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    실리콘 나노닷 함유 실리카 나노 와이어 및 그의 제조방법
    1.
    发明公开
    실리콘 나노닷 함유 실리카 나노 와이어 및 그의 제조방법 有权
    包含硅纳米线的二氧化硅纳米线及其制备方法

    公开(公告)号：KR1020100007255A

    公开(公告)日：2010-01-22

    申请号：KR1020080067813

    申请日：2008-07-11

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 박경수 ,  이은경 ,  이재학 ,  최병룡 ,  정재관 ,  허성

    IPC: B82B3/00 ,  C01B37/02

    CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L31/03529 ,  Y02E10/50 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/774

    Abstract: PURPOSE: A silicon nano wire containing silicon nano dot is provided to produce nano wire having improve various material property by controlling size, density, crystallization, and interval. CONSTITUTION: A silica nano wire contains silicon nano dot as a nano wire containing silica. The nano wire containing the silica comprises a core portion. The core portion contains silicon-rich oxide or metal nano dot. The silicon nano dot exists inside the nano wire except for the core portion. The diameter of the silicon nano dot is 1-10nm.

    Abstract translation: 目的：提供含有硅纳米点的硅纳米线，以通过控制尺寸，密度，结晶度和间隔来制备具有改善各种材料性能的纳米线。 构成：二氧化硅纳米线含有硅纳米点作为含有二氧化硅的纳米线。 含有二氧化硅的纳米线包括核心部分。 芯部分含有富含氧的氧化物或金属纳米点。 硅纳米点存在于纳米线内，除了核心部分之外。 硅纳米点的直径为1-10nm。

    도전체 및 그 제조 방법
    3.
    发明公开
    도전체 및 그 제조 방법 审中-实审
    导体及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020160095447A

    公开(公告)日：2016-08-11

    申请号：KR1020150016716

    申请日：2015-02-03

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 윤동진 ,  박성훈 ,  김성헌 ,  이향숙 ,  백운중 ,  권영남 ,  김용수 ,  정재관

    IPC: H01B1/02

    CPC classification number: H01L51/5206 ,  H01B1/22 ,  H01L21/32131 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/5234 ,  H01B1/02 ,  H01B13/0026

    Abstract: 복수의금속나노체를포함하고상기각 금속나노체를둘러싸는유기물이선택적으로제거되어있으며 1.1 이하의헤이즈, 550nm에서 85% 이상의광 투과도및 100Ω/sq. 이하의면저항을동시에만족하는도전체및 상기도전체를포함하는전자소자, 그리고금속나노체및 유기물을포함하는도전성필름을준비하는단계, 그리고클러스터이온빔 스퍼터링(cluster ion beam sputtering)을사용하여상기유기물을선택적으로제거하는단계를포함하는도전체의제조방법에관한것이다.

    Abstract translation: 本发明的一个实施例提供一种具有改善的电性能的导体。 本发明的另一实施例提供一种制造导体的方法。 本发明的另一实施例提供一种包括该导体的电子设备。 本发明涉及一种导体，其包含多个金属纳米结构，同时满足1.1或更低的雾度，85nm或更高的550nm光透射率和100 / sq。 或更低的表面电阻，并且从中选择性地除去环绕每个金属纳米结构的有机物质。 本发明涉及一种包括该导体的电子器件及其制造方法，包括制备包含金属纳米结构和有机物质的导电膜的步骤以及使用聚簇离子束溅射选择性除去有机物质的步骤。 因此，本发明能够改善导体的电气和光学特性。

    나노입자를 이용한 저항성 메모리 및 그 제조 방법
    4.
    发明公开
    나노입자를 이용한 저항성 메모리 및 그 제조 방법 无效
    电阻记忆，包括纳米颗粒及其形成方法

    公开(公告)号：KR1020090083094A

    公开(公告)日：2009-08-03

    申请号：KR1020080009062

    申请日：2008-01-29

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 임은경 ,  정재관 ,  박주철 ,  백인규 ,  심현준 ,  조금석

    IPC: H01L27/115 ,  B82Y10/00

    CPC classification number: H01L45/06 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0004 ,  H01L45/1233

    Abstract: A resistive memory including nanoparticle and formation method of the same are provided to control location and density of the conductive pathway changing the resistance of the dielectric layer by controlling the size, location and density of conductive nano particles. The resistivity memory comprises the switching element and storage cell. The storage cell is the lower electrode(110). The dielectric layer(120) including a plurality of conductivity nano particles(122) is formed on the lower electrode, and stores the information according to the change of the resistive state. The upper electrode(130) is formed on the dielectric layer. A plurality of conductivity nano particles is formed in an interface between the upper electrode and the dielectric layer and between the lower electrode and dielectric layer. The dielectric layer comprises the transition metal oxide. A plurality of conductivity nano particles has the size of 10Š ~ 200Š.

