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公开(公告)号：KR2019950012670U
公开(公告)日：1995-05-17
申请号：KR2019930022197
申请日：1993-10-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박경수
IPC: H02K5/167
Abstract: 본고안은고속으로회전하는정류자모터의모터축에설치되는보올베어링을견고하게고정지지토록하는브라켓의구조에관한것이다. 그기술적인구성은, 모터축(1)의일단이화전가능하게삽입설치되는보올베어링(2)의외주연에베어링브라켓트(3)가착설된구조에있어서, 상기베어링브라켓트(3)는, 보올베어링(2)이내삽토록된베어링고정홈(4)이형성토록일단이절곡형성된단턱(5)이마련되어상기보올베어링(2) 외주연에탄성적으로착설되는구조로이루어진다. 따라서, 보올베어링을견고하게고정지지토록함은물론, 베어링브라켓트의탄성력에의해보올베어링의하중을완충시키며, 항상진원도를유지시킬수있는것이다.
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公开(公告)号：KR1020170006203A
公开(公告)日：2017-01-17
申请号：KR1020150096783
申请日：2015-07-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N21/488 , H04N5/44 , H04N21/45
CPC classification number: G06F17/211 , G06F3/04842 , G06F17/30707
Abstract: 뉴스콘텐트를수신하는튜너부; 및상기뉴스콘텐트를나타내는텍스트정보를추출하고, 상기추출된텍스트정보를미리생성된뉴스클러스터들과맵핑하여상기텍스트정보에대응하는뉴스클러스터를선택하고, 상기선택된뉴스클러스터의대표표현을사용자에게제공하는제어부를포함할수 있다.
Abstract translation: 电子设备包括：调谐器，被配置为接收新闻内容; 以及控制器，被配置为从所述新闻内容中提取文本信息，将所提取的文本信息映射到预先生成的新闻群集上，以选择与所述文本信息相对应的新闻群，并提供所选择的新闻群的代表性表达。
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公开(公告)号：KR1020150027413A
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：KR1020130105069
申请日：2013-09-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F1/26
CPC classification number: G01K7/01 , G01K2215/00
Abstract: 온도 센서, 이를 포함하는 장치 및 상기 온도 센서의 동작 방법이 개시된다. 본 발명의 온도 센서는, 프로세서의 외부로부터 공급되는 공급 전압을 상기 프로세서의 내부 회로로 제공하기 위한 전원 공급 라인; 및 상기 공급 전압을 이용하여 상기 프로세서 내부의 온도를 센싱하는 온도 센서를 포함한다.
Abstract translation: 公开了一种温度传感器，包括该温度传感器的装置和温度传感器的操作方法。 本发明中给出的温度传感器包括：电源线，其将从处理器外部提供的电源电压提供给处理器的内部电路; 以及温度传感器，其使用所提供的电压感测处理器的内部的温度。
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公开(公告)号：KR101065074B1
公开(公告)日：2011-09-15
申请号：KR1020040003253
申请日：2004-01-16
Applicant: 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 , 삼성전자주식회사 , 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
CPC classification number: G01N23/083 , H01J2237/2516
Abstract: 본 발명은 기판; 상기 기판상에 형성된 중원자를 포함하는 제1 결정질 박막;
상기 제1 결정질 박막 상부에 형성되며, 경원자를 포함하는 산화물 또는 질화물을 포함하며, 막 두께가 1 내지 5nm인 제1 비정질 박막; 및 상기 제1 비정질 박막 상부에 형성되며, 중원자를 포함하는 제2 결정질 박막을 포함하는 투과전자현미경 성분 맵핑용 표준시료 및 이를 이용한 투과전자현미경 성분 맵핑 방법을 제공한다.
본 발명의 표준시료를 활용하여 다층 나노 박막의 TEM EDS, EELS 맵핑 결과를 보정하는데 이용할 수 있을 뿐만 아니라, 맵핑 조건도 최적화시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020100007255A
公开(公告)日：2010-01-22
申请号：KR1020080067813
申请日：2008-07-11
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L31/03529 , Y02E10/50 , Y10S977/762 , Y10S977/774
Abstract: PURPOSE: A silicon nano wire containing silicon nano dot is provided to produce nano wire having improve various material property by controlling size, density, crystallization, and interval. CONSTITUTION: A silica nano wire contains silicon nano dot as a nano wire containing silica. The nano wire containing the silica comprises a core portion. The core portion contains silicon-rich oxide or metal nano dot. The silicon nano dot exists inside the nano wire except for the core portion. The diameter of the silicon nano dot is 1-10nm.
Abstract translation: 目的：提供含有硅纳米点的硅纳米线，以通过控制尺寸，密度，结晶度和间隔来制备具有改善各种材料性能的纳米线。 构成：二氧化硅纳米线含有硅纳米点作为含有二氧化硅的纳米线。 含有二氧化硅的纳米线包括核心部分。 芯部分含有富含氧的氧化物或金属纳米点。 硅纳米点存在于纳米线内，除了核心部分之外。 硅纳米点的直径为1-10nm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060029346A
公开(公告)日：2006-04-06
申请号：KR1020040078250
申请日：2004-10-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L24/75 , H01L21/67046 , H01L23/49816
Abstract: 본 발명은 솔더 볼 부착 설비에 관한 것으로, 솔더 볼이 안착된 프레임을 리플로우 장치로 이송하는 이송 장치에 이송 장치의 구동 벨트 표면에 부착된 에폭시 성형 수지 이물질을 제거하는 제거부를 포함시켜, 이와 같은 제거부가 구동 벨트의 표면과 직접 접촉하여 구동 벨트 표면의 이물질을 제거하는 것을 특징으로 하는 솔더 볼 부착 설비이다.
