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公开(公告)号：CN105448376A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510786195.1
申请日：2015-11-16
Applicant: 长安大学
IPC: G21H1/06
CPC classification number: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种采用α放射源的碳化硅肖特基结型同位素电池及其制造方法，目的在于：提升输出功率和能量转化效率，提高封装密度，本发明的电池所采用的技术方案为：包括由SiC基片构成的衬底，衬底上部设置有N型SiC外延层，所述N型SiC外延层上设有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述若干个台阶的顶部中间位置均开设有凹槽，凹槽内设置有N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上端设置有N型欧姆接触电极，所述N型欧姆接触电极的形状与所述N型SiC欧姆接触掺杂区形状相同，所述N型欧姆接触电极两侧的台阶顶部位置上设置有α放射源；所述相邻台阶之间的沟槽底部设置有肖特基接触电极。
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公开(公告)号：CN103033276B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210580213.7
申请日：2012-12-27
Applicant: 长安大学
IPC: G01K7/01 , H01L29/872 , H01L29/47
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅温度传感器及其制造方法，其传感器包括衬底和设在衬底上部的N型SiC外延层，N型SiC外延层上部设有圆形肖特基接触电极，N型SiC外延层上位于肖特基接触电极的外侧设有圆环形N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上部设有欧姆接触电极，位于欧姆接触电极与肖特基接触电极之间以及欧姆接触电极外围的N型SiC外延层上部均设有二氧化硅层；其制造方法包括步骤：一、提供衬底，二、外延生长N型SiC外延层，三、形成N型SiC欧姆接触掺杂区，四、形成二氧化硅层，五、形成欧姆接触电极，六、形成肖特基接触电极，七、热退火。本发明设计合理，线性度和封装密度好，有利于集成，推广应用价值高。
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公开(公告)号：CN206311601U
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201621354231.3
申请日：2016-12-09
Applicant: 长安大学
IPC: G01N33/24
Abstract: 本实用新型公开了一种粗颗粒盐渍土盐胀和溶陷多功能试验装置，目的在于，适用于开放系统下，且适应范围广、自动化程度高、测试数据准确，所采用的技术方案为：包括工作台，工作台上设置有用于放置土样的有机试筒，有机试筒外设有保温层，有机试筒底部连接有补水装置，有机试筒底部设置透水石，有机试筒内预埋有若干个TDR探头，TDR探头连接至数据采集与控制系统，有机试筒的顶部和底部连接有冻融循环装置，所述工作台上设置有固定架，固定架上设置有滑动机构，滑动机构上设置压力头，压力头位于有机试筒顶部的上端，所述滑动机构上还设置有用于压实土样的击实装置。
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公开(公告)号：CN203011560U
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201220734974.9
申请日：2012-12-27
Applicant: 长安大学
IPC: G01K7/01 , H01L29/872 , H01L29/47
Abstract: 本实用新型公开了一种碳化硅温度传感器，包括由N型SiC基片构成的衬底和设置在衬底上部的N型SiC外延层，N型SiC外延层上部中间位置处设置有圆形的肖特基接触电极，N型SiC外延层上位于肖特基接触电极的外侧设置有圆环形的N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上部设置有圆环形的欧姆接触电极，N型SiC欧姆接触掺杂区、欧姆接触电极和肖特基接触电极同心设置，位于欧姆接触电极与肖特基接触电极之间的N型SiC外延层上部，以及位于欧姆接触电极外围的N型SiC外延层上部均设置有二氧化硅层。本实用新型设计新颖合理，线性度和封装密度好，有利于集成，工作可靠性高，实用性强，应用范围广，推广应用价值高。
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公开(公告)号：CN202662614U
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201220260708.7
申请日：2012-06-05
Applicant: 长安大学
IPC: H01L29/812 , H02M7/537 , H02M3/155
CPC classification number: Y02B70/1483
Abstract: 本实用新型公开了一种JFET及使用该JFET的微型逆变器，其JFET包括衬底和设在衬底上的SiC外延层，SiC外延层的上半部分为台阶状且为JFET的N型SiC沟道层，SiC外延层的下半部分为JFET的SiC漂移层，N型SiC沟道层的上部设有N型SiC欧姆接触层，衬底的下部设有漏极欧姆接触电极，N型SiC沟道层的上部设有源极欧姆接触电极，SiC漂移层的上部和N型SiC沟道层的侧壁上设有两个栅极肖特基接触电极；其微型逆变器包括电容C1、C2和C3，电感L1，JFET1、JFET2和JFET3，以及碳化硅肖特基二极管D1、D2、D3和D4。本实用新型设计新颖合理，实现方便，提高了微型逆变器的工作频率和工作可靠性，降低了电能损耗和电价。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN220194661U
