/806 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5059 ,  C04B41/5063 ,  C04B41/5064 ,  C04B41/87 ,  C04B2111/00879 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/5244 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/614 ,  C04B2235/616 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/9676 ,  C09D1/00 ,  C22C23/00 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/31678 ,  C04B35/10 ,  C04B41/4539 ,  C04B41/4572 ,  C04B41/5031

Abstract: 本发明提供一种适合于形成连续铸造用部件的复合材料，所述部件能够长时间铸造表面品质优异的铸造材料并且可以抑制金属熔融液流入到喷嘴和动模之间的间隙中。复合材料(喷嘴1)包含具有许多孔的多孔体2和在所述多孔体的表面部中与所述金属熔融液接触的部位的至少一部分中包含的填充材料。包含在多孔体2中的填充材料是选自氮化物、碳化物和碳的至少一种。