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公开(公告)号：WO2012118310A2
公开(公告)日：2012-09-07
申请号：PCT/KR2012/001459
申请日：2012-02-27
CPC classification number: C09K11/77
Abstract: 제 1 금속 할로겐화물, 제 2 금속 할로겐화물, 및 Al, Si, P, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 3 주기 원소의 산화물 전구체를 포함하는 용액을 수득하는 단계, 및 상기 용액에 환원제를 첨가한 후 열처리하는 단계를 포함하는, 옥시할로겐화물계 형광체의 제조 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 包含选自由第一金属卤化物，第二金属卤化物和Al，Si，P，和P组成的组的三循环元素的氧化物前体的溶液。 本发明涉及卤氧化物系荧光体的制造方法，其特征在于，包括以下工序：
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公开(公告)号：KR101652792B1
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：KR1020100014738
申请日：2010-02-18
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L33/46
Abstract: 발광소자및 그제조방법이개시된다. 발광소자는, 기판상에서로다른전도성타입의제1 및제2반도체물질층, 제1 및제2반도체물질층사이에위치되며광이발생되는활성층을포함하는적층구조물및 적층구조물에대해비 평행면을가져난반사를유도하고내부전반사를줄이도록된 자기조립폴리머패턴을구비한다.
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公开(公告)号：KR101503797B1
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：KR1020120020630
申请日：2012-02-28
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본원은 염화물을 포함한 실리케이트계 형광체를 알칼리성 물질로 처리하는 것을 포함하는, 염화물계 또는 산화물계 형광체 분말의 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 염화물계 또는 산화물계 형광체 분말에 관한 것으로서, 염화물을 이용한 강력한 산화 또는 환원시키는 것을 통해 희토류 금속이 첨가된 형광체의 발광강도를 증가시키고 상대적으로 낮은 온도에서 보다 안정하게 환원된 형광체 및 이의 제조방법을 제공할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101419858B1
公开(公告)日：2014-07-17
申请号：KR1020120068520
申请日：2012-06-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 알칼리 토금속염, 희토류 금속염, 3 족 금속염, 및 과량의 4 족 원소의 산화물 전구체를 포함하는 혼합 용액을 수득하는 것; 및 상기 혼합 용액에 셀룰로오스를 첨가한 후 열처리 하는 것을 포함하는 형광체의 제조 방법, 및 상기 방법에 의하여 제조되는 형광체에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR101397154B1
公开(公告)日：2014-05-20
申请号：KR1020140033449
申请日：2014-03-21
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본원은, 희토류 금속이 첨가된 염화실리케이트계 형광체 및 그 제조방법으로서, 염소 원자의 큰 이온반경을 이용하여 장파장에서 발광되는 효과를 가지는 희토류 금속이 첨가된 염화실리케이트계 형광체 및 그 제조방법에 관한 것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140047634A
公开(公告)日：2014-04-22
申请号：KR1020140033445
申请日：2014-03-21
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: The present invention relates to a chlorosilicate based fluorescent body containing rare-earth metals and a preparing method of the same, and specifically, to a chlorosilicate based fluorescent body containing rare-earth metals having an effect of emitting light in long wavelengths using large ion radius of chlorine elements, and a preparing method of the same. The obtained chlorosilicate based fluorescent body has a composition of M-Si-O-Cl, M-Si-B-O-Cl, M-Si-Al-O-Cl, or M-Si-P-O-Cl, wherein M is selected from the group consisting of alkali metal, alkali earth metal, transition metals, the rare-earth metal, and a combination thereof. [Reference numerals] (AA) Metal solution, water-soluble silicon compound(WSS); (BB) Immersion(cellulose); (CC) Stirring, grinding, and drying under the ultrasound; (DD) First sintering(150-400°C, air); (EE) Second sintering(500-1000°C, air); (FF) 700-1400°C, sintering under the reduction; (GG) Fluorescent body
Abstract translation: 本发明涉及含有稀土金属的氯硅酸盐系荧光体及其制备方法，具体而言，涉及含有稀土金属的氯硅酸盐系荧光体，其具有使用大离子半径的长波长发光的效果 的氯元素及其制备方法。 获得的氯硅酸盐基荧光体具有M-Si-O-Cl，M-Si-BO-Cl，M-Si-Al-O-Cl或M-Si-PO-Cl的组成，其中M选自 由碱金属，碱土金属，过渡金属，稀土金属组成的组及其组合。 （附图标记）（AA）金属溶液，水溶性硅化合物（WSS）; （BB）浸渍（纤维素）; （CC）在超声波下搅拌，研磨和干燥; （DD）第一烧结（150-400℃，空气）; （EE）第二烧结（500-1000℃，空气）; （FF）700-1400℃，还原下烧结; （GG）荧光体
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公开(公告)号：KR1020140031759A
公开(公告)日：2014-03-13
申请号：KR1020120098485
申请日：2012-09-05
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L29/0684 , B82Y10/00 , H01L21/02458 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02488 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02658 , H01L29/0665 , H01L29/122 , H01L29/127 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: Disclosed are a nitride semiconductor device and a manufacturing method thereof. The nitride semiconductor device includes: a substrate; a potential control layer including, on the substrate, a nanocomposite of first and second nanoparticles made of different materials; and a nitride semiconductor layer formed on the potential control layer.
Abstract translation: 公开了一种氮化物半导体器件及其制造方法。 氮化物半导体器件包括：衬底; 在所述基板上包括由不同材料制成的第一和第二纳米颗粒的纳米复合材料的电位控制层; 以及形成在电位控制层上的氮化物半导体层。
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公开(公告)号：KR101835004B1
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：KR1020110049016
申请日：2011-05-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L33/36
Abstract: 개시된발광소자는제1반도체층, 활성층, 제2반도체층과제2반도체층상에마련된그래핀패턴층을을포함할수 있다. 개시된발광소자는그래핀패턴층상에마련된폴리머패턴층을더 포함할수 있다. 그리고, 개시된발광소자의제조방법은제1반도체층, 활성층, 제2반도체층을형성하는단계와제2반도체층상에그래핀패턴층을형성하는단계를포함할수 있다. 개시된발광소자의제조방법은그래핀패턴층상에폴리머패턴층을형성하는단계를더 포함할수 있다.
Abstract translation: 所公开的发光器件可以包括第一半导体层，有源层，第二半导体层以及设置在第二半导体层上的石墨烯图案层。 所公开的发光器件可以进一步包括设置在石墨烯图案层上的聚合物图案层。 所公开的制造发光器件的方法可以包括形成第一半导体层，有源层和第二半导体层，以及在第二半导体层上形成石墨烯图案层。 所公开的制造发光器件的方法可以进一步包括在石墨烯图案层上形成聚合物图案层。
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公开(公告)号：KR101419854B1
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：KR1020140058921
申请日：2014-05-16
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본원은 염화물계 형광체를 Si
3 N
4 또는 Si
2 ON
2 과 반응시켜 상대적으로 저온에서 합성되는 질화물계 형광체 및 CRN (carbothermal reduction and nitridation) 법을 통해 합성되는 산질화물계 형광체 또는 질화물계 형광체 분말, 및 그 제조 방법에 관한 것이다.-
公开(公告)号：KR101397156B1
公开(公告)日：2014-05-20
申请号：KR1020140033446
申请日：2014-03-21
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본원은, 희토류 금속이 첨가된 염화실리케이트계 형광체 및 그 제조방법으로서, 염소 원자의 큰 이온반경을 이용하여 장파장에서 발광되는 효과를 가지는 희토류 금속이 첨가된 염화실리케이트계 형광체 및 그 제조방법에 관한 것이다.
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