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公开(公告)号：KR101939114B1
公开(公告)日：2019-01-17
申请号：KR1020170124487
申请日：2017-09-26
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/0392 , H01L31/18
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公开(公告)号：KR101779508B1
公开(公告)日：2017-09-18
申请号：KR1020160123156
申请日：2016-09-26
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/18 , H01L31/0749 , H01L31/0392 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은화합물박막태양전지제조장치및 이를이용한열처리공정방법에관한것이다. 금속/ 금속-화합물물질로구성하고있는전구체를셀렌화및 황화열처리제조시스템를통하여 4원계이상화합물흡수층제작열처리공정방법에관한것이다. 본발명의태양전지제조장치는가압챔버, 밀폐된가압챔버내부에결합되는셀렌화및 황화열처리트레이및 기판트레이로구성되어있으며, 보다효율적으로열전달및 화합물결정성장을위한열전달플랭크가배치되었다. 상기트레이는보다효율적으로칼코젠원소를효율적으로공급함으로써셀렌/황화원소비율이조절이용이하고, 셀레늄및 황증기와불활성기체를챔버내부에서가열하여열처리공정시전구체의박막결정형성을극대화할 수있다.
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公开(公告)号：KR1020170036606A
公开(公告)日：2017-04-03
申请号：KR1020160113869
申请日：2016-09-05
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0445 , H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은이중광흡수층을포함하는박막태양전지및 이의제조방법에관한것으로, 더욱자세하게는밴드갭이서로다른 1차광흡수층과 2차광흡수층을황화공정과셀렌화공정을각각적용하여이중층의광흡수층을형성하고, 광흡수율향상을통한광전변환효율을향상시킨박막태양전지및 이의제조방법에관한것이다. 본발명에따른박막태양전지는밴드갭이서로다른두 광흡수층을포함함으로써넓은태양광파장영역을흡수할수 있어높은광전변환효율을구현할수 있다. 특히, 후면전극과버퍼층사이에 CZTS/CZTSe 순서로광흡수층이형성된경우 2개층의광흡수층에서형성된전자가광흡수층과버퍼층과의원활한밴드계면을형성할수 있으므로전류특성이전체적으로향상된다.
Abstract translation: 本发明是一种薄膜太阳能电池，以及它们的其涉及一种方法，用于制备，更具体地，光吸收层的带隙不同的初级光吸收层和双层分别施加到硫化过程中的次光吸收层和硒化过程包括yijunggwang吸收层 并且通过提高光吸收率提高光电转换效率，以及制造该薄膜太阳能电池的方法。 根据本发明的薄膜太阳能电池，可以通过包括不同的带隙的两个光吸收层也可以实现高的光电转换效率吸收大型阳光的光的波长区域。 特别是，由于，如果形成所述光吸收层之间的后电极和CZTS / CZTSe顺序缓冲层，形成在两个层的光吸收层上的电子可形成光滑带，光吸收层和缓冲层之间的界面，电流特性作为整体提高。
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公开(公告)号：KR101635955B1
公开(公告)日：2016-07-07
申请号：KR1020140149048
申请日：2014-10-30
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/046 , H01L31/0272 , H01L31/0264
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은금속전구체를증착하여광흡수층을형성하는단계; 및도펀트물질로상기광흡수층을도핑하는열처리단계를포함하는박막태양전지제조방법에관한것으로, 상기열처리단계를통하여, 박막태양전지의광흡수층이최적의효울을나타내는밴드갭을가지도록조절하는, 박막태양전지제조방법및 제조된박막태양전지에관한것이다.
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45.发明授权
公开(公告)号：KR101628312B1
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：KR1020140150491
申请日：2014-10-31
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/046 , H01L31/0272 , H01L31/0264
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은 (1) 기판상에후면전극층을형성하는단계; (2) 상기후면전극층상에하나이상의금속전구체를불활성기체분위기하에서증착시켜하나이상의금속전구체층을형성하는단계; 및 (3) 상기금속전구체층을셀렌화열처리하여광흡수층을형성하는단계를포함하는 CZTSSe계박막태양전지의제조방법으로서, 상기열처리는 450℃내지 590℃의온도하에서커버를구비한챔버내에서수행되고, 챔버내 Se 금속의함량이 0.197g/mL 내지 0.250g/mL인조건하에서수행되는것을특징으로하는 CZTSSe계박막태양전지의제조방법에관한것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160038719A
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：KR1020150110499
申请日：2015-08-05
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/046 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본발명은 CZTS 박막태양전지의제조방법및 이에따라제조되는 CZTS 박막태양전지에관한것으로, 구체적으로는기판상에후면전극을형성하는단계(단계 1); 상기단계 1의후면전극상에에너지빔을조사하여후면전극을재결정화하는단계(단계 2); 및상기단계 2의후면전극상에 CZTS(CuZnSn(S,Se)) 광흡수층을형성하는단계(단계 3);를포함하는 CZTS 박막태양전지의제조방법에관한것이다. 본발명에따른 CZTS 박막태양전지의제조방법에따르면, 후면전극을재결정화함으로써후면전극과 CZTS 박막사이에발생할수 있는계면화합물을억제할수 있어, 후면전극장벽을낮춰서정공의흐름을향상시키고, 소자의직렬저항을개선해서충진률(Fill Factor)을향상시켜전체적인소자의효율이향상되는효과가있다. 또한, 후면전극의재결정화가에너지빔을통하여저온에서수행되므로, 소다석회유리와같이광흡수층의특성을향상시킬수 있는기판을사용할수 있는장점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用该方法制造的基于CZTS的薄膜太阳能电池的方法和基于CZTS的薄膜太阳能电池。 制造CZTS系薄膜太阳能电池的方法包括：在基板上形成背面电极的工序（工序1） 通过将能量束照射到步骤1的背面电极上来重新结晶背面电极的步骤（步骤2） 以及在步骤2的背面电极上形成CZTS（Cu_2ZnSn（S，Se）_4）光吸收层的步骤（步骤3）。根据根据本发明的CZTS系薄膜太阳能电池的制造方法 本发明的效果是，可以通过使背面电极再结晶来抑制在背面电极与CZTS系薄膜之间形成的界面化合物，从而可以通过减少 可以通过装置的串联电阻来提高背面电极屏障和填充因子，从而提高整体装置的效率。 另外，通过能量束在低温下进行背面电极的再结晶化，能够提高光学吸收层的特性的基板，例如钠钙玻璃基板， 可以雇用。
