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公开(公告)号：KR101095368B1
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：KR1020090004153
申请日：2009-01-19
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/268
Abstract: 본 발명은 결정립의 크기가 크고 균일한 다결정 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 다결정 박막 형성방법은 피결정화막이 형성되어 있는 기판을 준비한다. 그리고 피결정화막에 제1 레이저를 제1 투과 영역과 제1 비투과 영역 패턴이 형성되어 있는 제1 마스크를 통해 조사하여, 피결정화막을 결정화시킨다. 그리고 제1 레이저가 조사된 피결정화막에 제2 레이저를 제2 투과 영역과 제2 비투과 영역 패턴이 형성되어 있는 제2 마스크를 통해 조사하되, 제2 투과 영역 아래의 피결정화막 부분은 완전 용융(complete melting)되고 제2 비투과 영역 패턴 아래의 피결정화막 부분은 완전 용융되지 않도록 제2 레이저를 조사하여, 피결정화막을 결정화시킨다.
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公开(公告)号：KR101023498B1
公开(公告)日：2011-03-21
申请号：KR1020090072411
申请日：2009-08-06
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/161
Abstract: 본 발명은 물질의 결정구조를 이용한 패턴 형성장치를 이용함으로써, 노치(notch)가 규칙적으로 형성된 마그네틱 나노선(magnetic nanowire)을 용이하게 형성할 수 있는 레이스트랙 메모리(racetrack memory)의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 레이스트랙 메모리 제조방법은 격자이미지가 노치가 규칙적으로 형성되어 있는 나노선 패턴인 대상물질을 챔버에 위치시킨 후, 대상물질에 전자빔을 조사한다. 그리고 자성물질과 전자빔 레지스트가 순차적으로 적층되어 있는 기판에 대상물질을 통과한 전자빔을 조사한 후, 현상 및 식각하여 노치가 규칙적으로 형성되어 있는 마그네틱 나노선을 형성한다.
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公开(公告)号：KR102238149B1
公开(公告)日：2021-04-08
申请号：KR1020200067173
申请日：2020-06-03
Applicant: 한화에어로스페이스 주식회사 , 서울대학교산학협력단
Abstract: 동박(銅薄)의제1층에그래핀의제2층이합성된결과의그래핀-합성동박에대하여, 제2층의그래핀의합성품질을검사하는방법으로서, 단계 (a) 내지 (f)를포함한다. 단계 (e)에서, 부분영역의영상들각각에대하여, 전체면적에대한그래핀결함면적의비율을구한다. 단계 (f)에서, 부분영역의영상들각각에대하여, 그래핀결함면적의비율이기준값보다낮은지의여부에따라양호또는불량을판정한다. 상기기준값은, 그래핀-합성동박의표본들에대한실험에의하여설정되되, 그래핀의전기적물성값이변하지않게하는그래핀결함면적의비율들중에서가장높은비율로서설정된다.
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公开(公告)号：KR101838687B1
公开(公告)日：2018-03-15
申请号：KR1020160009577
申请日：2016-01-26
Applicant: 한국생명공학연구원 , 서울대학교산학협력단
IPC: G01N33/483 , G01N33/487 , G01N33/68 , G01N24/10
CPC classification number: G01N27/04 , G01N33/487 , G01N33/66
Abstract: 본발명은나노포어를이용한단백질-단백질상호작용저해제스크리닝방법으로서, (a) 제1단백질및 제2단백질이결합한단백질결합체를형성시키는단계, (b) 상기단백질결합체가나노포어를통과하면서발생하는전기적신호의세기를측정하는단계, (c) 상기단백질결합체에단백질-단백질상호작용저해제후보물질을처리하고, 상기단백질결합체가나노포어를통과하면서발생하는전기적신호의세기를측정하는단계, 및 (d) 상기 (b) 및 (c) 단계에서측정된전기적신호의세기를비교하여신호의세기가증가또는감소하는경우, 단백질-단백질상호작용저해제로판단하는단계를포함하는, 단백질-단백질상호작용저해제스크리닝방법에관한것이다. 본발명의스크리닝방법은표지를사용하지않고, 극미량(picomole)의시료로도단백질결합저해제를대용량스크리닝을수행할수 있다.
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公开(公告)号：KR101432558B1
公开(公告)日：2014-08-22
申请号：KR1020120066986
申请日：2012-06-21
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: G01N27/447 , G01N35/08 , B01D57/02
Abstract: 제한된 영역을 가지는 나노 채널 구조를 이용한 이온 소자가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 이온 소자는, 제1 전극이 위치하는 제1 저장부; 제1 저장부에 대향하여 위치하며, 제2 전극이 위치하는 제2 저장부; 제1 저장부와 제2 저장부를 연결하도록 일 방향으로 연장되고, 내부에 용액을 수용하며, 상기 방향에 수직한 방향으로 제1 단면적을 가지는 개폐부를 포함하는 튜브 형태의 나노 채널; 및 나노 채널 내에서 개폐부의 일 측에 위치하며, 제1 단면적보다 큰 단면적을 가지는 적어도 하나의 나노 입자를 포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130143430A
公开(公告)日：2013-12-31
申请号：KR1020120066986
申请日：2012-06-21
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: G01N27/447 , G01N35/08 , B01D57/02
Abstract: An ion element using a nanochannel with a limited area is provided. The ion element according to an embodiment of the present invention includes: a first storage unit in which a first electrode is located; a second storage unit which is located to be opposite to the first storage unit and in which a second electrode is located; a nanochannel that has a tube shape, extends in one direction so as to connect the first and second storage units, accommodates a solution in the nanochannel, and includes an opening and closing part having a first cross sectional area in a direction vertical to the one direction; and at least one nanoparticle that is located on one side of the opening and closing part in the nanochannel and has the cross sectional area larger than the first cross sectional area.