    Abstract translation: 提供包括纳米颗粒的电阻式存储器及其形成方法，以通过控制导电纳米颗粒的尺寸，位置和密度来控制导电通路的位置和密度来改变电介质层的电阻。 电阻率存储器包括开关元件和存储单元。 存储单元是下电极（110）。 在下电极上形成包含多个导电性纳米粒子（122）的电介质层（120），根据电阻状态的变化来存储信息。 上电极（130）形成在电介质层上。 在上电极和电介质层之间以及下电极和电介质层之间的界面中形成多个导电纳米颗粒。 电介质层包含过渡金属氧化物。 多种导电纳米颗粒的尺寸为10〜200μ。

    트랜지스터 및 상기 트랜지스터를 포함한 전자 장치
    6.
    发明公开
    트랜지스터 및 상기 트랜지스터를 포함한 전자 장치 有权
    包含晶体管的晶体管和电子器件

    公开(公告)号：KR1020110064701A

    公开(公告)日：2011-06-15

    申请号：KR1020090121407

    申请日：2009-12-08

    Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

    Inventor： 이재철 ,  이창승 ,  오세정 ,  베나야드아나스 ,  정재관 ,  이은하 ,  김상욱

    IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136

    CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66742

    Abstract: PURPOSE: A transistor and electronic device with the same are provided to prevent the degradation of a channel layer due to an external environment, thereby obtaining superior reliability. CONSTITUTION: A channel layer(C1) includes a Zn oxide. A source and a drain(D1) contact both ends of the channel layer respectively. A gate insulating layer insulates the channel layer from a gate. The channel layer includes a first side adjacent to a substrate and a second side facing the first side. A channel layer-protection area includes a fluoride group material on the second side.

    Abstract translation: 目的：提供一种晶体管及其电子器件，以防止由于外部环境导致的沟道层的劣化，从而获得优异的可靠性。 构成：沟道层（C1）包括Zn氧化物。 源极和漏极（D1）分别与沟道层的两端接触。 栅极绝缘层将沟道层与栅极绝缘。 沟道层包括与衬底相邻的第一侧和面向第一侧的第二侧。 沟道层保护区域包括在第二侧上的氟化物基材料。

    폴리이미드 경화오븐
    7.
    发明公开
    폴리이미드 경화오븐 无效
    聚酰亚胺烤箱

    公开(公告)号：KR1020000024897A

    公开(公告)日：2000-05-06

    申请号：KR1019980041696

    申请日：1998-10-02

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 이흥복 ,  정재관

    IPC: H01L21/00

    Abstract: PURPOSE: A polyimide baking oven is provided to bake a polyimide uniformly even in a wafer having TPIX deviation by generating a deviation of a thermal distribution on a front of the wafer. CONSTITUTION: A polyimide baking oven is constituted with: a top heat plate(11) where a wafer is placed; a bottom heat plate(12) installed below the top heat plate; a heater holder(14) which applies heat to the bottom heat plate, being installed below the bottom heat plate; and a heater(13a,13b) which emits heat, being attached to the heater holder. The heater comprises a first heater and a second heater. A polyimide is baked by controlling the temperature in order for the temperature distribution to be nonuniform.

    Abstract translation: 目的：提供聚酰亚胺烘烤炉，通过产生晶片前面的热分布偏差，均匀地均匀地在具有TPIX偏差的晶片中均匀地烘烤聚酰亚胺。 构成：聚酰亚胺烘烤炉由：放置晶片的顶部加热板（11）构成; 安装在顶部加热板下方的底部加热板（12）; 加热器保持器（14），其向底部加热板施加热量，安装在底部加热板的下方; 和发热的加热器（13a，13b），附着在加热器支架上。 加热器包括第一加热器和第二加热器。 通过控制温度来烘烤聚酰亚胺以使温度分布不均匀。

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