반도체 장치의 금속층 앨로이 방법
    41.
    发明公开
    반도체 장치의 금속층 앨로이 방법 无效
    金属层半导体器件的合金方法

    公开(公告)号:KR1019990015452A

    公开(公告)日:1999-03-05

    申请号:KR1019970037578

    申请日:1997-08-06

    Inventor: 임현우

    Abstract: 반도체 장치의 금속층 앨로이(alloy) 방법을 개시한다. 본 발명은 반도체 기판 상에 금속층을 형성한다. 이후에, 금속층이 형성된 반도체 기판을 보트(boat), 튜브(tube) 및 스파이크 열전대(spike thermocouple)와 프로세스 열전대(process thermocouple)를 가지는 온도 조절기(temperature controller)를 포함하는 로 장치(furnace system)의 보트에 로딩한다. 다음에, 반도체 기판이 로딩(loading)된 보트를 로 장치의 스탠 바이(stand by) 온도로 유지되는 튜브에 인입한다. 이후에, 보트가 인입된 튜브의 온도를 상기 온도 조절기로 제어하여 올린다. 이어서, 튜브의 온도를 상기 온도 조절기로 제어하여 유지하며 앨로이 반응을 진행한다. 다음에, 튜브의 온도를 온도 조절기로 제어하며 스탠 바이 온도로 내린다. 이후에, 보트를 상기 튜브에서 이탈시키고 튜브의 온도을 스탠 바이로 유지한다.

    반도체기판 표면단차 형성방법
    42.
    发明公开
    반도체기판 표면단차 형성방법 无效
    形成半导体衬底表面的步骤的方法

    公开(公告)号:KR1019980065735A

    公开(公告)日:1998-10-15

    申请号:KR1019970000848

    申请日:1997-01-14

    Inventor: 임현우

    Abstract: 반도체 기판 표면 단차형성방법을 개시하고 있다. 이는, 반도체 기판 상에 버퍼 산화막을 형성하는 단계; 상기 버퍼 산화막 위에 포토레지스트를 도포한 다음 패터닝하여 단차가 형성될 부분만을 국부적으로 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 이온주입 마스크로 사용하고 상기 결과물 전면에 불순물을 5.0E15 이상의 도즈량으로 주입하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 상기 결과물을 어닐링하는 단계; 불순물이 주입된 상기 결과물을 열산화시켜 기판 상에 국부적으로 열산화막을 형성하는 단계; 및 상기 열산화막을 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 표면 단차 형성방법을 제공한다. 따라서, 실리콘 질화막 증착공정, 건식식각공정, 및 실리콘질화막 제거를 위한 습식식각공정을 필요로하지 않으므로 공정진행시간이 단축되고, 원가절감 및 증착공정시 취약한 파티클 문제도 줄일수 있다.

    반도체장치의 캐패시터 제조방법

    公开(公告)号:KR1019970024321A

    公开(公告)日:1997-05-30

    申请号:KR1019950037140

    申请日:1995-10-25

    Abstract: 본 발명은 POCl
    3 의 침적공정을 이용하여 캐패시터 면적을 증대시켜 충분한 캐패시턴스를 얻을 수 있는 반도체장치의 캐패시터 제조방법에 관한 것이다.
    본 발명의 반도체장치의 캐패시터 제조방법은 반도체 기판으로 소정 도전형을 갖는 불순물을 이온주입하여 불순물 영역을 형성하는 공정과, 기판상에 제1절연막을 형성하는 공정과, 불순물 영역상부의 제1절연막을 식각하여 스토리지 노드용 콘택을 형성하는 공정과, 스토리지 노드 콘택을 통해 불순물 영역과 연결되는 스토리지 노드를 형성하는 공정과, POCl
    3 침적공정을 이용하여 스토리지 노드에 다수의 필라를 형성하는 공정과, 다수개의 필라를 갖는 스토리지 노드의 표면상에 유전체 막을 형성하는 공정과, 유전체막상에 플레이트 전극을 형성하는 공정을 포함한다.