Abstract translation: 提供了使用具有有限面积的纳米通道的离子元件。 根据本发明实施例的离子元件包括：第一存储单元，其中第一电极位于其中; 第二存储单元，其被定位成与第一存储单元相对，并且第二存储单元位于第二存储单元中; 具有管状的纳米通道沿一个方向延伸以连接第一和第二存储单元，在纳米通道中容纳溶液，并且包括开闭部分，该开闭部分在垂直于该方向的方向上具有第一横截面积 方向; 以及至少一个纳米颗粒，其位于纳米通道中的开闭部分的一侧，并且横截面积大于第一横截面积。
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公开(公告)号：KR101267789B1
公开(公告)日：2013-06-04
申请号：KR1020110061325
申请日：2011-06-23
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 나노 포어 구조를 이용한 DNA 분석용 장치, DNA 분석 방법 및 PCR 정량 검출 장치가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 포어 구조를 이용한 DNA 분석용 장치는, 용액을 수용하고, 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 챔버; 제1 영역에 위치하는 제1 전극; 제1 전극에 대향하여 제2 영역에 위치하는 제2 전극; 및 제1 전극 및 제2 전극의 사이에 위치하고, 도전층 및 도전층을 관통하는 나노 포어를 포함하는 나노 포어 막; 도전층, 제1 전극 및 제2 전극에 전기적으로 연결되어, 제1 전기적 신호를 인가하고, 그들로부터 제2 전기적 신호를 수신하는 전기 신호부;를 포함하고, 제2 전기적 신호를 이용하여 용액 내의 DNA를 검출하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR101156355B1
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：KR1020090120648
申请日：2009-12-07
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 소자 제작용 기판 상에 직접 그래핀을 형성할 수 있는 그래핀 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 그래핀 제조방법은 금속 박막과 금속 박막의 상부 및 하부 중 적어도 하나에 형성된 탄소(C)가 용해된 실리콘 박막을 포함하여 이루어진 제1 적층 구조물을 형성한다. 그리고 제1 적층 구조물을 열처리하여, 기판 상에 제1 그래핀층, 금속 실리사이드(silicide) 박막 및 제2 그래핀층이 순차적으로 적층된 제2 적층 구조물을 형성한다.
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公开(公告)号：KR1020120030780A
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：KR1020100092512
申请日：2010-09-20
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L31/1884 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/184 , C23C14/0605 , C30B1/023 , C30B29/02 , H01L21/02491 , H01L21/02513 , H01L21/02527 , H01L21/02667 , H01L31/022466 , Y02E10/50
Abstract: PURPOSE: A graphene structure, a method for manufacturing the same, and a transparent electrode using the graphene structure are provided to form crystallized graphene at relatively low temperatures and to directly form graphene on a substrate for manufacturing a device based on the metal junction of an amorphous carbon film. CONSTITUTION: An amorphous carbon film is formed on a substrate(100). A graphitization catalyst film is formed on the amorphous carbon film. The amorphous carbon film and the graphitization catalyst film are thermally treated to crystallize the amorphous carbon film to form a graphene film(130) on the graphitization catalyst film. The graphitization catalyst film is agglomerated. The graphitization catalyst film is a material for crystallizing amorphous carbon by heating. A graphene structure includes graphitization catalyst particles(120P) and the graphene film.
Abstract translation: 目的：提供石墨烯结构，其制造方法和使用石墨烯结构的透明电极，以在相对低的温度下形成结晶化的石墨烯，并且直接在基板上形成石墨烯，用于制造基于金属结的 无定形碳膜。 构成：在基板（100）上形成无定形碳膜。 在无定形碳膜上形成石墨化催化剂膜。 对无定形碳膜和石墨化催化剂膜进行热处理以使无定形碳膜结晶，以在石墨化催化剂膜上形成石墨烯膜（130）。 石墨化催化剂膜凝聚。 石墨化催化剂膜是通过加热使无定形碳结晶的材料。 石墨烯结构包括石墨化催化剂颗粒（120P）和石墨烯膜。
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公开(公告)号：KR101095367B1
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：KR1020090072674
申请日：2009-08-07
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 물질의 결정구조를 이용하여 나노 크기의 패턴을 손쉽고 명확하게 형성하는 패턴 형성방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 물질의 결정구조를 이용한 패턴 형성방법은 라인을 정의하는 격자이미지를 갖는 대상물질을 챔버에 위치시킨 후, 대상물질에 제1전자빔을 조사하여 전자빔 레지스트가 형성되어 있는 기판을 대상물질을 통과한 제1전자빔에 노출시킨다. 그리고 격자이미지를 회전시킨 후, 대상물질에 제2전자빔을 조사하여 전자빔 레지스트가 형성되어 있는 기판을 대상물질을 통과한 제2전자빔에 노출시킨다. 그리고 전자빔 레지스트를 현상(development)하여, 전자빔 레지스트 패턴을 형성하고, 전자빔 레지스트 패턴 하부에 형성되어 있는 하지층을 전자빔 레지스트 패턴을 통해 식각하여 패턴을 형성한다.
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