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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019980040061A
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019960059185
申请日：1996-11-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 화학기계적 연마 공정에서 연마패드의 표면 상태를 콘디션닝(conditioning)할 수 있는 CMP 장비의 연마패드 콘디션너(conditioner) 및 콘디션닝 방법에 관한 것이다. 이를 위하여 본 발명은, 니켈과 강철의 합금으로 구성되고 길이가 연마패드의 반지름과 비교하여 ±1 inch의 범위를 갖는 평판과, 상기 평판의 부위에 따라 부착되는 밀도를 달리함으로써 연마패드의 중앙부와 가장자리부에서 콘디션닝 효과를 향상시킬 수 있는 다이아몬드 입자를 구비하는 것을 특징으로 하는 CMP 장비의 연마패드 콘디션너를 제공한다. 또한 이를 이용한 콘디션닝 방법을 제공한다. 따라서, 연마패드의 표면상태를 일자형으로 유지함으로써, 웨이퍼의 중심부에서 연마율이 떨어지는 문제를 해결할 수 있는 CMP 장비의 연마패드 콘디션너 및 콘디션닝 방법을 구현할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970053248A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950057064
申请日：1995-12-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정인권
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 CMP 공정의 모니터링 방법에 관한 것으로, 반도체기판의 소정영역에 서로 다른 폭을 갖는 복수의 홀을 구비하는 절연막 패턴을 형성하는 단계; 상기 결과물 전면에 상기 홀을 채우는 배선층을 형성하는 단계; 및 상기 절연막 패턴이 완전히 노출되면서 상기 복수의 홀 중 일정 크기의 폭을 갖는 소정의 홀 및 상기 소정의 홀보다 더 큰 폭을 갖는 홀의 바닥이 노출될 때까지 상기 배선층을 CMP 공정으로 평탄화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP 공정의 모니터링 방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, CMP 공정 후에 절연막 패턴의 두께를 간단히 모니터링 할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970013083A
公开(公告)日：1997-03-29
申请号：KR1019950028519
申请日：1995-08-31
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정인권
IPC: H01L21/304
Abstract: 화학기계적폴리싱(CMP) 전에 단차가 낮은 부위의 단차를 보상한 후 CMP를 실시하여 평탄도를 개선할 수 있는 반도체 장치의 평탄화방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 웨이퍼 상의 단차가 낮은 부위만을 덮을 수 있는 패턴을 갖는 박막을 준비하는 단계와, 상기 준비된 박막을 상기 웨이퍼 상의 단차 낮은 부위에 꼭 맞도록 위치시키는 단계와, 상기 박막을 갖는 상기 웨이퍼를 가열하여 상기 박막을 상기 웨이퍼에 접합시켜 상기 단차가 낮은 부위를 보상하는 단계와, 상기 접합된 박막을 갖는 상기 웨이퍼의 표면을 폴리싱하여 평탄화하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 평탄화방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 웨이퍼상에 존재하는 단차가 낮은 부위에 CMP폴리싱 전에 박막 또는 필러블럭을 형성하여 보상함으로써 CMP 공정시에 보다 평탄도가 개선된 웨이퍼를 얻을 수 있다.
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