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公开(公告)号：KR1020060092770A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：KR1020050013900
申请日：2005-02-19
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C23C14/14 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C23C14/28 , C23C14/5806 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02601 , H01L21/02612 , H01L21/28273 , H01L21/28518 , H01L21/32053 , Y10T428/259
Abstract: 나노입자의 적층 구조 및 그 제조 방법이 개시된다.
개시되는 나노입자의 적층 구조는 기판; 상기 기판 위에 형성되는 나노입자;를 구비하고, 상기 나노입자는 실리사이드(silicide)를 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 나노입자의 제조 방법은 요구되는 크기의 나노입자가 형성될 수 있도록, 그 크기에 대응되는 두께로 실리콘 소스층(Si source layer)을 형성하는 단계; 소정 금속과 실리콘으로 이루어진 나노입자(nanoparticle)를 형성하는 단계; 상기 나노입자를 상기 실리콘 소스층에 증착시키는 단계; 및 상기 나노입자를 성장시켜 실리사이드(silicide)를 형성하는 단계;를 포함한다.
본 발명에 따른 나노입자의 적층 구조 및 그 제조 방법에 의하면, 실리콘 소스층의 두께를 조절하여 나노입자의 크기를 조절할 수 있으므로, 요구되는 크기의 나노입자를 용이하게 수득할 수 있는 장점이 있다.
나노입자, 실리사이드, 금-
公开(公告)号：KR1020060081154A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：KR1020050001611
申请日：2005-01-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133514 , G02F1/133512 , G02F1/134309
Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 색필터 표시판은 기판, 기판 위에 형성되어 있으며 복수의 개구부를 가지는 차광 부재, 개구부에 형성되어 있으며 차광 부재에 의해서 둘러싸여 있는 복수의 색필터, 색필터 위에 형성되어 있는 공통 전극을 포함하고, 개구부의 가장자리는 요철을 가진다.
액정표시장치, 잉크젯, 오염, 색필터-
公开(公告)号：KR1020060057826A
公开(公告)日：2006-05-29
申请号：KR1020040097008
申请日：2004-11-24
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B01J19/088 , B01J2219/0849 , B01J2219/0875 , B01J2219/0894 , B82Y30/00
Abstract: 기체로부터 입자로의 전환 방법(gas to particle conversion)에 의한 나노입자의 제조방법에 있어서, 전구체를 분해시킨 후 생성되는 전구체의 분해산물 또는 그 분해산물의 초기 응축물에 기체 방전을 가하여 전구체의 분해산물 또는 그 분해산물의 초기 응축물이 동종의 전하를 갖게 함으로써 저분산의 나노입자로 응축되도록 하는 것을 특징으로 하는 나노입자의 제조방법 및 장치를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020060039217A
公开(公告)日：2006-05-08
申请号：KR1020040088307
申请日：2004-11-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133514 , G02F1/133512 , G02F1/133516
Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 색필터 표시판의 제조 방법은 기판 위에 잉크젯 인쇄 장치로 잉크를 1차 인쇄하여 색필터의 1차 인쇄 부분을 형성하는 단계, 그리고 색필터의 1차 인쇄 부분의 소정 영역에 인쇄 장치로 잉크를 2차 인쇄하여 두께가 두꺼운 부분과 얇은 부분을 포함하는 색필터를 완성하는 단계를 포함한다.
잉크젯, 인쇄, 색필터-
公开(公告)号：KR1020060031947A
公开(公告)日：2006-04-14
申请号：KR1020040080935
申请日：2004-10-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133514 , B41J2/2056 , G02B5/223 , G02F1/133512 , G02F1/133516
Abstract: 소정 간격으로 분리되어 있는 복수의 컬러 필터 단위 화소부 및 상기 복수의 컬러 필터 단위 화소부를 제외한 영역에 형성되어 있는 블랙 매트릭스를 포함하는 컬러 필터 표시판에서 상기 컬러 필터 단위 화소부를 사다리꼴의 형상으로 형성하고 상기 컬러 필터 단위 화소부의 폭에 따라 잉크 분사량을 다르게 조절하여 수회로 나누어 분사함으로써, 잉크가 화소부 외부로 벗어나 블랙 매트릭스 표면을 오염시키커나 혼색되는 문제점을 해결할 수 있다.
