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公开(公告)号：KR100190012B1
公开(公告)日：1999-06-01
申请号：KR1019960000532
申请日：1996-01-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/032
CPC classification number: C08F12/06
Abstract: 본 발명은 화학 증폭형 레지스트용 베이스 수지의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 제조방법에 따르면 감광도가 크고 노광 전, 후의 용해도 차이가 큰 화학 증폭형 레지스트를 얻을 수 있다. 본 발명에 따라 제조된 화학 증폭형 레지스트를 사용하면 고해상도의 패턴을 형성할 수 있다. 따라서 본 발명에 따라 제조된 수지는 고집적의 반도체 칩을 제조하기 위해 리소그래피 공정에 이용하는데 적합하다.
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公开(公告)号：KR100183901B1
公开(公告)日：1999-04-01
申请号：KR1019960026828
申请日：1996-07-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/004
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/039 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 본 발명은 레지스트 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 레지스트 조성물은 그 측쇄의 특정 부분에 t-부틸기가 두 개씩 형성되어 있는 베이스 수지를 포함하고 있어서, 노광 전, 후의 용해도 차이가 매우 클 뿐만 아니라 열적 특성도 우수하다. 따라서, 본 발명의 레지스트 조성물은 고집적의 반도체 칩을 제조하기 위한 리소그래피 공정에 적합하다.
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公开(公告)号：KR1019970028822A
公开(公告)日：1997-06-24
申请号：KR1019950039895
申请日：1995-11-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/004
Abstract: 본 발명은 노광전에는 포토레지스트의 용해를 억제하고, 노광후에는 노광에 따른 포토레지스트의 구조를 변화시켜 용해를 촉진시켜 주므로써, 포토레지스트의 노광된 부위 및 노광되지 않은 부분간의 콘트라스트를 향상시켜 줄 수 있는 용해 억제제에 관한 것이다. 본 발명은 기본 레진, 용해 억제제 및 포토-산 발생기로 구성되는 포토레지스트로써, 상기 용해 억제제는 하기의 구조를 갖는다.
여기서, R은 다음과 같이 표현된다.-
公开(公告)号：KR1019950009969A
公开(公告)日：1995-04-26
申请号：KR1019930018016
申请日：1993-09-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/312
Abstract: 반사방지막 제조용 조성물, 이를 사용한 반사방지막 및 이를 사용한 반도체장치의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 반사방지막은 주성분으로서 페놀계 수지, 아크릴 수지 및 수용성 수지로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 폴리머 용액을 소정의 기판 상부에 도포하고, 고온 베이크하여 제조한다. 제조가 용이하고 노광 광에 대하여 우수한 반사방지 특성을 가지며 양품의 수율이 높다.
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公开(公告)号：KR1019940007608A
公开(公告)日：1994-04-27
申请号：KR1019920016548
申请日：1992-09-09
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 주성분으로서, 하기 식(I)의 노볼락계 수지; 및 하기 식(I)의 폴리 비닐 페놀계 수지를 포함하는 포토 레지스트 조성물이 개시되어 있다.
(식 중, R
11 은 수소원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 나타내고, R
12 은 수소원자 똔느 탄소수 1내지 6의 알킬기를 나타내고, n
1 및 n
2 는 양의 정수를 나타낸다.)
상기 포토 레지스트 조성물을 반도체 웨이퍼상에 도포하여 레지스트층을 형성한 후, 포토 마스크를 이용하여 상기 레지스트층을 선택적으로 노광시키고, 상기 노광된 레지스트 층을 선택적으로 실릴화하여 상기 레지스트층의 표면 부위에 실릴화된 레지스트층을 형성한 후, 상기 실릴화된 레지스트 층 하부의 레지스트 제외한 실릴화 되지 않은 레지스트를 제거하여 레지스트 패턴을 형성한다. 0.25μm까지의 프로필을 갖는 레지스트 패턴을 수득할 수 있을 뿐만 아니라, 패턴의 선형성이 0.25μm까지 유지하고 있어, 0.25μm 크기의 미세 패턴과 이보다 큰 크기의 패턴을 동시에 형성할 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100245410B1
公开(公告)日：2000-03-02
申请号：KR1019970065115
申请日：1997-12-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/039
CPC classification number: G03F7/0045 , C08F220/18 , C08F222/06 , G03F7/039
Abstract: 본 발명은 화학식 1의 고분자 또는 상기 화학식 1의 고분자를 갖는 공중합체 이상을 포함하는 감광성 폴리머(Photosensitive Polymer)를 제공한다.
