발광소자, 그 제조방법 및 조명시스템
    41.
    发明公开
    발광소자, 그 제조방법 및 조명시스템 审中-实审
    发光装置,其制造方法和照明系统

    公开(公告)号:KR1020140136213A

    公开(公告)日:2014-11-28

    申请号:KR1020130056449

    申请日:2013-05-20

    Inventor: 이헌 조중연

    CPC classification number: H01L33/22 B82Y20/00 H01L33/0079 H01L2933/0091

    Abstract: 실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다.
    실시예에 따른 발광소자는 기판(70); 상기 기판(70) 상에 제2 도전형 반도체층(13); 상기 제2 도전형 반도체층(13) 상에 활성층(12); 상기 활성층(12) 상에 제1 도전형 반도체층(11); 및 상기 제1 도전형 반도체층(11) 상에 상부와 하부의 폭이 다른 광추출 나노패턴(25);을 포함할 수 있다.

    Abstract translation: 本发明的实施例涉及照明装置,其制造方法,发光装置封装和照明系统。 根据本发明实施例的发光器件包括:衬底(70),形成在衬底(70)上的第二导电半导体层(13),形成在第二衬底上的有源层(12) 导电半导体层(13),形成在有源层(12)上的第一导电半导体层(11)和形成在第一导电半导体层(11)上的光提取纳米图案(25)。 其中,光提取纳米颗粒的上部宽度与光提取纳米图案的较低宽度不同。

    알루미늄 표면 처리 방법
    42.
    发明授权
    알루미늄 표면 처리 방법 有权
    处理铝表面的方法

    公开(公告)号:KR101460438B1

    公开(公告)日:2014-11-12

    申请号:KR1020130036587

    申请日:2013-04-04

    Inventor: 이헌 최학종

    Abstract: 알루미늄 표면 처리 방법에 있어서, 식각액 및 상기 식각액 내에 이온화 가능한 금속을 포함하는 금속 전구체를 포함하는 용액을 준비한다. 이후, 상기 용액 내에 알루미늄 기재를 딥핑하여 상기 알루미늄 기재의 표면을 무전해 식각하는 동시에 상기 표면에 상기 금속을 무전해 증착함으로써 상기 알루미늄 기재의 표면 거칠기를 증가시킨다.

    기판 구조물의 형성 방법 및 투명 전극체의 제조 방법
    43.
    发明公开
    기판 구조물의 형성 방법 및 투명 전극체의 제조 방법 无效
    形成基板结构的方法和制造透明电极的方法

    公开(公告)号:KR1020130125597A

    公开(公告)日:2013-11-19

    申请号:KR1020120049242

    申请日:2012-05-09

    Inventor: 이헌 한강수

    Abstract: A substrate structure formation method forms an SOG layer, which includes a solvent, on a transparent substrate on which a nano-sized fine pattern is formed; pressurizes the SOG layer with a mold in which the solvent is permeable; forms a flattening layer on the transparent substrate; and separates the mold from the flattening layer. As a result, the flattening layer is formed on the transparent substrate on which the nano-sized fine pattern is formed. [Reference numerals] (AA) Start;(BB) End;(S10) Form an SOG layer on the surface of a patterned substrate;(S12) Pressurize the SOG layer with a mold to form a flattening layer;(S14) Separate the mold from the flattening layer

    Abstract translation: 基板结构形成方法在其上形成有纳米尺寸的精细图案的透明基板上形成包含溶剂的SOG层; 用溶剂可渗透的模具对SOG层加压; 在透明基板上形成平坦化层; 并将模具与平坦化层分离。 结果,在形成有纳米尺寸的精细图案的透明基板上形成平坦化层。 (附图标记)(AA)开始;(BB)结束;(S10)在图案化基板的表面上形成SOG层;(S12)用模具加压SOG层以形成平坦化层;(S14) 模压从平整层

    이차전지의 음극 및 그 제조방법
    44.
    发明公开
    이차전지의 음극 및 그 제조방법 有权
    二次电池阳极及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020130004807A

    公开(公告)日:2013-01-14

    申请号:KR1020110066092

    申请日:2011-07-04

    Abstract: PURPOSE: A lithium secondary battery is provided to by limiting volume expansion and reduction due to charging and discharging into respective wires through a negative electrode structure formed of silicon nanowires. CONSTITUTION: A lithium secondary battery comprises a silicon substrate arranged at constant intervals to separate silicon wires(112) without interference to each other. The thickness of the silicon wire is 100-1000 nm. A lithium secondary battery(100) comprises: the negative electrode for the lithium secondary battery; a positive electrode(120) which comprises a positive electrode active material capable of injecting dissociating lithium ions; a separator(130) separating a negative electrode part and positive electrode part; and a case accepting the negative electrode, the positive electrode part and the separator and storing liquid electrolyte to enable lithium ions to move.

