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公开(公告)号：KR1020200079879A
公开(公告)日：2020-07-06
申请号：KR1020180169535
申请日：2018-12-26
Applicant: 서강대학교산학협력단
IPC: H01L29/739 , H01L29/73 , H01L29/417 , H01L21/02 , H01L29/10
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公开(公告)号：KR102032221B1
公开(公告)日：2019-10-16
申请号：KR1020150157129
申请日：2015-11-10
Applicant: 서강대학교산학협력단
IPC: H01L27/108 , H01L29/73 , H01L29/10 , H01L27/12 , H01L21/762 , H01L29/78 , H01L29/423
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公开(公告)号：KR101912876B1
公开(公告)日：2019-01-14
申请号：KR1020160155941
申请日：2016-11-22
Applicant: 서강대학교산학협력단
Inventor： 최우영
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公开(公告)号：KR101880471B1
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：KR1020170011103
申请日：2017-01-24
Applicant: 서강대학교산학협력단
Inventor： 최우영
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L29/1033 , H01L29/7835 , H01L29/785
Abstract: 본발명의일 실시예에따른터널링전계효과트랜지스터는반도체기판, 상기반도체기판상에형성되고동일평면에서상호이격된제1 및제2 타입의도핑영역들, 상기제1 및제2 타입의도핑영역들중 하나의일부로부터연장된도핑연장영역및 다른하나의도핑영역과상기도핑연장영역에접촉된진성영역을포함하는적어도하나의채널및 상기도핑연장영역상에형성되고상기진성영역과접촉되어상기적어도하나의채널상의일부에형성된게이트를포함한다.
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公开(公告)号：KR101804363B1
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：KR1020160047377
申请日：2016-04-19
Applicant: 서강대학교산학협력단
Inventor： 최우영
Abstract: 본발명은수평구동전기기계스위칭소자및 그제조방법에관한것으로, 기존과달리복수개의도전성캔틸레버빔을수평으로나란히구비함으로써, 이웃한캔틸레버빔이상호구동할수 있게되어, 캔틸레버빔의이동범위를감소시켜소자의신뢰성을높이고동작전압을낮출수 있는효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种水平驱动机电开关装置及其制造的方法，通过并排侧具有水平的多个导电悬臂梁的，不同于常规，能够yiuthan悬臂梁桑 - 何可以驱动，通过减小悬臂梁元件的运动范围 而且工作电压可以降低。
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Patent Agency Ranking46.发明公开터널링 전계효과 트랜지스터를 이용한 1T 디램 셀 소자와 그 제조방법 및 이를 이용한 메모리 어레이 审中-实审采用隧穿场效应晶体管的1T DRAM单元器件，其制造方法以及使用该单元的存储器阵列
公开(公告)号：KR1020170055031A
公开(公告)日：2017-05-19
申请号：KR1020150157129
申请日：2015-11-10
Applicant: 서강대학교산학협력단
IPC: H01L27/108 , H01L29/73 , H01L29/10 , H01L27/12 , H01L21/762 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 본발명은소스영역의하부에소스영역과반대타입이고드레인영역과동일한타입의불순물로하부소스영역을형성하고, 하부소스영역과드레인영역사이의바디영역하부에전위우물이형성되도록함으로써, MOSFET의구조를이용한 1T 디램셀 소자와같이바디영역에전위우물을가지면서, 동작은 TFET과같이할 수있게하는터널링전계효과트랜지스터를이용한 1T 디램셀 소자와그 제조방법및 이를이용한메모리어레이를제공한다.
