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公开(公告)号：KR1020090083047A
公开(公告)日：2009-08-03
申请号：KR1020080008981
申请日：2008-01-29
Applicant: 삼성전기주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H05B33/10 , C09K11/574 , C09K11/595 , C09K11/7734 , C09K11/7738 , C09K11/7739 , C09K11/7774 , C09K11/7787 , C09K11/7794 , C09K11/7795 , C09K11/7797
Abstract: A method for preparing oxide nano phosphors is provided to ensure a simple and economical process because of not needing expensive materials and facilities, and to synthesize the oxide nano phosphors with uniform particle size distribution. A method for preparing oxide nano phosphors comprises the steps of preparing a metal precursor solution; impregnating porous polymer materials in the metal precursor solution; and heat-treating the porous polymer material containing the metal precursor solution. The heating process heats the porous polymer material containing the metal precursor solution at a heating rate of 100 ‹C or more per minute to 500 ‹C or more.
Abstract translation: 提供一种制备氧化物纳米磷光体的方法，以确保简单和经济的工艺，因为不需要昂贵的材料和设备，并且合成具有均匀粒度分布的氧化物纳米磷光体。 制备氧化物纳米磷光体的方法包括制备金属前体溶液的步骤; 在金属前体溶液中浸渍多孔聚合物材料; 并对含有金属前体溶液的多孔聚合物材料进行热处理。 加热过程以100℃或更高/分钟的加热速率加热含有金属前体溶液的多孔聚合物材料至500℃以上。
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公开(公告)号：KR100691251B1
公开(公告)日：2007-03-12
申请号：KR1020050072324
申请日：2005-08-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 발광소자는 기판과; 상기 기판 표면에 성장되는 중간층과; 상기 기판과 중간층 상에 성장되는 박막을 포함하여 구성되고, 발광소자 제조방법은 (a) μ-PD(micro pulling down)법으로 β-Ga
2 O
3 단결정 기판을 성장시키는 단계와; (b) 상기 (a)단계에서 성장된 β-Ga
2 O
3 단결정 기판 표면을 NH
3 가스 분위기에서 열처리하여 아모노리시스(ammonolysis) 반응으로 산소와의 결합이 질소와의 결합으로 치환시켜 GaN 버퍼층을 성장시키는 단계와; (c) 상기 (b)단계에서 성장된 기판과 중간층 상에 GaN 박막을 성장시키는 단계를 포함하여 이루어지며, 기판으로 사용될 물질과 GaN과의 격자상수 차와 열팽창계수의 차이를 줄여 고품질의 단결정을 성장시킬 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100689623B1
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：KR1020050072319
申请日：2005-08-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C30B15/14
Abstract: 본 발명은 반도체소자 및 발광소자의 단결정 성장장치에 관한 것으로, 제1 보호막을 고정하며 중앙에 관통홀을 갖는 고정부재와, 제2 보호막을 구비한 반도체소자 및 발광소자의 단결정 성장장치에 있어서, 상기 제1 보호막에 의해 보호되며 단결정을 성장시키기 위한 원료가 담긴 도가니와; 상기 제2 보호막의 외주에 형성되어 상기 도가니 내의 원료를 융해시키기 위한 고주파를 발생시키는 고주파 발생부와; 상기 도가니의 하부에 형성되어 상기 도가니 내의 융해된 융액을 분출하기 위한 노즐(nozzle)과; 상기 노즐(nozzle)에 시딩(seeding)된 후 상기 고정부재의 관통홀을 통해 이송되어 상기 노즐(nozzle)에서 분출되는 융액으로 단결정을 성장시키는 시드(seed)와; 상기 시드(seed)를 이송시키기 위한 시드 이송부를 포함하여 구성되며, 도가니의 하부에 형성된 노즐(nozzle)에 시드(seed)를 시딩(seeding)시킨 후 상기 도가니 내의 융액을 상기 노즐(nozzle)을 통해 하강시켜 온도구배로 단결정을 성장시키게 되며, 도가니에 고주파 유도 가열방식으로 원료를 융해하고 도가니 하부에 있는 판상 형태로 제작된 노즐(nozzle)을 통하여 단결정을 성장시킴으로써 열 스트레인(strain)에 의한 결정화 및 