본 발명은 이와 같은 제거부를 이용하여 구동 벨트 표면의 이물질을 제거함으로써 리플로우 장치로 공급되는 프레임 및 솔더 볼 표면에 이물질이 부착되는 것을 방지하여 리플로우 장치에서 솔더 볼과 프레임 사이의 융착 과정에서 이물질이 같이 융착되는 것을 방지하고, 그에 따라 솔더링 품질을 개선하는 효과가 있다.
솔더 볼, 부착, 에폭시 성형 수지 이물질, 브러쉬, 구동 벨트, 솔더링, 리플로우-
公开(公告)号：KR1020050095014A
公开(公告)日：2005-09-29
申请号：KR1020040019993
申请日：2004-03-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/6773 , H01L21/67333
Abstract: 본 발명은, 빈 트레이를 적층하여 수납하는 빈 트레이 수납부와 이 빈 트레이 수납부에 수납된 빈 트레이를 소정높이의 작업대기 위치로 이동시키는 승강장치 및 빈 트레이를 작업대기 위치에서 지지 고정하는 작업대기용 버퍼를 포함하는 트레이 로딩/언로딩부와, 빈 트레이에 반도체 패키지를 수납시키는 반도체 패키지 수납부 및 빈 트레이를 작업대기용 버퍼로부터 반도체 패키지 수납부로 이송시키고, 반도체 패키지가 수납완료된 트레이를 회송시키는 이송레일을 갖는 이송부를 포함하는 반도체 패키지용 트레이 로딩/언로딩 장치에 있어서, 트레이 로딩/언로딩부는 작업대기 위치의 상부에 수납완료된 트레이가 적재되는 적재용 버퍼를 더 포함하고, 수납완료된 트레이를 적재용 버퍼까지 승강시켜 지지 및 적재되도록 작업대기 위치로부터 소� � 높이로 연장 형성된 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020050075885A
公开(公告)日：2005-07-25
申请号：KR1020040003253
申请日：2004-01-16
Applicant: 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 , 삼성전자주식회사 , 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
CPC classification number: G01N23/083 , H01J2237/2516 , B82B3/0047 , B82B3/0085 , G01N23/20091 , G01N2001/282 , Y10S977/881
Abstract: A standard sample for transmission electron microscopy (TEM) elemental mapping and a TEM elemental mapping method using the same are provided. The standard sample includes a substrate; a first crystalline thin film containing heavy atoms formed on the substrate; a first amorphous thin film having oxides or nitrides containing light atoms and having a thickness of 1-5 nm or 6-10 nm formed on the first crystalline thin film; a second crystalline thin film containing heavy atoms formed on the first amorphous thin film. The standard sample can be used to correct TEM, EDS and EELS mapping results of a multi-layered nanometer-sized thin film and to optimize mapping conditions.
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公开(公告)号：KR100492814B1
公开(公告)日：2005-06-02
申请号：KR1020030020541
申请日：2003-04-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: B29C45/768 , B29C45/02 , B29C45/462 , B29C2945/761 , B29C2945/76167 , B29C2945/76331 , B29C2945/76832 , Y10S53/90
Abstract: 본 발명은 패키지 몰딩 장치에 몰딩 테블릿을 공급하는 테블릿 공급 장치에서 테블릿의 불량 공급 여부를 감지하는 테블릿 감지 시스템에 관한 것이다. 본 발명의 테블릿 감지 시스템은 기계적 접촉 방식을 이용하여 몰딩 테블릿 공급 장치의 수납 구멍 안에 테블릿이 수납되어 있는지, 수납된 테블릿이 기준치에 적합한 크기를 갖는지 감지한다. 푸시 막대는 수납 구멍 위쪽에서 수납 구멍 안으로 삽입되어 수납 구멍 안에 수납된 테블릿의 크기 만큼 상승하며, 전기 전도성이 있는 물질로 이루어진 접촉부는 푸시 막대의 상부에 형성된다. 접촉부의 위쪽에는 절연판이 위치하며, 전기 전도성이 있는 물질로 이루어진 전도성 조립체는 절연판에 전기적으로 단절되어 형성된다. 전도성 조립체는 제어부와 전기적으로 연결된다. 수납 구멍 안에 기준치에 적합한 크기의 테블릿이 수납되어 있을 때, 접촉부가 전도성 조립체에 기계적으로 접촉하여 전도성 조립체를 전기적으로 연결시키며, 제어부가 이를 감지한다. 전도성 조립체는 절연판 하부면에 띄엄띄엄 형성된 전도성 패드이거나, 절연판을 관통하여 소정의 간격을 두고 형성된 한 쌍의 원통체 안에 각각 스프링을 개재하여 삽입된 플런저이다.
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公开(公告)号：KR100455273B1
公开(公告)日：2004-12-17
申请号：KR1019980005818
申请日：1998-02-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B7/26
Abstract: PURPOSE: A recording method of a phase change-type optical recording medium is provided to reduce a recording laser power according to a low heating temperature less than a melting point without a sudden changing process in which a solid state is changed into an amorphous state, thereby reducing a power necessary for recording while slowing down a material deterioration. CONSTITUTION: A state of a phase change recording layer is changed into an amorphous solid state from a crystalline solid state by heating through optical radiation corresponding to a heating temperature lower than a melting point of a material which configures the phase change recording layer(100). The phase change recording layer changed into the amorphous solid state is cooled so as to be hardened in the amorphous solid state(200).
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