公开(公告)号：KR1020150143368A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：KR1020150084024

申请日：2015-06-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 해처라이언엠. ,  보우엔로버트씨. ,  키틀조지에이. ,  로더마크에스.

IPC: H01L29/15 ,  H01L29/778 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7781 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/122 ,  H01L29/22 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/785

Abstract: 변형채널영역을포함하는반도체장치가제공된다. 상기반도체장치는, 양자우물채널영역(quantum well channel region)를포함하되, 상기양자우물채널영역은, 상기채널영역의표면이반전된상태로바이어스될때, 상기채널영역의표면과인접하여형성되는최저표면산란도(surface roughness scattering)와관련되는최저에너지레벨(lowermost energy level)을갖는부등에너지레벨(unequal energy levels)을각각포함하는다수의등가형전자전도상태(equivalent-type electron conduction states)를변형-유도분할(strain-induced splitting)하는것이가능한우물두께(Tw)를포함한다.

Abstract translation: 提供了包括应变通道区域的半导体。 半导体器件包括量子阱沟道区域。 量子阱沟道区具有足够的厚度（TW），以产生多个等效电子传导状态的应变诱发分裂，包括相应的不等能级，其具有与邻近形成的最低表面粗糙度散射相关联的最低能级 当通道区域的表面被偏置成反转状态时，沟道区域的表面。