    Abstract translation: 目的:通过限制由于通过由硅纳米线形成的负极结构对各自的电线进行充放电而引起的体积膨胀和减少的限制来提供锂二次电池。 构成:锂二次电池包括以恒定间隔布置的硅衬底,以分离硅线(112)而不彼此干涉。 硅线的厚度为100-1000nm。 锂二次电池(100)包括:用于锂二次电池的负极; 正极(120),其包含能够注入离解的锂离子的正极活性物质; 分离负极部分和正极部分的分离器(130); 以及接受负极,正极部分和分离器并储存液体电解质以使锂离子移动的壳体。

    투명 전도성 기판의 나노 패턴 형성방법
    45.
    发明授权
    투명 전도성 기판의 나노 패턴 형성방법 有权
    透明导电氧化物基板上纳米图案的制备方法

    公开(公告)号:KR101182383B1

    公开(公告)日:2012-09-12

    申请号:KR1020090082185

    申请日:2009-09-01

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 본 발명은 투명 전도성 기판의 나노 패턴 형성방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 투명 기판 표면이나 기판/투명 전극 계면에 나노 패턴을 형성하여 표면이나 계면에서 빛을 난반사시켜 내부 전반사 현상에 의한 발광효율을 증가시키는 투명 전도성 기판의 나노 패턴 형성방법에 관한 것이다.
    본 발명의 나노 패턴 형성 방법에 따르면, 기판과 투명전극층 사이에 나노급의 패턴이 효과적으로 형성되도록 함으로써, 소자 내의 층간 반사도를 낮춰 내부 전반사 현상에 의한 발광효율저하를 방지하는 등 소자의 효율성을 높일 수 있으며, 이 때 발생할 수 있는 표면 거칠기를 최소화할 수 있고, 투명전극의 전도도 감소도 최소화할 수 있다.
    투명기판, 투명전극, 나노패턴

    태양전지 및 그 제조방법
    46.
    发明授权
    태양전지 및 그 제조방법 有权
    太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:KR101116977B1

    公开(公告)日:2012-03-14

    申请号:KR1020100066767

    申请日:2010-07-12

    Inventor: 이헌 오상철

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 태양전지 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에 일 실시예에 따른 태양전지(1)의 제조방법은 (a) 기판(10)을 준비하는 단계; (b) 기판(10) 상에 금속 반사층(20)을 형성하는 단계; (c) 소정의 패턴(52)을 가지는 몰드(50)로 금속 반사층(20)을 나노 임프린팅 하여 금속 반사층(20) 상부에 요철 패턴(22)을 형성하는 단계; (d) 금속 반사층(20) 상에 반도체층(30)을 형성하는 단계; 및 (e) 반도체층(30) 상에 상부 전극(40)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

    Abstract translation: 公开了一种太阳能电池及其制造方法。 根据本发明实施例的制造太阳能电池1的方法包括以下步骤:(a)准备基板10; (b)在衬底(10)上形成金属反射层(20); (c)通过用具有预定图案52的模具50纳米压印金属反射层20在金属反射层20上形成凹凸图案22; (d)在金属反射层(20)上形成半导体层(30); (e)在半导体层(30)上形成上部电极(40)。

    광투과율 및 집광이 우수한 태양전지용 집광부재 및 그 제조방법
    47.
    发明授权
    광투과율 및 집광이 우수한 태양전지용 집광부재 및 그 제조방법 有权
    具有优异透射率和光凝结性的太阳能电池用阳光聚光装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR101065483B1

    公开(公告)日:2011-09-20

    申请号:KR1020090091931

    申请日:2009-09-28

    Inventor: 이헌 한강수

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 본 발명은 광투과율 및 집광이 우수한 태양전지용 집광부재 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 집광형 태양전지 모듈에 사용되는 집광렌즈인 프레넬 렌즈의 전면 또는 후면에 임프린트 및 엠보싱 방법으로 형성된 나노패턴을 포함하는 태양전지용 집광부재 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.
    본 발명에 따르면, 집광형 태양전지의 집광렌즈와 공기 계면에서의 빛의 반사를 감소시키는 것이 가능하여 광투과율 및 집광성능을 증가시켜 태양전지의 효율을 높일 수 있다. 또한, 나노패턴을 갖는 집광부재가 갖는 낮은 표면에너지의 특성으로 인해 태양전지의 집광부재에 자정작용이 부여되어 태양전지의 효율이 증가되고, 유지비용을 절감할 수 있다.
    태양전지, 프레넬 렌즈, 나노패턴, 광 투과율, 집광성능

