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公开(公告)号:JP2021107308A
公开(公告)日:2021-07-29
申请号:JP2019239460
申请日:2019-12-27
Applicant: 昭和電工株式会社
IPC: C01B39/38
Abstract: 【課題】低SiO 2 /Al 2 O 3 モル比で、メソポアを有しかつゼオライト本来の酸点の性能を損なわずに、速い交換速度を実現可能なメソポア含有MFI型ゼオライトの製造方法の提供。 【解決手段】原料MFI型ゼオライトをアルカリ水溶液中で加熱するアルカリ処理工程とアルカリ処理後のMFI型ゼオライトに残留するアルカリ元素を除去する工程とを含み、前記アルカリ水溶液の濃度が0.10〜0.55M、アルカリ処理温度が50〜120℃であり、前記原料MFI型ゼオライト1gあたり前記アルカリ水溶液を50〜200mL用い、前記原料MFI型ゼオライトのSiO 2 /Al 2 O 3 モル比が30以下であり、前記メソポア含有MFI型ゼオライトの、Al含有量が3.0〜8.0質量%、細孔径2〜100nmの全細孔容積が0.20〜0.80cm 3 /g、結晶化度が50%以上100%未満である、メソポア含有MFI型ゼオライトの製造方法。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JPWO2019208705A1
公开(公告)日:2021-05-13
申请号:JP2019017670
申请日:2019-04-25
Applicant: 昭和電工株式会社
IPC: C07C233/05 , B01J31/12 , C07C231/06
Abstract: 本発明のN,N−二置換アミドの製造方法は、ニトリルとアルコールとを触媒の存在下で反応させる方法であり、ニトリルがR 1 CN(R 1 は炭素原子数10以下のアルキル基または炭素原子数10以下のアリール基)で示される化合物、アルコールがR 2 OH(R 2 は炭素原子数10以下のアルキル基)で示される化合物、触媒がMXn(Mは酸化数nの金属カチオン、Xは−S(=O) 2 −R 3 (R 3 は炭素原子数10以下の炭化水素基、または炭化水素基中の水素原子の一部または全部がフッ素原子に置換された基)で表される置換スルホニル基を含む1価のアニオン、nは1〜4の整数)で示される金属塩、N,N−二置換アミドのカルボニル基中の炭素原子に結合する置換基がR 1 、アミド基中の窒素原子に結合する2つの置換基が同じR 2 である。
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公开(公告)号:JP2019188344A
公开(公告)日:2019-10-31
申请号:JP2018084751
申请日:2018-04-26
Applicant: 国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 昭和電工株式会社
Abstract: 【課題】ヒドロシランを脱水素縮合させてオリゴシランを製造する際に使用して経時的に性能が低下した、特定の遷移元素を含む触媒を再生させ、オリゴシラン製造用再生触媒を得る方法を提供する。 【解決手段】オリゴシラン製造用再生触媒の製造方法であって、ヒドロシランを脱水素縮合させてオリゴシランを製造する際に使用した劣化触媒に、400℃以上1100℃以下の温度で酸素ガス含有ガスを接触させる加熱処理工程、を含み、再生触媒がシリカ、アルミナ及びゼオライトからなる群より選択される少なくとも1種の担体並びに周期表第5族遷移元素及び第6族遷移元素からなる群より選択される少なくとも1種の遷移元素を含む、 ことを特徴とする、オリゴシラン製造用再生触媒の製造方法。 【選択図】なし
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公开(公告)号:JPWO2018056250A1
公开(公告)日:2019-07-04
申请号:JP2017033667
申请日:2017-09-19
Applicant: 昭和電工株式会社
IPC: C01B33/04
Abstract: 目的とするオリゴシランをより効率良く製造することができるオリゴシランの製造方法を提供することを目的とする。内部に触媒層を備えた連続式反応器にヒドロシランを含む流体を投入し、ヒドロシランからオリゴシランを生成させて、反応器からオリゴシランを含む流体を排出する反応工程を含むオリゴシランの製造方法において、反応工程が下記(i)〜(iii)の全ての条件を満たすことにより、目的とするオリゴシランをより効率良く製造することができる。 (i)ヒドロシランを含む流体の触媒層の入口における温度が、オリゴシランを含む流体の触媒層の出口における温度よりも高い温度である。 (ii)ヒドロシランを含む流体の触媒層の入口における温度が、200〜400℃である。 (iii)オリゴシランを含む流体の触媒層の出口における温度が、50〜300℃である。
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公开(公告)号:JP6478742B2
公开(公告)日:2019-03-06
申请号:JP2015059353
申请日:2015-03-23
Applicant: 昭和電工株式会社
IPC: C08G18/34 , C08G18/75 , C08G18/42 , C08G18/44 , C08G18/69 , C08G18/61 , C08F290/06 , C08F299/06 , C09D175/14 , C08G18/81
