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公开(公告)号：KR1020160103850A
公开(公告)日：2016-09-02
申请号：KR1020150026752
申请日：2015-02-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04W52/0251 , H04B17/27 , H04W4/046 , H04W52/283 , Y02D70/142 , Y02D70/144 , Y02D70/162 , Y02D70/164 , Y02D70/166 , Y02D70/26 , H04W4/021 , H04W48/16 , H04W52/04 , H04W88/02
Abstract: 단말기의위치를나타내는컨텍스트정보를획득하고, 획득한컨텍스트정보와미리설정된타겟위치를나타내는패턴정보를비교하여, 단말기의위치를결정하고, 결정된위치에따라, 단말기와다른단말기간의통신을위한전송전력및 스캔주기중 적어도하나를결정하는단말기를제어하는방법이개시된다.
Abstract translation: 公开了一种用于控制终端的方法，其获得指示终端的位置的上下文信息，比较所获得的上下文信息和指示预定目标位置的模式信息，确定终端的位置，并且确定扫描周期 以及根据确定的位置在终端与另一终端之间进行通信的发送功率。 因此，可以有效地利用终端的功率。
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公开(公告)号：KR101612283B1
公开(公告)日：2016-04-15
申请号：KR1020090085243
申请日：2009-09-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B1/40 , G06F3/0488 , G06F3/0485
CPC classification number: G06F3/0488 , G06F3/042 , G06F3/04817 , G06F3/0482
Abstract: 본발명은휴대용단말기에서사용자의터치입력패턴을판단하기위한장치및 방법에관한것으로, 특히휴대용단말기에서사용자의터치입력패턴에따라 GUI의위치를유동적으로변경하기위한장치및 방법에관한것으로, 빛을감지할수 있는센서로구성되어센싱값을측정하는센싱부와, 상기센싱부에의해측정된측정값을이용하여사용자의입력패턴을판단하는패턴관리부와, 상기패턴관리부에의해판단한입력패턴에해당하는동작을수행하도록처리하는출력관리부를포함하는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020070018616A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：KR1020050073469
申请日：2005-08-10
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11B7/0037 , G11B17/0283 , G11B33/126 , G11B2007/0006
Abstract: 광 디스크 기록 및 재생 장치를 개시한다. 본 발명은 적어도 두 개의 광 디스크 드라이브를 구비하는 광 디스크 기록 및 재생 장치에 있어서, 적어도 두 개의 광 디스크 드라이브와 디지털 신호 변환 장치의 배치 구조 개선을 통해 두 장치 사이의 데이터 통신 품질을 향상시키는데 그 목적이 있다. 이와 같은 목적의 본 발명에 따른 광 디스크 기록 및 재생 장치는, 적어도 두 개의 광 디스크 드라이브와; 적어도 두 개의 광 디스크 드라이브로부터 재생되는 오디오/비디오 신호를 코딩 및 디코딩하기 위한 디지털 변환 장치를 포함하고; 디지털 변환 장치가 적어도 두 개의 광 디스크 드라이브의 중간 지점에 설치됨으로써 적어도 두 개의 광 디스크 드라이브와 디지털 변환 장치 사이에 최단의 통신 경로가 형성된다.
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公开(公告)号：KR1020060024685A
公开(公告)日：2006-03-17
申请号：KR1020040073514
申请日：2004-09-14
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 임현우
IPC: H01L21/304
Abstract: 습식 세정 장비에 구비되는 세정조로부터 세정액 누출시 세정액을 효율적으로 포집하여 누출된 세정액의 유무를 감지함으로써 세정조의 리크 발생 부분을 보다 효율적으로 파악할 수 있으며, 공정 효율을 증가시킬 수 있는 습식 세정 장비가 제공된다. 습식 세정 장비는 웨이퍼를 세정하는 세정액이 수용된 세정조를 하나 이상 구비하는 스테이션, 스테이션 저면에 홈이 형성되어 세정조로부터 누출된 세정액이 포집되어 흐르도록 하는 하나 이상의 제 1 포집로, 제 1 포집로의 일측에 연결되어 제 1 포집로를 흐르던 상기 세정액이 흐르는 제 2 포집로 및 제 2 포집로에 설치되어 포집된 세정액의 유무를 감지하는 센서를 포함한다.
