-
公开(公告)号：CN112575377A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011271507.2
申请日：2014-10-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明涉及碳化硅锭和碳化硅衬底的制造方法。本发明提供了一种碳化硅锭(1)，其包括端表面(1a)和与端表面(1a)相反端表面(1b)。在碳化硅锭(1)中，端表面(1a)和端表面(1b)在生长方向上彼此面对，并且所述生长方向上的氮浓度梯度不小于1×1016cm‑4且不大于1×1018cm‑4。
-
-
公开(公告)号：CN106471165A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201580035227.2
申请日：2015-06-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 川濑智博
CPC classification number: C30B23/06 , C30B23/025 , C30B29/36
Abstract: 一种碳化硅单晶的制造方法，所述方法包括以下步骤：准备具有粘接部(Bp)和阶梯部(Sp)的支撑构件(20b)，阶梯部(Sp)配置在所述粘接部(Bp)的周缘的至少一部分处；和在阶梯部(Sp)上配置缓冲材料。粘接部(Bp)和缓冲材料(2)构成支撑面(Sf)。此外，这种制造方法还包括以下步骤：在支撑面(Sf)上配置种晶(10)并将所述粘接部(Bp)与所述种晶(10)互相粘接；和在种晶(10)上生长单晶(11)。
-
公开(公告)号：CN102471921B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201080033399.3
申请日：2010-07-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B11/06 , C30B29/44 , H01L21/208
CPC classification number: C30B15/02 , C30B11/06 , C30B15/00 , C30B15/002 , C30B15/14 , C30B15/20 , C30B29/40 , C30B29/42 , C30B29/44 , Y10T117/1024
Abstract: 提供一种制造半导体晶体的方法，该方法包括：准备具有用于放置籽晶(8)和含杂质熔体(9)的底部(1b)以及具有设置于上部(1a)中并用于悬置由杂质浓度小于含杂质熔体(9)的杂质浓度的半导体材料制成的滴落原料块(11)的悬置部(2)的纵向容器(1)的步骤，以及在纵向容器(1)的纵向上建立温度梯度以熔化滴落原料块(11)，以及从接触籽晶(8)的一侧开始固化含杂质熔体(9)，同时将所制造的熔体(13)滴入含杂质容器(9)中，由此制造半导体晶体(12)。
-
公开(公告)号：CN101233265B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN200680027936.7
申请日：2006-07-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38
CPC classification number: C30B23/02 , C30B23/066 , C30B25/02 , C30B29/403 , Y10T428/2982
Abstract: 提供大直径跨距AlN晶体、生长AlN晶体的方法以及AlN晶体衬底，该AlN晶体可应用到不同类型的半导体器件，具有良好的结晶度。该AlN晶体生长方法是这样的一种方法，其中通过气相外延在放置在提供在反应腔内的晶体生长器皿(12)内的晶体生长室(24)内部的籽晶衬底(2)上生长AlN晶体(4)，并且其特征在于：在晶体生长期间，将含碳气体提供到晶体生长室(24)的内部。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105358744A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201480037439.X
申请日：2014-05-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36
CPC classification number: C30B23/025 , C30B23/00 , C30B23/02 , C30B29/36
Abstract: 在本发明中，制造碳化硅单晶衬底(10)的方法包括以下步骤。制备具有主表面(2a)并且由碳化硅制成的籽晶(2)，以及碳化硅原材料(3)。通过在维持在碳化硅原材料(3)中的任意两点之间的温度梯度为30℃/cm或更小的同时，升华碳化硅原材料(3)，使碳化硅单晶(1)在主表面(2a)上生长。籽晶(2)的主表面(2a)为{0001}面或相对于{0001}面具有10°或更小偏离角的面，并且主表面(2a)具有20/cm2或更大的螺旋位错密度。因此，提供能实现提高的晶体质量的碳化硅单晶衬底和其制造方法。
-
公开(公告)号：CN102906314A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180025287.8
申请日：2011-05-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B11/00
CPC classification number: C30B11/002
Abstract: 披露了一种热分解氮化硼容器，即使当所述热分解氮化硼容器的直径增大时，所述热分解氮化硼容器的横截面形状仍可保持为正圆，并且所述热分解氮化硼容器不易通过重复使用而变形。本发明的热分解氮化硼容器是用于晶体生长方法的热分解氮化硼容器，在所述方法中从所述容器的底部向着所述容器的开口固化容纳于纵向容器中的原料熔液。所述热分解氮化硼容器包括直径恒定部分，其横截面面积基本恒定，和台阶部分，其被配置在离开所述开口的预定位置处，并且所述容器的内径或外径在所述台阶部分改变。当面积与所述直径恒定部分的内横截面面积相同的正圆的直径为D，并且从所述开口到所述台阶部分的上端的距离为x时，满足D≥54mm和x≥5mm。当从所述直径恒定部分的下端到所述开口的长度为L时，优选地，满足5mm≤x≤L/3或5mm≤x≤D。
-
公开(公告)号：CN101442030B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200810177769.5
申请日：2008-11-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L23/00
CPC classification number: H01L29/2003 , C30B25/02 , C30B29/403
Abstract: 本发明提供了一种III族氮化物半导体晶体基板和半导体器件，该III族氮化物半导体晶体基板具有至少25mm且不大于160mm的直径。该III族氮化物半导体晶体基板的电阻率为至少1×10-4Ω·cm且不大于0.1Ω·cm。该III族氮化物半导体晶体沿直径方向的电阻率分布为至少-30％且不大于30％。该III族氮化物半导体晶体沿厚度方向的电阻率分布为至少-16％且不大于16％。
-
公开(公告)号：CN101440520A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810177773.1
申请日：2008-11-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B25/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02576 , H01L21/0237 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262
Abstract: 本发明涉及半导体晶体生长方法、半导体晶体基板及其制造方法。本发明公开了一种III族氮化物半导体晶体的生长方法，其包括步骤：准备下层基板，以及通过气相生长在该下层基板上通过利用四氯化硅(SiCl4)气体作为掺杂气体生长用硅掺杂的第一III族氮化物半导体晶体。第一III族氮化物半导体晶体的生长速率为至少200μm/h且不大于2000μm/h。
-
公开(公告)号：CN105745364A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201480061900.5
申请日：2014-10-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36 , B24B27/06 , B28D5/04 , C30B33/00 , H01L21/304
CPC classification number: B28D5/045 , B24B27/0633 , C30B23/02 , C30B23/025 , C30B29/36 , C30B33/00 , C30B33/06
Abstract: 提供了一种碳化硅锭(1)，其包括端表面(1a)和与端表面(1a)相反端表面(1b)。在碳化硅锭(1)中，端表面(1a)和端表面(1b)在生长方向上彼此面对，并且所述生长方向上的氮浓度梯度不小于1×1016cm?4且不大于1×1018cm?4。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
33
records
(took 0.035 seconds)