    클라이언트 장치, 클라이언트의 제어 방법, 서버 및 서버의 제어 방법
    45.
    发明公开
    클라이언트 장치, 클라이언트의 제어 방법, 서버 및 서버의 제어 방법 审中-实审
    客户设备,服务器的服务器和控制方法的控制方法

    公开(公告)号:KR1020140039613A

    公开(公告)日:2014-04-02

    申请号:KR1020120105966

    申请日:2012-09-24

    Abstract: Disclosed are a client apparatus, a control method of the client apparatus, a server, and a control method of the server. The client apparatus includes: a display unit; a user interface unit which receives a text input; a communication interface unit which transmits the information related to the text input to the server; a storage unit which receives and stores the result analysis of the information transmitted from the server; and a control unit which converts the type of the received text to be displayed based on the stored analysis result upon receiving the text input via the user interface after receiving the result analysis. [Reference numerals] (100) Client apparatus; (200) Server; (S310,S330) Receive a text and related information; (S320) Transmit the text and the related information; (S340) Information analysis; (S350) Extract an analysis result; (S360) Transmit the analysis result; (S370) Store the analysis result; (S380) Text is inputted?; (S390) Convert the type of text and display

    Abstract translation: 公开了客户端装置,客户端装置的控制方法,服务器和服务器的控制方法。 客户端装置包括:显示单元; 接收文本输入的用户界面单元; 通信接口单元,其将与输入的文本相关的信息发送到服务器; 存储单元,其接收并存储从服务器发送的信息的结果分析; 以及控制单元,其在接收到结果分析之后经由用户界面接收到经由用户界面输入的文本后,基于所存储的分析结果来转换要显示的接收文本的类型。 (附图标记)(100)客户端装置; (200)服务器; (S310,S330)接收文本和相关信息; (S320)传送文字及相关信息; (S340)信息分析; (S350)提取分析结果; (S360)发送分析结果; (S370)存储分析结果; (S380)输入文本? (S390)转换文字和显示的类型

    휴대용 단말기에서 사용자의 입력 패턴을 판단하기 위한 장치 및 방법
    46.
    发明公开
    휴대용 단말기에서 사용자의 입력 패턴을 판단하기 위한 장치 및 방법 有权
    用于在便携式终端中确定用户输入模式的装置和方法

    公开(公告)号:KR1020110027244A

    公开(公告)日:2011-03-16

    申请号:KR1020090085243

    申请日:2009-09-10

    Inventor: 김형일 임현우

    CPC classification number: G06F3/0488 G06F3/042 G06F3/04817 G06F3/0482

    Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for determining an input pattern of a user in a portable terminal are provided to simplify a character input process of a user in order to flexibly change the location of a GUI. CONSTITUTION: A sensing unit(108) measures a sensing value of the light. A pattern managing unit(104) determines an input pattern of a user by using a measurement value. An output managing unit(102) processes an operation corresponding to an input pattern, which is determined by the pattern managing unit.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于确定便携式终端中的用户的输入模式的装置和方法,以简化用户的字符输入过程,以灵活地改变GUI的位置。 构成:感测单元(108)测量光的感测值。 图案管理单元(104)通过使用测量值来确定用户的输入模式。 输出管理单元(102)处理与由模式管理单元确定的输入模式对应的操作。