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公开(公告)号：KR1020150134263A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：KR1020150043102
申请日：2015-03-27
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L31/0256
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본발명은 Zn(O, S) 버퍼층 CZTS계박막태양전지의제조방법에관한것으로, 상세하게는 Zn(O, S) 버퍼층을원자층증착법으로형성하여정확한비율의 Zn(O, S) 버퍼층의제조가가능한 Zn(O, S) 버퍼층 CZTS계박막태양전지의제조방법에관한것이다. 본발명에따른 Zn(O, S) 버퍼층 CZTS계박막태양전지의제조방법은 CZTS의광흡수층상에 Zn(O, S)의버퍼층을원자층증착법으로형성시켜, Zn(O, S)의버퍼층의산화아연(ZnS), 황화아연(ZnO)의비율을정확하게제어할수 있으며, 원자층증착법에의해 CZTS계의광흡수층과접촉되는계면의품질이향상되어계면에서전류와전압의손실이저하되는효과가있으며, 기존의버퍼층에서사용되는물질인 CdS를사용하지않아제조공정상의환경오염문제를해결할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有Zn（O，S）缓冲层的CZTS系薄膜太阳能电池的制造方法，特别是Zn（O，S）缓冲层可以通过原子层沉积形成， 方法。 根据本发明的具有Zn（O，S）缓冲层的CZTS系薄膜太阳能电池的制造方法，Zn（O，S）缓冲层中的Zn（O，S） S）缓冲层可以通过原子层沉积法在CZTS的光吸收层上形成Zn（O，S）缓冲层而被精确地控制; 随着与基于CZTS的光吸收层接触的界面的质量通过原子层沉积法增加，界面上的电流和电压的损失减小; 并且不能使用作为现有的缓冲层用的材料的CdS来解决环境污染问题。
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48.发明公开
公开(公告)号：KR1020150051181A
公开(公告)日：2015-05-11
申请号：KR1020140150491
申请日：2014-10-31
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/046 , H01L31/0272 , H01L31/0264
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0445 , H01L31/0264 , H01L31/0272 , H01L31/046
Abstract: 본발명은 (1) 기판상에후면전극층을형성하는단계; (2) 상기후면전극층상에하나이상의금속전구체를불활성기체분위기하에서증착시켜하나이상의금속전구체층을형성하는단계; 및 (3) 상기금속전구체층을셀렌화열처리하여광흡수층을형성하는단계를포함하는 CZTSSe계박막태양전지의제조방법으로서, 상기열처리는 450℃내지 590℃의온도하에서커버를구비한챔버내에서수행되고, 챔버내 Se 금속의함량이 0.197g/mL 내지 0.250g/mL인조건하에서수행되는것을특징으로하는 CZTSSe계박막태양전지의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种基于CZTSSe的薄膜太阳能电池的制造方法，包括以下步骤：（1）在基板上形成背面电极层的步骤; （2）通过在惰性气体气氛中在背面电极层上沉积一个或多个金属前体层来形成一个或多个金属前体层的步骤; 和（3）通过硒化金属前体层形成光吸收层的步骤。 加热过程在450至590摄氏度之间的覆盖室中进行，室内硒金属含量在0.197至0.250g / mL之间。
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公开(公告)号：KR1020150035300A
公开(公告)日：2015-04-06
申请号：KR1020130115672
申请日：2013-09-27
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/04
Abstract: 본발명은금속-황화물질등으로구성된전구체를셀렌화열처리또는황화열처리하여 CZTS(Se)계박막태양전지를제조하는방법에관한것이다. 구체적으로는, 고온열처리시발생하는 MoSe층을제어하고, 광흡수층박막내의 S/Se의조성비조절이용이한열처리공정방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种通过对由金属 - 硫材料制成的前体进行硒化处理或硫化工艺来制造CZTS（Se）基薄膜晶体管的方法。 特别地，控制在高温热处理中产生的MoSe 2层。 可以容易地控制光吸收层中的S / Se的组成比。
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公开(公告)号：KR1020150023103A
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：KR1020130099643
申请日：2013-08-22
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
CPC classification number: H01L31/18 , C23C14/185 , C23C14/34 , C23C14/5806 , C23C14/5866 , H01L31/022425 , H01L31/03923 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 본 기재는 기판, 기판, 제 1 전극, 광흡수층, 버퍼층, 윈도우층, 제 2 전극을 포함하며, 상기 제 1 전극과 광흡수층의 계면에 M
x S
y
또는 M
x Se
y 의 화합물층(여기서, M은 금속이며, x 및 y는 자연수임)이 존재하며, 상기 M
x S
y
또는 M
x Se
y 의 화합물층의 두께가 150 nm이하인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지에 관한 것이다.Abstract translation: 本发明涉及一种薄膜太阳能电池，其包括基板，第一电极，光吸收层，缓冲层，窗口层和第二电极，其中MxSy或MxSey化合物层存在于 第一电极和光吸收层（这里，M是金属，x和y是自然数），MxSy或MxSey化合物层的厚度等于或小于150nm。
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