통신 시스템에서 상향링크 데이터를 처리하는 방법 및 장치
    1.
    发明申请
    통신 시스템에서 상향링크 데이터를 처리하는 방법 및 장치 审中-公开
    用于在通信系统中处理上行链路数据的方法和设备

    公开(公告)号:WO2017057897A1

    公开(公告)日:2017-04-06

    申请号:PCT/KR2016/010846

    申请日:2016-09-28

    CPC classification number: H04B3/04 H04B3/32

    Abstract: 본 개시는 LTE(Long Term Evolution)와 같은 4G(4 th generation) 통신 시스템 이후 보다 높은 데이터 전송률을 지원하기 위한 5G(5 th generation) 또는 pre-5G 통신 시스템에 관련된 것이다. 본 발명 통신 시스템에서 상향링크 신호를 전송하기 위한 것으로, 제1 라디오 유닛(radio unit, RU)의 동작 방법은, 안테나를 통해 제1 신호를 수신하는 단계와, 전송 선로를 통해 제2 라디오 유닛으로부터 전달된 제2 신호를 재보상 인자를 통해 재보상하는 단계와, 상기 제1 신호 및 상기 재보상된 제2 신호를 합산한 제3 신호를 보상 인자를 통해 보상하는 단계와, 상기 보상된 제3 신호를 상위 라디오 유닛 또는 디지털 유닛(digital unit, DU)으로 전달하는 단계를 포함한다.

    Abstract translation: 本公开涉及一种用于支持超过诸如长期演进(LTE)的第四代(4G)通信系统之外的更高数据传输速率的第五代(5G)或前5G通信系统。 根据本发明的用于在通信系统中发送上行链路信号的第一无线电单元(RU)的操作方法包括以下步骤:通过天线接收第一信号; 通过再补偿因子再次补偿从第二无线电单元通过传输线传输的第二信号; 通过补偿因子补偿通过将第一信号和再补偿的第二信号相加而获得的第三信号; 以及将补偿的第三信号发送到上级无线电单元或数字单元(DU)。

    비아 플러그를 갖는 비아 구조체 및 반도체 소자
    3.
    发明公开
    비아 플러그를 갖는 비아 구조체 및 반도체 소자 审中-实审
    具有威盛插头的结构和半导体器件

    公开(公告)号:KR1020150091714A

    公开(公告)日:2015-08-12

    申请号:KR1020140012275

    申请日:2014-02-03

    Abstract: 하부 소자, 및 상기 하부 소자 상에 배치된 상부 소자를 포함하는 반도체 소자가 설명된다. 상기 하부 소자는 하부 기판, 상기 하부 기판 상의 하부 플러그 패드 및 상기 하부 플러그 패드를 덮는 하부 층간 절연막을 포함한다. 상기 상부 소자는 상부 기판, 상기 상부 기판의 하부 내에 형성된 제1 식각 지연 구조체, 상기 상부 기판의 하면 하의 상부 플러그 패드 및 상기 상부 플러그 패드를 덮는 상부 층간 절연막, 및 상기 상부 기판을 관통하여 상기 상부 플러그 패드 및 상기 하부 플러그 패드와 접촉하는 비아 플러그를 포함한다. 상기 비아 플러그는 상기 상부 플러그 패드 및 상기 제1 식각 지연 구조체와 접촉하는 제1 부분, 및 상기 하부 플러그 패드와 접촉하는 제2 부분을 포함한다.

    Abstract translation: 描述了一种半导体器件,其包括布置在底部器件上的底部器件和顶部器件。 底部装置包括底部基底,形成在底部基底上的底部塞子垫和覆盖底部塞子垫的底部层间介电层。 顶部器件包括顶部衬底,形成在顶部衬底的底侧上的第一蚀刻延迟结构,形成在顶部衬底的底侧下方的顶部焊盘,覆盖顶部的顶部层间电介质层 插头垫和通孔塞,其通过穿过顶部基板与顶部塞子垫和底部塞子垫接触。 通孔插头包括与第一蚀刻延迟结构和顶部插头焊盘接触的第一部分和与底部插头焊盘接触的第二部分。

    이미지 센서 및 이의 형성 방법
    4.
    发明公开
    이미지 센서 및 이의 형성 방법 审中-实审
    图像传感器及其形成方法

    公开(公告)号:KR1020140108940A

    公开(公告)日:2014-09-15

    申请号:KR1020130022858

    申请日:2013-03-04

    Abstract: The present invention provides an image sensor and a manufacturing method thereof. The image sensor according to the embodiment of the present invention includes a substrate, a photoelectric conversion unit which is formed on the substrate, a gate electrode which is arranged on the photoelectric conversion unit, and a pixel separating unit which is arranged on the substrate and separates pixel regions. The pixel separating unit to separate the pixel regions includes a deep device isolation film and a channel stop region.

