公开(公告)号：CN104508893B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201380040875.8

申请日：2013-06-19

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 山本伸司 ,  田中秀明 ,  佐藤一

IPC: H01M10/052 ,  H01M4/505 ,  H01M4/52 ,  H01M10/0566

CPC classification number: H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/625 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/0567 ,  H01M10/0568 ,  H01M10/0569 ,  H01M2220/20 ,  H01M2300/0025 ,  Y02E60/122 ,  Y02T10/7011

Abstract: 在非水系有机电解液二次电池中，下式所示的正极与负极的对充电容量比(A/C)设定为1.10以上且1.35以下。A/C＝β×(负极充电容量×α)/(正极充电容量×η×τ)(式中的α是用负极面积/正极面积表示的电极面积系数，α＞1.0，β是设计系数，0.85≤β≤1.15，η表示(25℃下的充放电效率)/(55℃下的充放电效率)所示的充放电效率比，τ表示(55℃下的充电容量)/(25℃下的充电容量)所示的温度特性系数)。

公开(公告)号：CN105934847A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201480073896.4

申请日：2014-01-24

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 荻原航 ,  山本伸司 ,  田中秀明

IPC: H01M10/052 ,  H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/48 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525

Abstract: 本发明提供一种具有含有含硅负极活性物质的负极的锂离子二次电池等电器件，其能够更进一步提高循环耐久性。所述电器件具有包含单电池层的发电元件，该单电池层包含：在正极集电体的表面形成含有正极活性物质的正极活性物质层而得到的正极；在负极集电体的表面形成含有含硅负极活性物质的负极活性物质层而得到的负极；隔板。其中，该电器件以如下方式构成，在构成发电元件的单电池层的至少一层中，将负极活性物质层的面积设为A[m2]且将正极活性物质层的面积设为C[m2]时，满足式(1)：0.91≤C/A＜1。

公开(公告)号：CN105900276A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201480072587.5

申请日：2014-12-08

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 荻原航 ,  田中秀明

IPC: H01M10/058 ,  H01M4/13 ,  H01M4/38 ,  H01M4/48 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M10/052

Abstract: [课题]提供抑制由高容量且高电位的充放电导致的劣化的二次电池的制造方法。[解决手段]一种包含式(1)的正极固溶体活性物质的锂离子二次电池的制造方法，Li(2?0.5x)Mn1?xM1.5xO3(x为0

公开(公告)号：CN104471829A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201380036732.X

申请日：2013-05-22

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 荻原航 ,  田中秀明

IPC: H02J7/10 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M10/052 ,  H01M10/44

CPC classification number: H02J7/007 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M10/052 ,  H01M10/44 ,  H02J7/008 ,  Y02E60/122

Abstract: 一种二次电池的充电控制方法，其中，所述二次电池具备正极、负极、以及非水电解液，所述正极含有具有电阻随着SOC增加而增大的特性的正极活性物质来作为正极活性物质，所述二次电池的充电控制方法具备：以设定电流值A1进行恒电流充电直至指定的上限电压V1的步骤；达到所述上限电压V1后，在所述上限电压V1下进行恒电压充电的步骤；在所述恒电压充电的充电电流降低至截止电流值A2时，结束对所述二次电池的充电的步骤，将所述截止电流值A2设定为满足下述式(I)、(II)关系的电流值，截止电流值A2≥设定电流值A1×X(I)，X＝(目标SOC下二次电池的电池电阻值R1[Ω]/设定电流值A1[A])/上限电压V1[V] (II)。

公开(公告)号：CN100508213C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200710086928.6

申请日：2007-03-22

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 下井田良雄 ,  林哲也 ,  田中秀明 ,  山上滋春 ,  星正胜

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/267 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7828 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。减小具有异质结的半导体装置的场效应晶体管的阻抗。形成从多晶硅异质半导体区(与形成在SiC的基底区上的漏区形成异质结)的表面延伸到漏区的沟槽。此外，在远离沟槽的侧壁的位置形成栅绝缘膜、异质半导体区以及漏区相接处的场效应晶体管的驱动点。

公开(公告)号：CN101233618A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200680028008.2

