-
-
-
-
公开(公告)号：KR100590569B1
公开(公告)日：2006-06-15
申请号：KR1020040009841
申请日：2004-02-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C12Q1/68
CPC classification number: C12Q1/6816 , B01L3/508 , B01L7/52 , B01L2300/0645 , B01L2300/0851 , B01L2300/18 , B82Y30/00 , C12Q1/6834 , C12Q1/686 , C12Q2565/607 , C12Q2565/537 , C12Q2561/113
Abstract: 실시간 중합효소연쇄반응 검사 방법이 개시된다. 본 발명의 중합효소연쇄반응 검사 방법은 복수의 전극을 구비한 반응기를 제조하고, 전극들 표면에 중합효소연쇄반응 프라이머를 고정시키며, 중합효소연쇄반응을 위한 혼합물을 반응기에 주입하여 중합효소연쇄반응이 전극의 표면에서 일어나게하면서 중합효소연쇄반응의 결과물에 대한 임피던스를 측정하는 단계를 포함하고, 반응기는 제1유리기판에 전극들을 만드는 단계; 제2유리기판에 반응실을 만드는 단계; 및 제1 및 제2유리기판들을 접합하는 단계에 의해 제조되는 것을 특징으로 한다.
-
公开(公告)号：KR100236713B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019960059062
申请日：1996-11-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/60 , H01L21/321
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2924/00012
Abstract: 범프 하부의 패드에 케미컬 또는 습기가 침투하는 것을 방지하는 반도체장치의 범프 형성방법에 관한 것이다.
본 발명은, 패드가 형성된 웨이퍼의 전면에 절연보호막을 형성한 후 상기 패드의 일부를 노출시키는 개구부를 형성하는 단계, 상기 개구부를 포함하는 웨이퍼 전면에 복수의 금속막을 적층하는 단계, 상기 개구부를 포함하는 상기 패드의 상측에 범프를 형성하는 단계, 상기 범프를 식각마스크로 하여 상기 최상층의 금속막을 식각하는 단계, 상기 소정의 패턴으로 식각된 최상층의 금속막을 식각마스크로 하여 그 하부의 금속막을 식각하는 단계; 및 상기 최상층의 금속막에 대하여 추가로 식각공정을 수행하는 단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 금속막 하부의 패드가 습기 또는 케미컬에 노출되는 것을 방지할 수 있고, 향후 패드 및 범프의 크기가 작아져도 고집적화된 반도체장치를 제조할 수 있는 효과가 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019980039944A
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019960059062
申请日：1996-11-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/60 , H01L21/321
Abstract: 범프 하부의 패드에 케미컬 또는 습기가 침투하는 것을 방지하는 반도체장치의 범프 형성방법에 관한 것이다.
본 발명은, 패드가 형성된 웨이퍼의 전면에 절연보호막을 형성한 후 상기 패드의 일부를 노출시키는 개구부를 형성하는 단계, 상기 개구부를 포함하는 웨이퍼 전면에 복수의 금속막을 적층하는 단계, 상기 개구부를 포함하는 상기 패드의 상측에 범프를 형성하는 단계, 상기 범프를 식각마스크로 하여 상기 최상층의 금속막을 식각하는 단계, 상기 소정의 패턴으로 식각된 최상층의 금속막을 식각마스크로 하여 그 하부의 금속막을 식각하는 단계; 및 상기 최상층의 금속막에 대하여 추가로 식각공정을 수행하는 단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 금속막 하부의 패드가 습기 또는 케미컬에 노출되는 것을 방지할 수 있고, 향후 패드 및 범프의 크기가 작아져도 고집적화된 반도체장치를 제조할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019980030400A
公开(公告)日：1998-07-25
申请号：KR1019960049793
申请日：1996-10-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김재정
IPC: H01L21/60
Abstract: 본 발명은 이상범프와 접촉하는 칩상의 본딩패드를 제거함으로써 조기에 범프의 불량여부를 검출할 수 있도록 이상범프의 본딩패드를 제거하는 범프 형성방법에 관한 것이다.
본 발명의 특징에 의하면 본딩패드가 형성된 웨이퍼 전면에 절연막을 도포하고 포토리소그래피법으로 상기 본딩패드 표면만 드러나도록 에칭하는 단계와, 전면에 장벽금속층을 도포하고 포토레지스트를 도포하여 포토리소그래피법으로 상기 본딩패드에 대응하는 상기 장벽금속층에 개구를 형성하는 단계와, 도금으로 상기 개구내에 범프를 형성시키는 단계와, 상기 포토레지스트를 제거하는 단계와, 상기 장벽금속층을 에칭하는 단계와, 상기 에칭된 장벽금속층 하부에 있는 상기 본딩패드를 에칭하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이상범프의 본딩패드를 제거하는 범프 형성방법이 개시된다. -
-
-
-
-
-
-
Search Results
64
records
(took 0.02 seconds)
