公开(公告)号：KR1020040021723A

公开(公告)日：2004-03-11

申请号：KR1020020051323

申请日：2002-08-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정훈

IPC: H01L21/28

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a fabricating method thereof are provided to prevent a short circuit and a malfunction between a bit line and a contact by rounding an exposed stepped-profile of a bit line. CONSTITUTION: The first conductive layer(22), the second conductive layer(24), and an insulating layer(26) are formed on a semiconductor substrate(20). A plurality of photoresist patterns are formed thereon. A plurality of bit lines are formed by performing an etch process using the photoresist patterns as a mask. A contact hole is formed between the bit lines by forming an interlayer dielectric(28) on the bit lines. A smooth profile is formed by performing a wet-etch process for the bit lines having a stepped-profile. A spacer(30) is formed in the contact hole. A contact(C) is formed by depositing a conductive layer on the contact hole including the spacer.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件及其制造方法，以通过对位线的暴露阶梯轮廓进行舍入来防止位线和触点之间的短路和故障。 构成：在半导体衬底（20）上形成第一导电层（22），第二导电层（24）和绝缘层（26）。 在其上形成多个光致抗蚀剂图案。 通过使用光致抗蚀剂图案作为掩模进行蚀刻工艺来形成多个位线。 通过在位线上形成层间电介质（28），在位线之间形成接触孔。 通过对具有阶梯轮廓的位线执行湿式蚀刻工艺来形成平滑轮廓。 隔离件（30）形成在接触孔中。 通过在包括间隔物的接触孔上沉积导电层形成触点（C）。

公开(公告)号：KR1020030075907A

公开(公告)日：2003-09-26

申请号：KR1020020015385

申请日：2002-03-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박병준 ,  황유상 ,  정훈

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device having a cylinder type capacitor and a method for manufacturing the same are provided to be capable of preventing the fall-down phenomenon of a lower electrode of the cylinder type capacitor and improving the topology between a cell region and a peripheral region. CONSTITUTION: A semiconductor device is provided with a semiconductor substrate(90) defined with a cell region(C) and a peripheral region(P), a plurality of capacitors(300) made of a cylinder type lower electrode(250a) connected with a conductive region of the semiconductor substrate at the cell region, a dielectric layer(280) formed at the upper portion of the lower electrode, and an upper electrode(290) formed at the upper portion of the dielectric layer, supporting bars formed between lower electrodes for supporting the lower electrodes with each other, a frame(220b) prolonged from the outermost supporting bar for protecting a mold oxide layer(210).

Abstract translation: 目的：提供一种具有圆柱型电容器的半导体器件及其制造方法，以能够防止圆筒型电容器的下部电极的下降现象，并改善电池区域与外围区域之间的拓扑结构 。 构成：半导体器件设置有限定有单元区域（C）和外围区域（P）的半导体衬底（90），多个电容器（300），由与下述电极连接的圆筒型下部电极（250a） 导电区域，形成在下电极的上部的电介质层（280）和形成在电介质层的上部的上电极（290），形成在下电极之间的支撑棒 用于将下电极彼此支撑，从最外面的支撑杆延伸的框架（220b），用于保护模具氧化物层（210）。

公开(公告)号：KR1020030072435A

公开(公告)日：2003-09-15

申请号：KR1020020011277

申请日：2002-03-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김시연 ,  황유상 ,  정훈

IPC: H01L27/108

CPC classification number: B44C1/04 ,  B44C1/105 ,  B44C1/18

Abstract: PURPOSE: A cylindrical capacitor with a stepped sidewall and a method for manufacturing the same are provided to be capable of enhancing capacitance and surface area. CONSTITUTION: A cylindrical capacitor includes a semiconductor substrate(1) and a cylindrical storage node(27s). The storage node(27s) further includes a bottom part(27t) and a cylindrical sidewall(27w) having two steps. The cylindrical sidewall(27w) is provided with a lower sidewall(27a), a half sidewall(27b) and an upper sidewall(27c). Also, the cylindrical sidewall(27w) is provided with a lower connection part(27m) and an upper connection part(27n). Each top diameter of the lower, half and upper sidewall(27a,27b,27c) is larger than the bottom diameter thereof. The height of the lower sidewall(27a) is a relatively low compared to the height of the half sidewall(27b). Also, the height of the half sidewall(27b) is a relatively low compared to the upper sidewall(27c).

