Abstract:
실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다. 실시예에 따른 발광소자는 기판(70); 상기 기판(70) 상에 제2 도전형 반도체층(13); 상기 제2 도전형 반도체층(13) 상에 활성층(12); 상기 활성층(12) 상에 제1 도전형 반도체층(11); 및 상기 제1 도전형 반도체층(11) 상에 상부와 하부의 폭이 다른 광추출 나노패턴(25);을 포함할 수 있다.
Abstract:
알루미늄 표면 처리 방법에 있어서, 식각액 및 상기 식각액 내에 이온화 가능한 금속을 포함하는 금속 전구체를 포함하는 용액을 준비한다. 이후, 상기 용액 내에 알루미늄 기재를 딥핑하여 상기 알루미늄 기재의 표면을 무전해 식각하는 동시에 상기 표면에 상기 금속을 무전해 증착함으로써 상기 알루미늄 기재의 표면 거칠기를 증가시킨다.
Abstract:
A substrate structure formation method forms an SOG layer, which includes a solvent, on a transparent substrate on which a nano-sized fine pattern is formed; pressurizes the SOG layer with a mold in which the solvent is permeable; forms a flattening layer on the transparent substrate; and separates the mold from the flattening layer. As a result, the flattening layer is formed on the transparent substrate on which the nano-sized fine pattern is formed. [Reference numerals] (AA) Start;(BB) End;(S10) Form an SOG layer on the surface of a patterned substrate;(S12) Pressurize the SOG layer with a mold to form a flattening layer;(S14) Separate the mold from the flattening layer
Abstract:
PURPOSE: A lithium secondary battery is provided to by limiting volume expansion and reduction due to charging and discharging into respective wires through a negative electrode structure formed of silicon nanowires. CONSTITUTION: A lithium secondary battery comprises a silicon substrate arranged at constant intervals to separate silicon wires(112) without interference to each other. The thickness of the silicon wire is 100-1000 nm. A lithium secondary battery(100) comprises: the negative electrode for the lithium secondary battery; a positive electrode(120) which comprises a positive electrode active material capable of injecting dissociating lithium ions; a separator(130) separating a negative electrode part and positive electrode part; and a case accepting the negative electrode, the positive electrode part and the separator and storing liquid electrolyte to enable lithium ions to move.
Abstract:
본 발명은 투명 전도성 기판의 나노 패턴 형성방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 투명 기판 표면이나 기판/투명 전극 계면에 나노 패턴을 형성하여 표면이나 계면에서 빛을 난반사시켜 내부 전반사 현상에 의한 발광효율을 증가시키는 투명 전도성 기판의 나노 패턴 형성방법에 관한 것이다. 본 발명의 나노 패턴 형성 방법에 따르면, 기판과 투명전극층 사이에 나노급의 패턴이 효과적으로 형성되도록 함으로써, 소자 내의 층간 반사도를 낮춰 내부 전반사 현상에 의한 발광효율저하를 방지하는 등 소자의 효율성을 높일 수 있으며, 이 때 발생할 수 있는 표면 거칠기를 최소화할 수 있고, 투명전극의 전도도 감소도 최소화할 수 있다. 투명기판, 투명전극, 나노패턴
Abstract:
태양전지 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에 일 실시예에 따른 태양전지(1)의 제조방법은 (a) 기판(10)을 준비하는 단계; (b) 기판(10) 상에 금속 반사층(20)을 형성하는 단계; (c) 소정의 패턴(52)을 가지는 몰드(50)로 금속 반사층(20)을 나노 임프린팅 하여 금속 반사층(20) 상부에 요철 패턴(22)을 형성하는 단계; (d) 금속 반사층(20) 상에 반도체층(30)을 형성하는 단계; 및 (e) 반도체층(30) 상에 상부 전극(40)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
본 발명은 광투과율 및 집광이 우수한 태양전지용 집광부재 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 집광형 태양전지 모듈에 사용되는 집광렌즈인 프레넬 렌즈의 전면 또는 후면에 임프린트 및 엠보싱 방법으로 형성된 나노패턴을 포함하는 태양전지용 집광부재 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 집광형 태양전지의 집광렌즈와 공기 계면에서의 빛의 반사를 감소시키는 것이 가능하여 광투과율 및 집광성능을 증가시켜 태양전지의 효율을 높일 수 있다. 또한, 나노패턴을 갖는 집광부재가 갖는 낮은 표면에너지의 특성으로 인해 태양전지의 집광부재에 자정작용이 부여되어 태양전지의 효율이 증가되고, 유지비용을 절감할 수 있다. 태양전지, 프레넬 렌즈, 나노패턴, 광 투과율, 집광성능
Abstract:
나노 공동을 포함하는 전도성 기판, 이를 포함하는 표시 패널과 태양 전지 및 이의 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 임프린트 몰드를 마련하는 단계; 상기 임프린트 몰드 상에 임프린트용 수지를 도포하는 단계; 상기 임프린트용 수지 상에 수용성 고분자 물질을 형성하고 상기 수용성 고분자 물질을 가압하는 단계; 상기 임프린트용 수지를 경화하여 나노 공동(nano cavities)을 포함하는 나노 공동층을 형성하는 단계; 상기 수용성 고분자 물질이 형성된 상기 나노 공동층을 상기 임프린트 몰드와 분리하는 단계; 상기 나노 공동층과 상기 수용성 고분자 물질을 전도성 기판에 형성하는 단계; 및 상기 수용성 고분자 물질을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 공동을 포함하는 전도성 기판의 제조 방법이 제공된다. 나노 공동, 태양 전지, 표시 패널, 전도성 기판
Abstract:
본 발명은 LCD, 태양전지 등에 이용할 수 있는 무반사 표면처리된 초박형 실리콘 기판 제조 방법에 관한 것으로, (a)모스 아이 패턴(Moth eye pattern)에 대응하는 반대패턴이 형성된 플레이트(plate) 상에 용융상태의 실리콘(Si)을 드롭(Drop)하는 단계; (b)닥터 블레이드 방법을 이용하여 상기 플레이트 상의 실리콘 두께를 균일화하는 단계; (c)상기 플레이트 상의 실리콘을 경화하는 단계; 및 (d)상기 경화된 실리콘을 상기 플레이트로부터 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
PURPOSE: A highly efficient photovoltaic and a method for fabricating the same using direct nano-patterning of Zno are provided to increase a junction region of a p-n junction. CONSTITUTION: A solar cell comprises a transparent substrate(200), a TCO layer(220), a ZnO nano pattern(230), a p type semiconductor layer(250), and a metal electrode(260). The TCO layer is formed on the transparent substrate. The ZnO nano pattern is directly patterned with a siloxane series mold for nanoimprint or the polymer hot embossed mold. The ZnO nano pattern is directly patterned on the TCO layer. The p type semiconductor layer is formed on the ZnO nano pattern. The metal electrode is respectively connected to the p type semiconductor layer and a ZnO nano pattern.