晶片临时接合方法和薄晶片制造方法

    公开(公告)号:CN105742194A

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201510982698.6

    申请日:2015-12-24

    Abstract: 本发明提供经由临时接合配置体将晶片与支承体临时接合的方法。该配置体是复合临时粘合层,其由与晶片可脱离地接合的非有机硅热塑性树脂层(A)、在其上设置的热固性硅氧烷聚合物层(B)、和与支承体可脱离地接合的热固性硅氧烷改性聚合物层(C)组成。该方法包括下述步骤:提供晶片层叠体,该晶片层叠体具有已在晶片上形成的树脂层(A)上形成的热固性有机硅组合物层(B');提供支承体层叠体,该支承体层叠体具有在支承体上形成的含硅氧烷组合物层(C');和在真空中将层(B')和层(C')连接和加热以使这些层彼此接合和固化。

    半导体器件、其生产方法和层叠体

    公开(公告)号:CN109599371B

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN201811153534.2

    申请日:2018-09-30

    Abstract: 本发明公开半导体器件、其生产方法和层叠体。本文公开了半导体器件,其包括:支持体;在支持体上形成的双层粘合剂树脂层;在粘合剂树脂层上形成的绝缘层和再分布层;芯片层和成型树脂层,其中粘合剂树脂层包括含有能通过光照射分解的树脂的树脂层A和含有非有机硅系热塑性树脂的树脂层B,从支持体侧依次提供树脂层A和树脂层B,能通过光照射分解的树脂为在其主链中含有稠合环的树脂和非有机硅系热塑性树脂具有200℃以上的玻璃化转变温度。

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