Abstract translation: 目的：提供具有阶梯状侧壁的圆柱形电容器及其制造方法，以能够增强电容和表面积。 构成：圆柱形电容器包括半导体衬底（1）和圆柱形存储节点（27s）。 存储节点（27s）还包括底部（27t）和具有两个台阶的圆柱形侧壁（27w）。 圆筒形侧壁（27w）设置有下侧壁（27a），半侧壁（27b）和上侧壁（27c）。 此外，圆筒形侧壁（27w）设置有下连接部（27m）和上连接部（27n）。 下侧，上侧和上侧壁（27a，27b，27c）的每个顶部直径大于其底部直径。 与侧壁（27b）的高度相比，下侧壁（27a）的高度相对较低。 此外，与上侧壁（27c）相比，半侧壁（27b）的高度相对较低。

公开(公告)号：KR100268456B1

公开(公告)日：2000-11-01

申请号：KR1019970065841

申请日：1997-12-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정훈

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76877

Abstract: PURPOSE: A contact formation method is provided to improve a step coverage of contacts and to prevent a lifting of contact materials due to a stress of heat budget by using a doped polysilicon as a contact hole filling material. CONSTITUTION: An interlayer dielectric(104) is formed on a semiconductor substrate(100) having an n+ impurity region(102) and a p+ impurity region(103). A contact hole is formed by etching the interlayer dielectric(104) to expose the impurity regions(102,103). Silicide layers(108a,108b) as an ohmic contact are formed at bottom of the contact holes, thereby simultaneously forming ohmic contacts to the n+ and the p+ impurity regions(102,103). Then, a doped polysilicon layer(110) is filled into the contact holes.

Abstract translation: 目的：提供接触形成方法以改善触点的台阶覆盖，并且通过使用掺杂的多晶硅作为接触孔填充材料来防止由于热预算的应力引起的接触材料的提升。 构成：在具有n +杂质区域（102）和p +杂质区域（103）的半导体衬底（100）上形成层间电介质（104）。 通过蚀刻层间电介质（104）以暴露杂质区（102,103）形成接触孔。 在接触孔的底部形成作为欧姆接触的硅化物层（108a，108b），从而同时向n +和p +杂质区域（102,103）形成欧姆接触。 然后，将掺杂多晶硅层（110）填充到接触孔中。

公开(公告)号：KR1020000043821A

公开(公告)日：2000-07-15

申请号：KR1019980060244

申请日：1998-12-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이준희 ,  정훈

IPC: H01L27/108

Abstract: PURPOSE: A fabrication method of a semiconductor device is provided to improve a profile of an interlayer dielectric and thereby to prevent open or short of metal wiring. CONSTITUTION: In a fabrication of a semiconductor device, an interlayer dielectric(102) is deposited on a substrate(100) and then partly etched to form storage contact holes(104). The holes(104) are filled with low resistant materials to act as contact plugs(106). Next, a silicon nitride layer(108) and a second interlayer dielectric(110) are deposited and then selectively etched to form openings for storage electrodes. The storage electrodes(114a) are formed in the openings and connected to the contact plugs(106). After that, the second dielectric layer(110) in a cell array region(a) are wholly removed between the storage electrodes(114a), however in a field region(b) are partially removed due to loading effect. After a third dielectric layer(116) is deposited, a plate electrode(118a) is patterned and the exposed layers(116,110,108) outside of the plate electrode(118a) are all removed. A cell capacitor(120) is therefore obtained. Finally, a fourth dielectric layer(122) is formed in an improved profile with gentle gradient.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件的制造方法以改善层间电介质的轮廓，从而防止金属布线的开放或短路。 构成：在半导体器件的制造中，将层间电介质（102）沉积在衬底（100）上，然后部分蚀刻以形成存储接触孔（104）。 孔（104）填充有低电阻材料以用作接触塞（106）。 接下来，沉积氮化硅层（108）和第二层间电介质（110），然后选择性地蚀刻以形成用于存储电极的开口。 存储电极（114a）形成在开口中并连接到接触插塞（106）。 之后，电池阵列区域（a）中的第二电介质层（110）在存储电极（114a）之间被完全去除，但是在场区域（b）中由于负载效应被部分去除。 在沉积第三介电层（116）之后，对平板电极（118a）进行构图，并且均匀地去除板电极（118a）之外的暴露层（116,110,108）。 因此获得电池电容器（120）。 最后，第四电介质层（122）以平缓的梯度形成为改进的形状。

公开(公告)号：KR2020000002359U

公开(公告)日：2000-02-07

申请号：KR2019980012156

申请日：1998-07-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정훈

IPC: F25D25/02

Abstract: 본 고안은 냉장고에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 저장물 가운데 구(球)형 저장물의 보관이 용이하도록 곡면지지부가 형성된 선반에 관한 것이다.
본 고안에 따른 냉장고의 선반은 선반의 일부가 방사상으로 절개되어 내곡면을 형성하는 곡면지지부가 마련되고, 이 곡면지지부가 형성된 하측에는 횡방향으로 미끄럼운동 가능하게 설치되어 곡면지지부의 하측을 지지하거나, 지지를 해지하는 지지판이 마련되었다. 따라서, 평상시에는 곡면지지부가 지지판에 의해 지지되어 평면 상태를 유지하게 되고, 지지판의 지지가 해지될 때에는 내곡면을 형성하게 되어, 일반 저장물뿐만 아니라 수박이나 메론처럼 둥글고 부피가 큰 저장물의 저장이 용이한 이점이 있다.