    졸-겔 피지티의 열처리방법
    47.
    发明公开
    졸-겔 피지티의 열처리방법 无效
    溶胶 - 凝胶基板的热处理方法

    公开(公告)号:KR1019990074755A

    公开(公告)日:1999-10-05

    申请号:KR1019980008558

    申请日:1998-03-13

    Inventor: 임현우

    Abstract: 본 발명의 졸-겔 피지티의 열처리 방법은 로의 튜브를 제1 온도에서 유지시키는 단계와, 상기 로의 튜브를 제2 온도를 승온시키는 단계와, 졸-겔 피지티가 코팅된 웨이퍼가 탑재된 보트를 상기 로의 튜브에 인입시키는 단계와, 상기 튜브를 제2 온도보다 낮은 제3 온도를 유지하고 상기 튜브에 가스를 흐르지 않게 하여 상기 튜브의 압력을 일정하게 유지하면서 피지티의 그레인을 성장시키는 단계와, 상기 제3 온도를 유지하면서 상기 웨이퍼가 탑재된 보트를 포함하는 튜브에 질소 가스를 투입시켜 피지티의 제2상의 발생을 억제시키는 단계와, 상기 제3 온도의 튜브를 제4 온도로 감온시키는 단계와, 상기 제4 온도의 튜브에서 웨이퍼가 탑재된 보트를 인출시키는 단계를 포함한다. 제1 온도 및 제4 온도는 300∼400℃이며, 제2 온도 및 제3 온도는 각각 700∼750℃ 및 600∼700℃이다. 본 발명의 졸-겔 피지티 열처리 방법은 공정 온도보다 높은 온도로 졸-겔 피지티가 코팅된 웨이퍼를 승온시켜 열처리한 후 질소를 주입하여 웨이퍼 상에 균일한 크기의 그레인들로 구성되고 제2 상이 없는 피지티막을 형성할 수 있다.

    산화막형성방법
    48.
    发明公开
    산화막형성방법 失效
    氧化膜形成方法

    公开(公告)号:KR1019980083639A

    公开(公告)日:1998-12-05

    申请号:KR1019970019016

    申请日:1997-05-16

    Inventor: 임현우

    Abstract: 특성이 우수한 산화막을 형성하는 방법에 대해 개시되어 있다. 이 방법은 수소가스(H
    2 )와 산소가스(O
    2 )를 일정 비율로 반응시켜 웨이퍼에 실리콘산화막을 형성하는 단계와, 산소가스(O
    2 )를 플로우하면서 웨이퍼에 산화막을 형성하는 단계로 이루어진다.

    전원보호용 회로
    49.
    实用新型
    전원보호용 회로 失效
    电源检测电路

    公开(公告)号:KR200117401Y1

    公开(公告)日:1998-07-15

    申请号:KR2019940012670

    申请日:1994-06-01

    Inventor: 임현우

    Abstract: 본 고안은 고주파변환기(RF CONVERTER)를 구동하는 전원회로에서 출력단의 부하에 과전류가 흐르는 것을 방지하는 전원보호용 회로에 관한 것이다. 본 고안은 전원구동용 트랜지스터를 스위칭용 일반 트랜지스터로 구성하므로써 출력단에 과부하가 걸릴 때 전류를 차단하여 부품을 보호하고 수명을 연장하는 효과가 있다. 또한 부품수를 적게 하여 회로를 구성하므로써 원가를 절감하는 효과 또한 있다.

    반도체 제조 장치의 관리 방법
    50.
    发明公开
    반도체 제조 장치의 관리 방법 无效
    半导体制造装置的管理方法

    公开(公告)号:KR1019970072062A

    公开(公告)日:1997-11-07

    申请号:KR1019960012492

    申请日:1996-04-24

    Inventor: 임현우

    Abstract: 본 발명은 반도체 제조 장치의 관리 방법에 관한 것으로, 본 발명에서는 반도체 제조 장치를 유지/보수하기 위하여, 공정을 진행시키기 위한 준비 단계와, 원하는 공정 온도까지 온도를 상승시키는 단계와, 원하는 온도에서 프로파일 공정을 진행하는 단계와, 세정용 가스를 흘려 보내면서 튜브 내의 이온을 제거하는 세정 단계와, 온도를 다시 상기 준비 단계에서의 온도까지 하강시키는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 반도체 제조 장치를 유지/관리하기 위한 PM 작업을 효율적으로 행할 수 잇다.

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