크랙(crack) 형성 등이 없는 고품질의 결정제조가 가능한 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体器件的单晶生长装置和具有引导至半导体元件和发光元件，固定于所述第一保护膜和具有在中心具有通孔的固定构件的单晶生长装置的发光装置中，第二保护膜， 坩埚，由第一保护膜保护并包含用于生长单晶的原料; 高频产生单元，形成在第二保护膜的外周上以产生用于熔化坩埚中的原材料的高频波; 喷嘴，形成在坩埚的下部以喷射坩埚中的熔融熔体; 接种到喷嘴并通过固定构件的通孔传送以通过从喷嘴喷射的熔体生长单晶的晶种; 以及用于转移种子的种子转移单元，种子被接种在形成在坩埚下部的喷嘴中，然后坩埚中的熔体通过喷嘴 通过高频感应加热法将原料在坩埚中熔化，并通过在坩埚下部形成为板状的喷嘴使单晶生长，从而通过热应变和/ 具有能够制造无裂纹形成等的高品质的结晶的效果。
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公开(公告)号：KR1020070017751A
公开(公告)日：2007-02-13
申请号：KR1020050072324
申请日：2005-08-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 발광소자는 기판과; 상기 기판 표면에 성장되는 중간층과; 상기 기판과 중간층 상에 성장되는 박막을 포함하여 구성되고, 발광소자 제조방법은 (a) μ-PD(micro pulling down)법으로 β-Ga
2 O
3 단결정 기판을 성장시키는 단계와; (b) 상기 (a)단계에서 성장된 β-Ga
2 O
3 단결정 기판 표면을 NH
3 가스 분위기에서 열처리하여 아모노리시스(ammonolysis) 반응으로 산소와의 결합이 질소와의 결합으로 치환시켜 GaN 버퍼층을 성장시키는 단계와; (c) 상기 (b)단계에서 성장된 기판과 중간층 상에 GaN 박막을 성장시키는 단계를 포함하여 이루어지며, 기판으로 사용될 물질과 GaN과의 격자상수 차와 열팽창계수의 차이를 줄여 고품질의 단결정을 성장시킬 수 있는 효과가 있다.Abstract translation: 发光器件及其制造方法技术领域本发明涉及一种发光器件及其制造方法，其中发光器件包括衬底; 生长在衬底表面上的中间层; 以及在所述衬底和所述中间层上生长的薄膜，其中所述发光器件制造方法包括以下步骤：（a）通过微下拉法形成p-Ga层;
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公开(公告)号：KR1020070017748A
公开(公告)日：2007-02-13
申请号：KR1020050072319
申请日：2005-08-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C30B15/14
Abstract: 본 발명은 반도체소자 및 발광소자의 단결정 성장장치에 관한 것으로, 제1 보호막을 고정하며 중앙에 관통홀을 갖는 고정부재와, 제2 보호막을 구비한 반도체소자 및 발광소자의 단결정 성장장치에 있어서, 상기 제1 보호막에 의해 보호되며 단결정을 성장시키기 위한 원료가 담긴 도가니와; 상기 제2 보호막의 외주에 형성되어 상기 도가니 내의 원료를 융해시키기 위한 고주파를 발생시키는 고주파 발생부와; 상기 도가니의 하부에 형성되어 상기 도가니 내의 융해된 융액을 분출하기 위한 노즐(nozzle)과; 상기 노즐(nozzle)에 시딩(seeding)된 후 상기 고정부재의 관통홀을 통해 이송되어 상기 노즐(nozzle)에서 분출되는 융액으로 단결정을 성장시키는 시드(seed)와; 상기 시드(seed)를 이송시키기 위한 시드 이송부를 포함하여 구성되며, 도가니의 하부에 형성된 노즐(nozzle)에 시드(seed)를 시딩(seeding)시킨 후 상기 도가니 내의 융액을 상기 노즐(nozzle)을 통해 하강시켜 온도구배로 단결정을 성장시키게 되며, 도가니에 고주파 유도 가열방식으로 원료를 융해하고 도가니 하부에 있는 판상 형태로 제작된 노즐(nozzle)을 통하여 단결정을 성장시킴으로써 열 스트레인(strain)에 의한 결정화 및 크랙(crack) 형성 등이 없는 고품질의 결정제조가 가능한 효과가 있다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101779141B1
公开(公告)日：2017-09-18
申请号：KR1020160085634
申请日：2016-07-06
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C09K11/7734 , B01J6/001 , C09K11/7731
Abstract: 실리케이트계장잔광형광체및 상기실리케이트계장잔광형광체의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 仪表余辉硅酸盐磷光体及其制造硅酸盐仪表余辉性荧光体的方法。
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公开(公告)号：KR1020160122667A
公开(公告)日：2016-10-24
申请号：KR1020160045784
申请日：2016-04-14
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C09K11/02 , C09K11/7734 , C09K11/7774
Abstract: 리모트형광복합체및 상기리모트형광복합체의제조방법에관한것이다.
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