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公开(公告)号:JP6407148B2
公开(公告)日:2018-10-17
申请号:JP2015521414
申请日:2014-05-29
Applicant: 昭和電工株式会社
IPC: C08K3/04 , C08K3/08 , C08K3/10 , C08K7/04 , C08K9/02 , H01B1/22 , H01B1/00 , H05K1/09 , C08L101/12
CPC classification number: H01B1/22 , C08K3/04 , C08K3/041 , C08K3/042 , C08K3/044 , C08K3/045 , C08K3/046 , C08K3/08 , C08K2201/001 , C08K2201/016 , H01B13/003 , H05K1/095 , H05K3/1283 , H05K2201/0215 , H05K2201/0227 , H05K2201/0272 , H05K2201/0323 , H05K2203/102 , C08L63/00
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公开(公告)号:JP2018156946A
公开(公告)日:2018-10-04
申请号:JP2018089389
申请日:2018-05-07
Applicant: 昭和電工株式会社
CPC classification number: H05K1/0274 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , H01L51/0021 , H05K1/097 , H05K3/105 , H05K3/1216 , H05K3/1283 , H05K2201/0108
Abstract: 【課題】簡易に挟ピッチを実現することができる導電パターンの製造方法及び導電パターン形成基板を提供する。 【解決手段】基板10の少なくとも一方の主面の全部または一部の面に、金属ナノワイヤ層12を形成し、所定のパターンで透光部14aが形成されたマスク14を介してパルス光を照射し、上記所定パターン形状の領域で上記金属ナノワイヤ層12中の金属ナノワイヤを焼結し、上記所定パターン形状の領域に導電性を発現させる。これにより、任意のパターンの導電パターンを備える基板を簡易な工程で製造することができる。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JPWO2017057326A1
公开(公告)日:2018-08-30
申请号:JP2016078387
申请日:2016-09-27
Applicant: 昭和電工株式会社
CPC classification number: B22F9/24 , B22F1/0044 , B22F2009/245 , B22F2301/255 , B82Y40/00 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , G06F2203/04112 , H01B1/02
Abstract: 本願発明は、径が細く、且つ長さが長い金属ナノワイヤーの製造方法を提供することを目的とする。 本願発明の金属ナノワイヤーの製造方法は、イオン性誘導体と、ポリオールを溶媒として含む第一溶液を80−200℃に保ち、この第一溶液中に、金属塩と、ポリオールを溶媒として含む第二溶液を、上記第一溶液中のイオン性誘導体のハロゲン原子の総モル数と1分間に供給される金属塩の金属原子のモル数との比(1分間に供給される金属塩の金属原子のモル数/イオン性誘導体のハロゲン原子の総モル数)が10より小さくなるように供給するものである。また、上記イオン性誘導体は4級アンモニウム塩のハロゲン化物であり、金属塩は硝酸銀であるのが好適である。
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公开(公告)号:JPWO2017018427A1
公开(公告)日:2018-05-24
申请号:JP2017530888
申请日:2016-07-26
Applicant: 昭和電工株式会社
IPC: H01B13/00 , B32B15/08 , C08G18/34 , C08G18/83 , C08G59/48 , C08G65/48 , C08L63/00 , C08L71/10 , C08L75/04 , C08L101/02 , H01B5/00 , H01B5/14
Abstract: 【課題】基板との密着性、環境耐性および耐擦傷性が高い導電フィルムの製造方法及び導電フィルムを提供する。【解決手段】基板上に第1の官能基を含む第1の樹脂組成物を用いて第1の樹脂層を形成し(S1)、この第1の樹脂層が、導電材料が層の内部に沈み込まない程度に乾燥した後に(S2)、第1の樹脂層上に平面視において開口部を有する導電パターンを形成し(S3、S4)、導電パターンの少なくとも一部を被覆するように、上記第1の樹脂層の第1の官能基と共硬化可能な第2の官能基を含む第2の樹脂組成物を用いて第2の樹脂層を形成し、第1の樹脂層と第2の樹脂層とを共硬化させる(S5)。【選択図】図1
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