    Abstract translation: 本发明提供一种图像传感器及其制造方法。 根据本发明的实施例的图像传感器包括基板,形成在基板上的光电转换单元,布置在光电转换单元上的栅电极和布置在基板上的像素分离单元, 分离像素区域。 用于分离像素区域的像素分离单元包括深度器件隔离膜和通道停止区域。

    이미지 센서 및 그 제조 방법
    5.
    发明授权
    이미지 센서 및 그 제조 방법 有权
    图像传感器及其制造方法

    公开(公告)号:KR101439434B1

    公开(公告)日:2014-09-12

    申请号:KR1020070100459

    申请日:2007-10-05

    Inventor: 박병준

    CPC classification number: H01L27/14685 H01L27/14627 H01L27/1464

    Abstract: 광감도를 향상시킬 수 있는 이미지 센서 및 그 제조 방법이 제공된다. 이미지 센서는 반도체 기판, 반도체 기판 내에 형성된 광전 변환 소자, 반도체 기판의 전면 상에 다층으로 형성된 배선층들, 광전 변환 소자에 대응하여 반도체 기판의 후면에 형성된 이너 렌즈 및 이너 렌즈 상부에 형성된 마이크로 렌즈를 포함한다.
    광감도, 후면 조사형, 이너 렌즈

    다중 안테나 시스템에서 채널 환경에 따라 통신 방식을 변경하기 위한 장치 및 방법
    7.
    发明公开
    다중 안테나 시스템에서 채널 환경에 따라 통신 방식을 변경하기 위한 장치 및 방법 有权
    考虑通道环境的多天线系统中通信模式更改的装置和方法

    公开(公告)号:KR1020100097285A

    公开(公告)日:2010-09-03

    申请号:KR1020090016155

    申请日:2009-02-26

    Abstract: PURPOSE: A method for changing communication method according to a channel environment in a multi antenna system and a device for the same are provided to determine multi-antenna transmission type according to confirmed LOS channel environment in consideration of SINR(Signal-to-Interference plus Noise Ratio) of a terminal signal or set up value for power control of a terminal, thereby improving data transmission efficiency. CONSTITUTION: A base station confirms a set point for transmission power control(203). The base station sets the set up value to a reference set point(205). If a signal is received from a service providing terminal, the base station renews set up value for power control of the terminal transmitting the signal according to error generation of receive signal(207,209). If the updated set point is bigger than the sum of reference set up value and reference point, the base station recognizes LOS(Line of Sight) channel(211,213).

    Abstract translation: 目的:提供一种根据多天线系统中的信道环境及其设备改变通信方法的方法,以根据确认的LOS信道环境来确定多天线传输类型,考虑到SINR(信号到干扰加 噪声比)或端子功率控制的设定值,从而提高数据传输效率。 构成:基站确认传输功率控制的设定点(203)。 基站将设置值设置为参考设定点(205)。 如果从服务提供终端接收到信号,则基站根据接收信号的错误产生(207,209)更新发送信号的终端的功率控制设定值。 如果更新的设定点大于参考设定值和参考点的总和,则基站识别LOS(视线)通道(211,213)。

    통신 시스템에서 신호 수신 방법 및 그 시스템
    8.
    发明公开
    통신 시스템에서 신호 수신 방법 및 그 시스템 有权
    用于在通信系统中接收信号的方法及其系统

    公开(公告)号:KR1020080070589A

    公开(公告)日:2008-07-30

    申请号:KR1020080008057

    申请日:2008-01-25

    CPC classification number: H04B1/1027

    Abstract: A method and a system for receiving a signal in a communication system are provided to acquire correct channel information by using a resource which is not used in a data transmission. A method for receiving a signal in a communication system includes the steps of: receiving a signal(801); estimating a first noise value based on a reference signal included in the received signal(807); estimating a second noise value based on at least one sub carrier which is not used in a transmission of the reference signal and data(809); and if a difference value between the estimated first noise value and the estimated second noise value is larger than the reference value, demodulating the data from the received signal based on an interference removing algorithm(813). The reference signal is a preamble or pilot signal.