잉크젯, 컬러 필터 단위 화소부, 피에조, 열판-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100493156B1
公开(公告)日：2005-06-03
申请号：KR1020020031728
申请日：2002-06-05
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 강윤호
CPC classification number: H01L21/02686 , C30B13/00 , C30B29/06 , H01L21/02532 , H01L21/02645 , H01L21/2026
Abstract: 비정질 실리콘의 결정화 방법이 개시된다. 개시된 비정질 실리콘의 결정화 방법은, 비정질 실리콘막의 표면에 나노입자를 공급하는 제1단계와, 나노입자를 공급하는 동안 비정질 실리콘막과 상기 비정질 실리콘막 표면에 도달하는 나노입자를 간헐적으로 용융시키는 제2단계 및, 비정질 실리콘막을 냉각시켜 용융되지 않은 나노입자를 결정핵으로 하여 결정을 성장시킴으로써 다결정 실리콘막을 형성하는 제3단계를 포함한다. 본 발명은 외부에서 공급되는 나노입자를 결정핵으로 하여 비정질 실리콘막을 결정화시켜 형성되는 그레인의 크기를 크게 할 수 있고, 나노입자의 수와 크기를 조절함에 따라 그레인의 크기 및 배열을 조절할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101370275B1
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：KR1020070084032
申请日：2007-08-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/2436 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1625
Abstract: 본 발명은 상변화 메모리 소자에 관한 것이다. 상변화 메모리 소자에 있어서, 하부 전극; 상기 하부 전극의 일영역 상에 형성된 하부 전극 콘택층과 상기 하부 전극 콘택층 측부에 형성된 절연층; 상기 하부 전극 콘택층 및 절연층 상에 형성된 것으로, 결정화 온도가 섭씨 100 내지 150도인 상변화 물질로 형성된 상변화층; 및 상기 상변화층 상에 형성된 상부 전극;을 포함하는 상변화 메모리 소자를 제공한다.
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公开(公告)号：KR100935666B1
公开(公告)日：2010-01-07
申请号：KR1020030010360
申请日：2003-02-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C08G65/08
Abstract: 본 발명은 광변색성 화합물이 결합된 광가교 고분자 및 이를 이용한 컬러필터에 관한 것으로, 보다 상세하게는 가역적인 광화학 반응에 의해 나타나는 변색성을 비가역적인 색상변화로 나타나는 기능성 유기소재에 이용하여 색구현이 우수하고 종래 컬러필터 제조시 포토리소그래피 공정에서의 문제점을 획기적으로 개선할 수 있는 광변색성 화합물이 결합된 광가교 고분자 및 이를 이용한 컬러필터에 관한 것이다.
광변색성, 광가교 고분자, 컬러필터-
公开(公告)号：KR1020090077523A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：KR1020080003524
申请日：2008-01-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/148 , H01L45/1625 , C23C16/305
Abstract: A phase change material layer and a phase change memory device comprising the same are provided to achieve low melting point and high re-crystallization temperature and obtain a reduced reset current and a favorable retention property. A phase change material layer(10) adds at least one of In or Ga into Sb. The phase change material layer is formed in a range of intermetallic composition to eutectic composition. The phase change material layer may contain at least one of Sb and In, or Ga. A phase change memory device includes a storage node having a phase change material layer and switching devices connected to the storage node.
Abstract translation: 提供相变材料层和包含该相变材料层的相变存储器件以实现低熔点和高再结晶温度，并获得降低的复位电流和良好的保留性能。 相变材料层（10）将In或Ga中的至少一种添加到Sb中。 相变材料层在金属间组合物的范围内形成为共晶组成。 相变材料层可以含有Sb和In中的至少一种，或Ga。相变存储器件包括具有相变材料层的存储节点和连接到存储节点的开关装置。
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公开(公告)号：KR1020090055878A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：KR1020070122737
申请日：2007-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C13/02
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004
Abstract: An operation method of a phase change memory device is provided to prevent overheat of a phase change layer during a reset action, thereby improving durability of the phase change memory device. A phase change memory device comprises a phase change layer and a voltage applying unit. A reset voltage(Vreset) is applied to the phase change layer. The reset voltage comprises first to third pulse voltages(V1~V3). Strength of the first to third pulse voltages is the same. Application time(T1~T3) of the first to third pulse voltages is less than 20ns. An interval between the first and second pulse voltages and an interval between the second and third pulse voltages are less than 100ns. After the reset voltage is applied, a set voltage is applied to the phase change layer.
Abstract translation: 提供相变存储器件的操作方法以防止在复位动作期间相变层过热，从而提高相变存储器件的耐用性。 相变存储器件包括相变层和电压施加单元。 复位电压（Vreset）被施加到相变层。 复位电压包括第一至第三脉冲电压（V1〜V3）。 第一至第三脉冲电压的强度相同。 第一至第三脉冲电压的施加时间（T1〜T3）小于20ns。 第一和第二脉冲电压之间的间隔以及第二和第三脉冲电压之间的间隔小于100ns。 施加复位电压后，设定的电压施加到相变层。
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