Abstract:
반사방지막 제조용 조성물, 이를 사용한 반사방지막 및 이를 사용한 반도체장치의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 반사방지막은 주성분으로서 페놀계 수지, 아크릴 수지 및 수용성 수지로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 폴리머 용액을 소정의 기판 상부에 도포하고, 고온 베이크하여 제조한다. 제조가 용이하고 노광 광에 대하여 우수한 반사방지 특성을 가지며 양품의 수율이 높다.
Abstract:
The present invention relates to a device and a method for controlling a pointer in an electronic device. The method for controlling the pointer of an electronic device includes the steps of: detecting a multi-touch; determining the coordinates of the pointer based on the multi-touched points; and displaying the pointer on the determined coordinates.
Abstract:
A program information displaying method and an apparatus thereof are provided to enable a viewer to select contents as easily enjoying a video by supplying program information by reproducing a representative image according to time. A program information displaying apparatus(200) comprises a representative video generator(230), a supplementary information extractor(240), and a program information generator(250). The representative video generator generates at least one representative video by extracting a part of video data of contents. The supplementary information extractor extracts one or more supplementary information, related to the contents, from the contents. The program information generator produces program information.
Abstract:
A method for providing a multimedia contents list and an apparatus using the same are provided to supply a multimedia contents list independent from contents except contents relate to a keyword, thereby enabling a user to conveniently use multimedia contents. An input unit receives a keyword from a user. A controller(170) produces a multimedia contents list. The controller control to display the list independent from the second contents except the first contents related to the keyword. The controller displays an icon related to the keyword on the list. The list in which the first contents and the second contents are divided is displayed through an icon related to the keyword.
Abstract:
본 발명은 반도체 제조장치의 스테퍼(stepper)의 촛점측정에 사용하는 마스크 패턴, 상기 마스크 패턴을 이용한 스테퍼의 촛점측정방법에 관해 개시한다. 본 발명은 스테퍼의 분해능을 능가하는 따라서 스테퍼에 의해 마스크 형태대로 형성되지 못하는 제1 패턴군과 제2 패턴군이 형성되어 있고 상기 제1 및 제2 패턴군은 상기 스테퍼의 분해능보다 큰 따라서 그 간격의 형성이 가능한 제1 간격을 갖는 마스크 패턴를 사용하여 상기 제1 간격을 측정하여 상기 스테퍼의 촛점을 측정한다. 이러한 측정시에 노광량을 실제 반도체장치의 제조공정에서 사용되는 정도의 광량을 사용하므로 실제 공정과의 높은 정합성을 이룰 수 있다. 더욱이 종래 기술에서 처럼 PSM을 사용하지 하고 노말 마스크 패턴을 사용함으로써 마스크 제작을 위한 별도의 추가공정이 필요치않는 등 스테퍼의 촛점측정이 편리하고 공정이 간단해지는 잇점이 있다.
Abstract:
본 발명은 반도체 제조장치의 스테퍼(stepper)의 촛점측정에 사용하는 마스크 패턴, 상기 마스크 패턴을 이용한 스테퍼의 촛점측정방법에 관해 개시한다. 본 발명은 스테퍼의 분해능을 능가하는 따라서 스테퍼에 의해 마스크 형태대로 형성되지 못하는 제1 패턴군과 제2 패턴군이 형성되어 있고 상기 제1 및 제2 패턴군은 상기 스테퍼의 분해능보다 큰 따라서 그 간격의 형성이 가능한 제1 간격을 갖는 마스크 패턴를 사용하여 상기 제1 간격을 측정하여 상기 스테퍼의 촛점을 측정한다. 이러한 측정시에 노광량을 실제 반도체장치의 제조공정에서 사용되는 정도의 광량을 사용하므로 실제 공정과의 높은 정합성을 이룰 수 있다. 더욱이 종래 기술에서 처럼 PSM을 사용하지 하고 노말 마스크 패턴을 사용함으로써 마스크 제작을 위한 별도의 추가공정이 필요치않는 등 스테퍼의 촛점측정이 편리하고 공정이 간단해지는 잇점이 있다.
Abstract:
The method includes the steps of applying a chemical-amplified positive photoresist (2) of 1.0 micro m thickness on a silicon wafer (3), exposing the wafer using a mask (1) and an excimer laser, baking the wafer for one minute at 60 deg.C., acid-treating the photoresist layer using an acetic acid solution for 1.5 minutes to change the resist layer portion of 600 angstrome into a soluble layer (5), and developing the wafer to obtain a line pattern, thereby forming micropatterns of exact sizes.
Abstract:
프로파일을 향상시킬 수 있는 미세패턴의 형성방법이 개시되어 있다. 화학 증폭형 포토레지스트를 도포한 후, 마스크를 사용하여 노광한다. 다음에 베이크하고 레지스트 표면을 산처리하거나, 마스크를 사용하여 노광 공정전, 또는 후에 전면노광을 수행한다. 현상하여 레지스트 패턴을 수득한다. 단면이 수직형인 레지스트 패턴이 얻어지게 된다.