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公开(公告)号：CN1211741A
公开(公告)日：1999-03-24
申请号：CN98116912.0
申请日：1998-09-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: B23K26/22 , B23K33/006 , G02B6/3801 , G02B6/4237
Abstract: 一种光学部件组装方法,其中第一(10)和第二(20)金属外罩分别支承第一和第二光学元件,两金属外罩在其连接表面(10b,20b)上彼此紧靠,并以激光束(31)照射使之焊接固定。其特点是,一金属外罩从另一金属外罩突出,激光束以倾斜于突出的金属外罩侧的入射角θ方向照射,以完成在彼此紧靠的金属外罩连接表面外周边上的点焊(30),从而将组装时光损失的增加量限制到极低。
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公开(公告)号：CN119968585A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202380062829.1
申请日：2023-09-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: G02B6/032
Abstract: 本公开的反谐振空芯光纤(100)具备：外侧包层(120)，具有沿着光纤中心轴(AX)延伸的管形状；以及多个内侧包层元件(121)，具有管形状，在被外侧包层(120)的内壁面(120a)包围的内部区域(120b)，以包围成为芯区域(110)的空间的方式与内壁面(120a)接触配置。另外，在内部区域(120b)的截面中，在包含多个内侧包层元件(121)的内部空间的、除多个内侧包层元件(121)所占的部分区域之外的剩余的区域，填充有在1μm以上且2μm以下的波段中具有比H2低的光吸收率且具有比Ne小的扩散系数的气体。
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公开(公告)号：CN104685591B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201380050609.3
申请日：2013-09-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种电容器用电极活性物质，所述电极活性物质包含多孔碳材料。所述多孔碳材料的BET比表面积为800m2/g以上。所述多孔碳材料的用CuKα射线得到的X射线衍射图像在2θ＝40°～50°处具有峰Pk，峰Pk包含归属于金刚石晶体的(111)面的峰Pd111的成分。当所述X射线衍射图像具有归属于石墨的(002)面的峰PG002时，PG002的强度IG002相对于Pk的强度Ik之比(IG002/Ik)为3.0以下。
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公开(公告)号：CN104411635B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201380032500.7
申请日：2013-05-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C01B33/021 , C01B32/05 , C01B32/97 , C25B1/26 , C25C3/34
CPC classification number: C01B33/033 , C01B32/00 , C01B32/05 , C01B33/021
Abstract: 本发明提供能够由稻壳制造金属硅及多孔碳的制造方法。金属硅及多孔碳的制造方法具备：第一工序S1，通过稻壳M1的加热处理而生成含有SiO2和C的稻壳炭M2；第二工序S4，使稻壳炭M4曝露于加热后的第一不活泼气体G2或还原性气体中的至少任意一种气体中而生成SiC；第三工序S5，使SiC曝露于含有Cl2气体的加热气氛中而生成SiCl4和多孔碳P1；第四工序S7，通过使SiCl4与Zn反应而生成金属硅P2和ZnCl2；以及第五工序S9，对ZnCl2进行电解而生成Zn和Cl2气体。将第五工序S9的Cl2气体用于第三工序S5，将第五工序S9的Zn用于第四工序S7。
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公开(公告)号：CN104203816B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201380018461.5
申请日：2013-03-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C01B31/02
Abstract: 本发明提供能够降低环境负荷并抑制生产成本的多孔碳材料的制造方法。该制造方法具备：使SiC与Cl2相互接触并进行加热处理而生成多孔碳材料的步骤；使在该步骤中与多孔碳材料一起生成的SiCl4与Zn反应而取出Si的步骤；使在该步骤取出的Si与C相互反应而生成SiC的步骤，还具备使通过SiCl4与Zn的反应生成的ZnCl2还原而取出Zn和Cl2的步骤。将这些步骤反复进行，并且，将通过生成SiC的步骤取出的SiC用于多孔碳材料的生成步骤，将通过使ZnCl2还原而取出的Cl2用于多孔碳的生成步骤，将通过使ZnCl2还原而取出的Zn用于SiCl4与Zn的反应步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104685591A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380050609.3