식중 R
1 은 C
1 ∼C
20 의 지방족 탄화수소이고, -CH
3 ,-CH
2 CH
3 ,n-부틸 (n-butyl), 시클로헥실(cyclohexyl)기로 이루어지는 군에서 선택되거나 또는 애더맨틸(Adamantyl), 노르보르닐(Norbornyl), 이소보르닐(Isobornyl)기와 같은 C
7 ∼C
20 의 지환식(脂環式)의 지방족 탄화수소(Alicyclic Aliphatic Hydrocarbone)로 이루어지는 군에서 선택되며, n은 정수이다.
또한, 본 발명은 화학식 2의 고분자 및 PAG를 포함하는 화학증폭형 레지스트 조성물을 제공한다.
식중, R
1 은 C
1 ∼C
20 의 지방족 탄화수소이며, R
2 는 H 또는 CH
3 이고, R
3 는 t-부틸(t-butyl) 또는 테트라히드로피라닐(Tetrahydropyranyl)기로 이루어지는 군에서 선택되는 한편, m 및 n은 정수로서 n/(m+n) = 0.1∼0.5 이다.
본 발명에 의하면, 통상의 현상액을 사용하여 현상할 수 있고, 뛰어난 식각내성을 가지며, 막질에 대하여 우수한 접착력을 발휘한다.-
公开(公告)号：KR100230417B1
公开(公告)日：1999-11-15
申请号：KR1019970013219
申请日：1997-04-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/075
CPC classification number: G03F7/0758 , G03F7/0045 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 화학증폭형 레지스트에 사용되는 다음 식의 폴리머 및 레지스트 조성물.
식중, R
1 은 수소 원자 및 메틸로 이루어지는 군에서 선택된 어느 하나임.-
公开(公告)号：KR100219498B1
公开(公告)日：1999-09-01
申请号：KR1019960050491
申请日：1996-10-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 화학 증폭형 레지스트의 베이스 레진 및 이를 포함한 레지스트의 조성물에 대하여 개시한다. 이는 평균 분자량이 5000 내지 200000인, 하기 화학식 2로 표시되는 화학 증폭형 레지스트의 베이스 레진을 제공한다.
[화학식 2]
여기에서, R1은 수소 또는 메틸기이며, R3는 탄소수가 6 내지 20인 지방족 화합물(Aliphatic compound)이며, R2는 터어셔리부틸기(t-Butyl group) 또는 테트라하드로피라닐기(Tetrahydropyranyl group)이며, m/(m+n)의 값은 0.1 내지 0.9이다. 이로써, ArF 엑시머 레이저 파장(193nm)에서 투명도를 유지하면서도, 에칭 내성이 뛰어나 반도체 고집적 회로의 제조를 위한 리소그래피 공정을 진행할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019990046940A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970065115
申请日：1997-12-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/039
Abstract: 본 발명은 화학식 1의 고분자 또는 상기 화학식 1의 고분자를 갖는 공중합체 이상을 포함하는 감광성 폴리머(Photosensitive Polymer)를 제공한다.
식중 R
1 은 C
1 ∼C
20 의 지방족 탄화수소이고, -CH
3 ,-CH
2 CH
3 ,n-부틸 (n-butyl), 시클로헥실(cyclohexyl)기로 이루어지는 군에서 선택되거나 또는 애더맨틸(Adamantyl), 노르보르닐(Norbornyl), 이소보르닐(Isobornyl)기와 같은 C
7 ∼C
20 의 지환식(脂環式)의 지방족 탄화수소(Alicyclic Aliphatic Hydrocarbone)로 이루어지는 군에서 선택되며, n은 정수이다.
또한, 본 발명은 화학식 2의 고분자 및 PAG를 포함하는 화학증폭형 레지스트 조성물을 제공한다.
식중, R
1 은 C
1 ∼C
20 의 지방족 탄화수소이며, R
2 는 H 또는 CH
3 이고, R
3 는 t-부틸(t-butyl) 또는 테트라히드로피라닐(Tetrahydropyranyl)기로 이루어지는 군에서 선택되는 한편, m 및 n은 정수로서 n/(m+n) = 0.1∼0.5 이다.
본 발명에 의하면, 통상의 현상액을 사용하여 현상할 수 있고, 뛰어난 식각내성을 가지며, 막질에 대하여 우수한 접착력을 발휘한다.-
公开(公告)号：KR1019980018096A
公开(公告)日：1998-06-05
申请号：KR1019970017239
申请日：1997-05-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/039 , G03F7/14 , C08F220/10
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1의 고분자 화합물 및 PAG (Photoacid Generator)로 구성되는 포토레지스트에 관한 것으로서, 본 발명의 레지스트는 193nm 영역에서 투명하며 식각 공정에 대한 내성이 우수한 뿐 아니라, 접착성이 우수하며 제조상 용이하고 제조단가가 저렴하다.
[화학식 2]
상기 식중, R1 은 수소 또는 메틸기이고, R2는 탄소수 6 내지 20의 지방족 고리 탄화수소기이며, R3는 t-부틸기 또는 테트라히드로피라닐기이고,
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