申请日：2006-08-02

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 下井田良雄 ,  林哲也 ,  星正胜 ,  田中秀明 ,  山上滋春

IPC: H01L29/267 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L21/04 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/0445 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828

Abstract: 一种半导体装置，包括：第一导电类型的半导体基体；与所述半导体基体相接触的异质半导体区域；隔着栅极绝缘膜与所述异质半导体区域和所述半导体基体之间的接合部的一部分相邻的栅电极；连接至所述异质半导体区域的源电极；以及连接至所述半导体基体的漏电极。所述异质半导体区域具有与所述半导体基体的带隙不同的带隙。所述异质半导体区域包括第一异质半导体区域和第二异质半导体区域。在形成所述栅极绝缘膜之前形成所述第一异质半导体区域，在形成所述栅极绝缘膜之后形成所述第二异质半导体区域。

公开(公告)号：CN101218681A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200680024512.5

申请日：2006-06-26

Applicant: 日产自动车株式会社 ,  罗姆股份有限公司

Inventor： 下井田良雄 ,  田中秀明 ,  林哲也 ,  星正胜 ,  山上滋春 ,  川本典明 ,  鬼头孝之 ,  三浦峰生 ,  中村孝

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/267 ,  H01L21/04 ,  H01L29/772 ,  H01L29/24

CPC classification number: H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/772 ,  H01L29/7828

Abstract: 公开了一种半导体装置(20)的制造方法。所述半导体装置(20)包括：1)半导体衬底(1，2)；2)异质半导体区域(3)，其被配置为与半导体衬底(1，2)的第一主面(1A)接触，并且在带隙上与半导体衬底(1，2)不同；3)栅电极(7)，其通过栅极绝缘膜(6)与异质半导体区域(3)和半导体衬底(1，2)之间的接合部(13)的一部分接触；4)源电极(8)，其被配置为连接到异质半导体区域(3)；以及5)漏电极(9)，其被配置为与半导体衬底(1，2)进行欧姆连接。所述方法包括以下连续工序：i)形成栅极绝缘膜(6)；ii)氮化所述栅极绝缘膜(6)。

公开(公告)号：CN101207123A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200710160614.6

申请日：2007-12-21

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 林哲也 ,  星正胜 ,  田中秀明 ,  山上滋春

IPC: H01L27/088

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明公开了一种具有优良长期可靠性的半导体器件，其缓和布置在最外部处的开关结构中的电流集中。该半导体器件包括最外部开关结构和重复部分开关结构，该最外部开关结构和重复部分开关结构具有：异质半导体区，由带隙宽度与漂移区的带隙宽度不同的多晶硅形成，并与漂移区邻接；栅极绝缘膜；栅电极，邻接到栅极绝缘膜；源电极，连接到异质半导体区的源极接触部分；以及连接到衬底区的漏电极。在导通状态下，最外部开关结构包括以下机制：在最外部开关结构处流动的电流变得小于在重复部分开关结构处流动的电流。

公开(公告)号：CN101055894A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200710090575.7

申请日：2007-04-11

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 林哲也 ,  星正胜 ,  下井田良雄 ,  田中秀明 ,  山上滋春

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7808 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8618 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。将第二半导体区的杂质浓度设置为当对由第一半导体区和第二半导体区构成的异质结二极管施加预定反向偏压时，至少在异质结二极管的外周端以外的异质结区中的击穿电压是半导体装置的击穿电压。

公开(公告)号：CN1841682A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610066559.X

申请日：2006-03-30

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 山上滋春 ,  星正胜 ,  林哲也 ,  田中秀明 ,  下井田良雄

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7828

Abstract: 总的来说，本公开说明在反向偏压状态下表现出增大的电阻和减小的漏电流的半导体装置，还涉及用于制造该半导体装置的方法。例如，在一个实施例中，通过在形成于N－型外延层上的多晶硅层内引入P+或者P－型杂质来获得反向偏压状态下的增大电阻。另外，半导体装置维持正向偏压状态下的低电阻。为保持正向偏压电阻低，栅极附近的多晶硅层可以是N+型。此外，N+型源提取区形成在多晶硅层的表面，以将源极连接到漏极并维持正向偏压时的低电阻。