세정액, 누출, 포집로-
公开(公告)号：KR1020040054293A
公开(公告)日：2004-06-25
申请号：KR1020020081314
申请日：2002-12-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/302
Abstract: PURPOSE: A measurement tank system of a wet station is provided to measure the exhaust of chemicals through an excess exhaust line by using a flowmeter. CONSTITUTION: A measurement tank system(30) of a wet station is provided with a measurement tank(32) for storing chemicals, a supply line(37) for supplying the chemicals exhausted from an equipment tank to the measurement tank, and a plurality of check sensors for checking the flow rate of chemicals. The measurement tank system further includes an excess exhaust line(31) installed in the measurement tank to a predetermined height through its one end portion and prolonged to the outside from the bottom of the measurement tank through its the other end portion for exhausting the chemicals over-supplied to the measurement tank, and a flowmeter(35) installed at the outer portion of the measurement tank on the excess exhaust line.
Abstract translation: 目的：提供湿站的测量罐系统，通过使用流量计通过多余的排气管线来测量化学品的排放。 构成：湿站的测量罐系统（30）设置有用于存储化学品的测量罐（32），用于将从设备箱排出的化学品供给到测量罐的供应管线（37）和多个 检查传感器以检查化学品的流量。 测量罐系统还包括通过其一端部安装在测量罐中的预定高度的多余的排气管线（31），并通过其另一端部从测量罐的底部延伸到外部，以排出化学物质 - 配置在测量罐上，以及安装在过量排气管线上的测量罐外部的流量计（35）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019980037956A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960056780
申请日：1996-11-22
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 임현우
IPC: H01L21/316
Abstract: 본 발명은 산화막 형성방법에 관해 개시한다.
산화막을 형성하고자하는 기판 영역에 이온을 주입하고 열처리를 실시한 다음 산화공정을 실시하여 기판에 산화막을 선택적으로 형성한다.
따라서 주입된 불순물층의 영역을 보다 깊게 확산시켜서 기판의 깊은 영역에 까지 짧은 시간에 산화막을 형성할 수 있다. 또한 이러한 결과는 반도체장치의 제조공정에 소요되는 시간을 단축시켜서 생산성을 높이는 결과를 가져올 수 있다-
公开(公告)号：KR1019970030483A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950041685
申请日：1995-11-16
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 임현우
IPC: H01L21/32
Abstract: 본 발명은 반도체장치의 층간절연막으로 널리 사용되는 BPSG의 플로우 온도를 변화시켜 반도체장치의 프로파일을 개선하는 반도체장치의 제조방법에 관한 것으로, 기판상에 소자분리영역, 게이트전극, 패드전극을 형성한 후, 제1 BPSG를 증착하고 플로우하는 공정과; 상기 제1 BPSG상에 비트라인을 형성하고, 상기 비트라인 상에 상기 제1BPSG 보다 상대적으로 낮은 범위내에서 제2 BPSG를 증착하고 플로우하는 공정과; 상기 제2 BPSG상에 식각저지층, 그리고 산화막을 순차적으로 형성하고, 콘택홀을 형성하고, 스토리지 노드용 폴리실리콘을 형성하고 식각하여 스토리지 노드를 형성하는 공정과; 상기 스토리지 노드상에 유전체막을 형성한 후 상기 유전체막상에 상기 폴리실리콘을 형성하여 플레이트 전극을 형성하는 공정과; 상기 플레이트 전극상에 상기 제2 BPSG 보다 상대적으로 낮은 온도 범위내에서 제3 BPSG를 증착하고 플로우하는 공정정을 포함하고 있다.
이 방법에 의해서 반도체장치의 세번의 층간절연막 증착 및 플로우 공정을 모두 같은 시간, 같은 온도 범위내에서 수행함으로써 발생하는 제1, 제2 BPSG의 리플로우 문제를 방지할 수 있고, 아울러 비트라인이 이동하거나 또는 BC 콘택이 오픈되지 않는 등의 문제점을 해결할 수 있다. -
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