公开(公告)号：KR2019990035514U

公开(公告)日：1999-09-15

申请号：KR2019980001077

申请日：1998-02-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정훈

IPC: F25D25/00

Abstract: 본 고안은 냉장고의 특선실에 관한 것으로서, 본 고안의 목적은 특선실 내부의 냉기가 누출되는 것을 방지하고, 특선실 선반을 넣고 꺼냄에 따라 발생되는 소음을 제거하며, 커버가 닫히면서 선반과 부딪치는 충격력을 감소시킬 수 있는 냉장고의 특선실을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 실현하기 위한 본 고안의 구성은 선반 양측의 지지단 외측으로 각각 돌출된 가드턱, 상기 가드턱의 하부면과 상부면에 각각 돌출되도록 회동 가능하게 결합된 한 쌍의 캐스터, 상기 한 쌍의 캐스터를 각각 가이드하도록 냉장고의 내벽에 돌출된 가이드레일, 냉장고 본체 내벽의 힌지구멍에 삽입된 커플링, 상기 선반의 개구부를 커버하도록 상기 커플링에 힌지 결합된 커버를 포함하는 구조로 이루어진다. 또한, 상기 선반의 선단에는 아래쪽으로 연장된 절곡단이 형성되고, 상기 절곡단에는 가스킷이 부착된 것을 특징으로 한다.
상기와 같이 구성된 본 고안에 의하면 선반에 두 개의 캐스터를 설치하여 가이드레일의 상면과 하면에 지지되게 함으로써 선반이 상하로 유동되는 것을 방지한다는 효과가 있다.
또한 본 고안은 선반과 커버의 사이에 틈새를 막아 냉기가 누출되는 것을 방지함으로써 특선실의 기능을 향상시킨다는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019990027083A

公开(公告)日：1999-04-15

申请号：KR1019970049455

申请日：1997-09-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정훈

IPC: F25D25/00

Abstract: 본 발명은 커버가 닫힐 때 선반과 부딪힘에 따라 발생되는 충격을 감소시키고, 아울러 이에 따라 발생되는 소음을 감소시키도록 한 냉장고의 특선실 커버에 관한 것으로, 본 발명의 구성은 가이드레일이 형성된 냉장실 내벽과, 상기 가이드레일에 슬라이딩 가능하도록 설치된 선반과, 상기 선반의 양측에 연장된 지지단의 곡률반경에 따라 회동되도록 상기 냉장실의 내벽에 힌지결합된 커버를 포함하는 냉장고의 특선실에 있어서, 상기 냉장실의 상부 내벽에는 상기 커버(20)의 회동 구간을 제어하도록 스토퍼(30)가 돌출된 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 커버(20)의 상부 양측 모서리부에는 원통형의 회동핀(24)이 돌출되고, 상기 스토퍼(30)는 상기 회동핀(24)과 맞물리도록 일방향이 개방된 원형의 가이드부(32)가 형성된 것을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 커버의 회동핀이 냉장실의 상부 내벽에 형성된 스토퍼에 의해 제어됨으로써 커버의 회동구간이 제어되므로, 커버의 선단이 선반에 부딪히는 것이 방지되어 충격 및 소음이 방지된다는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR2019980066543U

公开(公告)日：1998-12-05

申请号：KR2019970010980

申请日：1997-05-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임만순 ,  정훈

IPC: F25D25/00

Abstract: 본 고안은 냉각실 내에 설치되는 냉장고용 저장용기에 관한 것으로서, 내용물을 수용할 수 있는 용기본체와, 상기 용기본체의 전면에 위치하며 전면 하부의 힌지축을 중심으로 전후회동개폐되는 전면도어와, 상기 전면도어의 개방회동범위를 한정하는 스토퍼를 포함한다. 이에 의해, 저장물의 투입과 인출이 용이하고 냉장효율을 향상시킬 수 있는 냉장고용 저장용기가 제공된다.

公开(公告)号：KR1019980082302A

公开(公告)日：1998-12-05

申请号：KR1019970017138

申请日：1997-05-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임만순 ,  정훈

IPC: F25D23/00

Abstract: 본 발명은, 냉장실내에 형성된 특선저장부와, 상기 특선저장부내에 전후 슬라이딩 출입가능하도록 설치되어 저장물을 수용하는 저장용기와, 상기 저장용기의 전방연부와 접촉하여 상기 저장용기의 전후출입운동에 연동하여 상기 특선저장부의 전방개구를 상하회동개폐하는 특선저장부도어를 갖는 냉장고에 관한 것으로서, 상기 저장용기와 상기 특선저장부도어 중 어느 일측에 상호 접촉연부를 따라 형성된 랙치형부와; 상기 저장용기와 상기 특선저장부도어 중 타측의 접촉연부에 상기 랙치형부와 맞물리도록 설치되는 피니언을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 특선저장부도어의 급격한 폐쇄회동을 방지하여 충격소음 및 그에 의한 손상을 감소시킬 수 있는 냉장고가 제공된다.