申请日：2013-09-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种电容器用电极活性物质，所述电极活性物质包含多孔碳材料。所述多孔碳材料的BET比表面积为800m2/g以上。所述多孔碳材料的用Cukα射线得到的X射线衍射图像在2θ＝40°～50°处具有峰Pk，峰Pk包含归属于金刚石晶体的(111)面的峰Pd111的成分。当所述X射线衍射图像具有归属于石墨的(002)面的峰PG002时，PG002的强度IG002相对于Pk的强度Ik之比(IG002/Ik)为3.0以下。
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公开(公告)号：CN104411635A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380032500.7
申请日：2013-05-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C01B33/021 , C01B31/02 , C01B31/36 , C25B1/26 , C25C3/34
CPC classification number: C01B33/033 , C01B32/00 , C01B32/05 , C01B33/021
Abstract: 本发明提供能够由稻壳制造金属硅及多孔碳的制造方法。金属硅及多孔碳的制造方法具备：第一工序S1，通过稻壳M1的加热处理而生成含有SiO2和C的稻壳炭M2；第二工序S4，使稻壳炭M4曝露于加热后的第一不活泼气体G2或还原性气体中的至少任意一种气体中而生成SiC；第三工序S5，使SiC曝露于含有Cl2气体的加热气氛中而生成SiCl4和多孔碳P1；第四工序S7，通过使SiCl4与Zn反应而生成金属硅P2和ZnCl2；以及第五工序S9，对ZnCl2进行电解而生成Zn和Cl2气体。将第五工序S9的Cl2气体用于第三工序S5，将第五工序S9的Zn用于第四工序S7。
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公开(公告)号：CN101573593A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200780048805.1
申请日：2007-12-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: G01K11/32 , G01D5/35303 , G01F1/661 , G01K11/00 , G01L1/242 , G01N21/0303 , G01N21/65 , G01P5/02 , G01P5/26
Abstract: 本发明涉及一种光传感技术，其用于利用布里渊散射现象，对存在于微细构造物上或微细构造物中的对象物的物理量进行测定及控制。在该测定方法中，在微型化学芯片或IC芯片等元件上或元件中一维至三维地设置光波导路，基于该光波导路中产生的布里渊散射光的特性变化，测定对象物的物理量。
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公开(公告)号：CN101479205A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200780024094.4
申请日：2007-06-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C03B37/018 , G02B6/00
CPC classification number: C03B37/01807 , C03B2201/12 , C03B2201/20 , C03B2201/28 , C03B2201/31 , C03B2201/32 , C03B2207/86 , C03B2207/87 , C03C3/06 , C03C13/046 , C03C2203/40
Abstract: 本发明涉及能够实现以低成本降低铁杂质的含量的制造光纤母材的方法。该制造光纤母材的方法包括玻璃合成工序，该玻璃合成工序用于形成应该成为光纤的纤芯区的至少一部分的玻璃区域。该玻璃合成工序包括通过化学气相蒸镀法将含有Al元素的玻璃微粒沉积到玻璃管内的沉积工序以及由所得到的玻璃微粒沉积体制得透明玻璃体的透明化工序。即，在沉积工序中，通过将O元素和Al元素的含量比(O/Al)在20以下的原料气体供给到玻璃管内，从而在该玻璃管的内壁上合成得到玻璃微粒。此外，在透明化工序中，通过对玻璃微粒沉积体进行加热，由该玻璃微粒沉积体得到透明玻璃体。通过该透明化工序所形成的透明玻璃体成为纤芯区的一部分。
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公开(公告)号：CN100448122C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN00800230.4
申请日：2000-02-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S3/06708 , C03B37/01211 , C03B2201/10 , C03B2201/28 , C03B2201/34 , C03B2201/36 , C03B2203/22
Abstract: 本发明涉及具备用来在更宽的波段中实现平坦的增益特性或振荡特性的构造的光放大用光纤及其制造方法。本发明的光放大用光纤，具备含有光轴中心的第1掺杂区，和具有比该第1掺杂区还大的外径的第2掺杂区。作为具有与构成该光放大用光纤的主材料的阳离子的价数不同的价数的元素的氧化物，向该第2掺杂区内，添加进Al2O3、P2O5、Y2O3和B2O3中的至少一种氧化物，向上述第1掺杂区内，除上述氧化物之外，作为稀土族元素，还添加进Er、Nd、Tm、Yb和Pr中的至少一种元素。
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