    Abstract translation: 提供一种用于在通信系统中接收信号的方法和系统,以通过使用在数据传输中未使用的资源来获取正确的信道信息。 一种用于在通信系统中接收信号的方法包括以下步骤:接收信号(801); 基于包含在接收信号(807)中的参考信号估计第一噪声值; 基于在参考信号和数据的传输中未使用的至少一个子载波来估计第二噪声值(809); 并且如果估计的第一噪声值和估计的第二噪声值之间的差值大于参考值,则基于干扰去除算法(813)解调来自接收信号的数据。 参考信号是前导码或导频信号。

    딥트렌치 소자분리막을 포함하는 이면 조사형 CMOS이미지 센서 및 그 제조방법
    9.
    发明公开
    딥트렌치 소자분리막을 포함하는 이면 조사형 CMOS이미지 센서 및 그 제조방법 无效
    背面照明CMOS图像传感器,具有深度分离隔离及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020080014301A

    公开(公告)日:2008-02-14

    申请号:KR1020060075806

    申请日:2006-08-10

    CPC classification number: H01L27/1463 H01L27/1461 H01L27/14629 H01L27/14685

    Abstract: A back illuminated CMOS image sensor having a deep trench device isolating film and a method for producing the same are provided to prevent an electrical crosstalk and an optical crosstalk between pixels by isolating a photo diode of a pixel array using a device isolating film with a deep trench structure. A back illuminated CMOS image sensor comprises a device isolating film with a deep trench structure(13), a photo diode(11), a pixel circuit(20), and a lens(30). The device isolating film with the deep trench structure is formed by extending from a first side to a second side of a semiconductor substrate(10). The photo diode is defined by the device isolating film with the deep trench structure, and is formed by extending from a first side to a second side of the semiconductor substrate. The pixel circuit adjacent to the first side of the semiconductor substrate is formed. The lens adjacent to the second side of the semiconductor substrate is formed.

    Abstract translation: 提供具有深沟槽器件隔离膜的背照式CMOS图像传感器及其制造方法,以通过使用具有深度的器件隔离膜隔离像素阵列的光电二极管来防止像素之间的电串扰和光串扰 沟槽结构。 背照式CMOS图像传感器包括具有深沟槽结构(13),光电二极管(11),像素电路(20)和透镜(30)的器件隔离膜。 具有深沟槽结构的器件隔离膜通过从半导体衬底(10)的第一侧延伸到第二侧而形成。 光电二极管由具有深沟槽结构的器件隔离膜限定,并且通过从半导体衬底的第一侧延伸到第二侧而形成。 形成与半导体衬底的第一侧相邻的像素电路。 形成与半导体基板的第二面相邻的透镜。

    이미지 센서 및 그 형성 방법
    10.
    发明公开
    이미지 센서 및 그 형성 방법 无效
    图像传感器及其形成方法

    公开(公告)号:KR1020080014261A

    公开(公告)日:2008-02-14

    申请号:KR1020060075718

    申请日:2006-08-10

    Abstract: An image sensor and a method for forming the same are provided to reduce an aspect ratio of the image sensor and a cross talk due to the white light penetrating between color filters, thereby improving a characteristic of the image sensor. A method for forming an image sensor comprises the steps of: forming an insulating film on a semiconductor substrate(110) on which a light receiving device(120) is formed; forming a groove(152,155,158) on the insulating film; forming a color filter(153,156,159) filling the groove; and forming a micro lens(160) on the color filter. The steps of forming a color filter comprises the steps of: forming a red filter(153) filling a first groove after forming the first groove on the insulating film; forming a green filter(156) filling a second groove after forming the second groove on the insulating film; and forming a blue filter(159) filling a third groove after forming the third groove on the insulating film.

    Abstract translation: 提供一种图像传感器及其形成方法,以减少图像传感器的纵横比和由于白光穿过滤色器而引起的串扰,从而提高图像传感器的特性。 一种用于形成图像传感器的方法包括以下步骤:在其上形成有光接收装置(120)的半导体衬底(110)上形成绝缘膜; 在绝缘膜上形成凹槽(152,155,158); 形成填充所述凹槽的滤色器(153,156,159) 以及在所述滤色器上形成微透镜(160)。 形成滤色器的步骤包括以下步骤:在形成绝缘膜上的第一凹槽之后,形成填充第一凹槽的红色滤色器(153); 在所述绝缘膜上形成所述第二槽之后,形成填充第二槽的绿色过滤器(156) 以及在所述绝缘膜上形成所述第三凹槽之后,形成填充第三凹槽的蓝色滤光器(159)。

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