    나노 공동을 포함하는 전도성 기판의 제조 방법, 나노 공동을 포함하는 표시 패널과 태양 전지 및 이의 제조 방법
    48.
    发明授权
    나노 공동을 포함하는 전도성 기판의 제조 방법, 나노 공동을 포함하는 표시 패널과 태양 전지 및 이의 제조 방법 有权
    制造具有纳米孔的电导率衬底的方法,具有纳米晶体的显示面板和太阳能电池的方法,其制造方法

    公开(公告)号:KR101064349B1

    公开(公告)日:2011-09-14

    申请号:KR1020090071008

    申请日:2009-07-31

    Inventor: 이헌 한강수

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 나노 공동을 포함하는 전도성 기판, 이를 포함하는 표시 패널과 태양 전지 및 이의 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 임프린트 몰드를 마련하는 단계; 상기 임프린트 몰드 상에 임프린트용 수지를 도포하는 단계; 상기 임프린트용 수지 상에 수용성 고분자 물질을 형성하고 상기 수용성 고분자 물질을 가압하는 단계; 상기 임프린트용 수지를 경화하여 나노 공동(nano cavities)을 포함하는 나노 공동층을 형성하는 단계; 상기 수용성 고분자 물질이 형성된 상기 나노 공동층을 상기 임프린트 몰드와 분리하는 단계; 상기 나노 공동층과 상기 수용성 고분자 물질을 전도성 기판에 형성하는 단계; 및 상기 수용성 고분자 물질을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 공동을 포함하는 전도성 기판의 제조 방법이 제공된다.
    나노 공동, 태양 전지, 표시 패널, 전도성 기판

    무반사 표면처리된 초박형 실리콘 기판 제조 방법
    49.
    发明授权
    무반사 표면처리된 초박형 실리콘 기판 제조 방법 有权
    非反射表面处理的超薄硅基板的制造方法

    公开(公告)号:KR100984093B1

    公开(公告)日:2010-09-30

    申请号:KR1020080086270

    申请日:2008-09-02

    Inventor: 이헌

    Abstract: 본 발명은 LCD, 태양전지 등에 이용할 수 있는 무반사 표면처리된 초박형 실리콘 기판 제조 방법에 관한 것으로, (a)모스 아이 패턴(Moth eye pattern)에 대응하는 반대패턴이 형성된 플레이트(plate) 상에 용융상태의 실리콘(Si)을 드롭(Drop)하는 단계; (b)닥터 블레이드 방법을 이용하여 상기 플레이트 상의 실리콘 두께를 균일화하는 단계; (c)상기 플레이트 상의 실리콘을 경화하는 단계; 및 (d)상기 경화된 실리콘을 상기 플레이트로부터 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

    Abstract translation: 本发明液晶显示器,涉及可用于或类似的处理的超薄硅衬底中,(a)MOS眼图案熔融状态的太阳能电池的制造方法的非反射面到板(板)相对应的(蛾眼图案)形成相反的模式 硅(Si); (b)使用刮刀法使所述板上的硅厚度均匀化; (c)固化板上的硅; (d)从板上分离固化硅。

    직접 ZnO 패터닝을 통한 고효율 태양전지 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 태양전지
    50.
    发明公开
    직접 ZnO 패터닝을 통한 고효율 태양전지 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 태양전지 无效
    使用ZNO的直接纳米方式制备相同的高效光伏及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020100022859A

    公开(公告)日:2010-03-03

    申请号:KR1020080081568

    申请日:2008-08-20

    Abstract: PURPOSE: A highly efficient photovoltaic and a method for fabricating the same using direct nano-patterning of Zno are provided to increase a junction region of a p-n junction. CONSTITUTION: A solar cell comprises a transparent substrate(200), a TCO layer(220), a ZnO nano pattern(230), a p type semiconductor layer(250), and a metal electrode(260). The TCO layer is formed on the transparent substrate. The ZnO nano pattern is directly patterned with a siloxane series mold for nanoimprint or the polymer hot embossed mold. The ZnO nano pattern is directly patterned on the TCO layer. The p type semiconductor layer is formed on the ZnO nano pattern. The metal electrode is respectively connected to the p type semiconductor layer and a ZnO nano pattern.

    Abstract translation: 目的:提供一种高效光伏及其制造方法,该方法使用Zno的直接纳米图案化以增加p-n结的结区域。 构成:太阳能电池包括透明基板(200),TCO层(220),ZnO纳米图案(230),p型半导体层(250)和金属电极(260)。 TCO层形成在透明基板上。 ZnO纳米图案用纳米压印的硅氧烷系列模具或聚合物热压花模具直接图案化。 ZnO纳米图案直接在TCO层上图案化。 在ZnO纳米图案上形成p型半导体层。 金属电极分别连接到p型半导体层和ZnO纳米图案。

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