Abstract translation: 本发明通过使形成在源区和下部的相反类型和漏区之间的底部体区的势阱，以形成下部源极区域具有相同的型下方源极区域的杂质和源极区的漏区时，MOSFET 在使用结构，其具有在主体区，所述势阱如1T二raemsel装置中，运行提供了1T二raemsel元件及其制造方法，并通过使用隧穿场效应晶体管，允许你做TFET的存储器阵列。
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公开(公告)号：KR101631240B1
公开(公告)日：2016-06-17
申请号：KR1020150001769
申请日：2015-01-07
Applicant: 서강대학교산학협력단
Inventor： 최우영
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/78
Abstract: 본발명은터널링전계효과트랜지스터에관한것으로, 더욱상세하게는반도체기판의절연층위로하나이상의채널영역이떨어져형성되고, 각채널영역속으로소스영역이확장되고, 게이트가확장된소스영역상에채널영역을감싸며형성됨으로써, 채널영역마다터널링면적이극대화되고소스와채널사이에전계가집중되어종래보다획기적으로구동전류를향상시킬수 있을뿐만아니라채널영역이둘 이상으로수직적층될 경우에는구동전류를더욱배가시킬수 있는터널링전계효과트랜지스터에관한것이다.
Abstract translation: 隧道场效应晶体管本发明涉及一种隧道场效应晶体管，更具体地说，涉及一种在半导体衬底的绝缘层上分开形成一个或多个沟道区的隧道场效应晶体管，源区扩展到每个沟道区 并且形成栅极以围绕扩展源区域上的沟道区域。 因此，对于每个通道区域，隧道区域最大化，电源集中在源极和沟道之间，以显着地改善驱动电流，与常规方法相比，当两个或多个沟道区域垂直堆叠时，驱动电流进一步加倍 。
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公开(公告)号：KR1020150139038A
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：KR1020140066502
申请日：2014-05-30
Applicant: 서강대학교산학협력단
Inventor： 최우영
IPC: G06F7/02
CPC classification number: H03H9/0538 , G06F7/02
Abstract: 본발명은디지털비교기에관한것으로, 일정전압이인가된하나이상의도전성빔 아래에복수개의비트입력라인과하나의출력라인이교차되도록함으로써, 비트입력라인에통해디지털입력신호가인가될때, 비트입력라인과교차하는부분에서의정전기력에의한인력과빔 고유의탄성력(복원력)으로빔이하방으로휘어졌다가복원하며동작하는전기기계디지털비교기를제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及数字比较器。 本发明提供了一种机电数字比较器，其中，当数字输入时，光束通过在与位输入线相交的部分中由静电引起的吸引力和自身弹力（存储力）向底部弯曲和恢复而起作用 通过在施加有恒定电压的一个或多个导电波束下，将多个位输入线与一条输出线相交，通过位输入线施加信号。
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公开(公告)号：KR101576267B1
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：KR1020130154405
申请日：2013-12-12
Applicant: 서강대학교산학협력단
Inventor： 최우영
IPC: H01L21/768 , H01L21/336
Abstract: 본발명은순방향터널링에의한저전력터널링전계효과트랜지스터를제공하는것으로, 통상과달리소스영역과반대도전형을갖는베이스영역을더 구비하고드레인영역은소스영역과동일한도전형으로형성하되소스영역보다고농도도핑으로형성함으로써, 낮은구동전압에서는베이스영역과드레인영역사이순방향바이어스에의한터널링전류로저전력구동이가능함과동시에높은구동전압에서는열전자방출에의한전류도구동전류로할 수있어종래낮은구동전류의문제점을해소할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR101414567B1
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020120080281
申请日：2012-07-23
Applicant: 서강대학교산학협력단
Inventor： 최우영
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 본 발명은 1층의 도전 층으로 수평방향으로 좌, 우측 주요 워드라인, 비트라인 및 보조 워드라인을 형성하고 비트라인의 양측에 좌, 우측 캔틸레버 전극을 일체로 형성하여 각각 좌, 우측 주요 워드라인과 보조 워드라인 사이로 수평 구동할 수 있게 한 Ｔ셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공하고, 상기 수평 구동형 전기기계 메모리 소자를 단위 메모리 셀로 복수 개 배열한 2개 이상의 셀 스트링을 수평 및/또는 수직으로 적층하고, 상하층의 비트라인 및 좌, 우측 주요 워드라인은 각 층의 라인 형성시 동시에 형성된 각 컨택 플러그를 통하여 수직하게 전기적으로 연결되는 Ｔ셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자 어레이를 제공한다.
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