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202321751859.7
申请日：2023-07-05
Applicant: 中国建筑一局(集团)有限公司 , 长安大学
IPC: B01F31/441 , B01F35/12
Abstract: 本实用新型涉及固化剂生产技术领域，尤其为一种湿陷性黄土固化剂生产设备，包括反应罐、壳体和下料斗，所述反应罐上端固定连接有进料管，所述进料管上端固定连接有下料斗，所述进料管滑动连接有盛放板，所述盛放板开设有盛放槽，所述进料管左侧内部滑动连接有挡板，所述挡板上端固定连接有滑动块，所述滑动块上端固定连接有弹簧，所述弹簧上端固定连接有弹簧固定板，本实用新型中，通过设置的第一电机、齿轮和齿条，可以带动第二电机、转动杆和刮板可以向上运动，防止在下料的过程中，刮板停留在下料斗中，影响下料的速度，同时通过设置的限位块，防止齿条在上下运动的过程中，导致齿条脱离壳体，导致第二电机、转动杆和刮板掉落。
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公开(公告)号：CN206349367U
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201620669188.3
申请日：2016-06-28
Applicant: 长安大学
Abstract: 本实用新型公开了一种碳化硅功率晶体管，目的在于，能够降低器件开态电阻、提升功率特性，具有实用性强优点，结构所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的第二P型欧姆接触电极、P型SiC衬底、N型SiC缓冲层、N型SiC漂移层和N型SiC电流增强层，N型SiC电流增强层上刻蚀形成有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，台阶的顶端设置有N型SiC欧姆接触层，N型SiC欧姆接触层的上部设置有N型欧姆接触电极，沟槽内设置有P型SiC欧姆接触区，P型SiC欧姆接触区与台阶侧面和沟槽的底部接触，位于沟槽底部的P型SiC欧姆接触区的上部设置有第一P型欧姆接触电极。
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公开(公告)号：CN206210802U
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201620670488.3
申请日：2016-06-28
Applicant: 长安大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/161 , H01L29/74 , H01L21/332
Abstract: 本实用新型公开了一种碳化硅静电感应器件，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的第二N型欧姆接触电极、N型SiC衬底、P型SiC缓冲层、P型SiC漂移层和P型SiC电流增强层，P型SiC电流增强层上刻蚀形成有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，台阶顶部设置有P型SiC欧姆接触层，P型SiC欧姆接触层上部设置有P型欧姆接触电极，沟槽内设置有N型SiC欧姆接触区，N型SiC欧姆接触区与台阶侧面、沟槽底部和P型SiC欧姆接触层均接触，位于沟槽底部的N型SiC欧姆接触区的上部设置有第一N型欧姆接触电极。
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公开(公告)号：CN207663088U
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201721821739.4
申请日：2017-12-23
Applicant: 长安大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于波导光栅耦合器的光偏振态检测芯片，包括具有光栅区域以及四个输出端口的波导光栅耦合器，波导光栅耦合器的四个输出端口划分为相互垂直的两组，两组输出端口分别通过第一单模波导连接同一个多模干涉耦合器，并分别通过第二单模波导连接两个第一光电探测器；所述的第一单模波导、第二单模波导与波导光栅耦合器的输出端口之间均通过模式转换器连接；所述的多模干涉耦合器通过两个第三单模波导连接两个第二光电探测器。本实用新型所涉及的器件基于光波导器件，能够集成在同一衬底上，具有较高的集成度，能够在光通信、片上/片间光互连领域得到应用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN205264349U
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201520911612.6
申请日：2015-11-16
Applicant: 长安大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本实用新型公开了一种肖特基辐射伏特电池，目的在于：提升输出功率和能量转化效率，提高封装密度，所采用的技术方案为：包括由SiC基片构成的衬底，衬底上部设置有N型SiC外延层，所述N型SiC外延层上设有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述若干个台阶的顶部中间位置注入有N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上端设置有N型欧姆接触电极，所述N型欧姆接触电极的形状与所述N型SiC欧姆接触掺杂区形状相同，所述N型欧姆接触电极两侧的台阶顶部位置上设置有α放射源；所述相邻台阶之间的沟槽底部设置有肖特基接触电极。
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