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公开(公告)号：KR1020050053997A
公开(公告)日：2005-06-10
申请号：KR1020030087262
申请日：2003-12-03
Applicant: 전자부품연구원
Inventor： 김훈
IPC: H01L27/146
Abstract: 본 발명은 이미지 센서 단위화소의 구조 및 고효율의 광검출특성에 관한 것으로, 보다 자세하게는 광여기된 소수캐리어를 축적하기 위한 전자포켓을 이용하여 다른 증폭장치 없이 고감도를 실현할 수 있는 고감도 고화소 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 상기 목적은 N형 반도체 기판의 일부영역에 형성된 저농도 P형 도핑영역, 상기 저농도 P형 도핑영역의 일부영역에 형성된 N형 도핑영역, 상기 N형 도핑영역의 일부영역에 고농도 P형 이온주입을 통하여 형성된 다수의 소오스 영역, 상기 N형 도핑영역의 일부영역에 고농도 P형 이온주입을 통하여 형성된 다수의 드레인 영역, 상기 N형 도핑영역의 일부영역에 상기 드레인 영역과 이격되어 고농도 N형 이온주입을 통하여 형성된 고농도 N형 도핑영역, 상기 일부 소오스 영역과 드레인 영역의 사이에 존재하며 외부 빛에 의하여 발생된 캐리어 중 전자가 외부에서 인가된 전계에 의하여 축적되는 전자포켓영역을 포함하는 채널영역, 상기 일부 채널 영역의 상부에 형성된 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 상부에 형성된 게이트 및 상기 게이트와 상 기 고농도 N형 도핑영역을 연결하는 연결부를 포함하여 이루어진 고감도 이미지 센서에 의해 달성된다.
따라서, 본 발명의 고감도 이미지 센서의 단위화소내 광검출부는 게이트 하부의 이온주입층 영역에 전자포켓을 형성함으로써 적은 빛이 수광되더라도 광여기된 소수캐리어가 전자포켓에 축적되어 광검출 트랜지스터의 문턱전압을 감소시켜 고감도의 광신호 출력을 얻을 수 있는 충분한 다이나믹 레인지를 확보할 수 있다.
또한, 광검출부가 자체 광신호 출력을 증폭할 수 있어 별도의 증폭소자를 화소내에 형성시키지 않으므로 단위화소의 크기를 대폭 줄일 수 있으며, 통상의 CMOS 공정을 사용하여 구동회로도 하나의 칩에 형성하여 최소사이즈의 이미지센서와 고감도를 실현할 수 있다.
또한, 바디부분의 고농도 n형 도핑영역과 게이트를 연결시켜줌으로써 외부전계의 추가공급없이 셀프 바이어스 효과를 기대할 수 있고, LBT에 의한 증폭으로 별도의 증폭소자를 줄일 수 있으므로 소자의 크기를 줄일 수 있으며, 트랜지스터와 다이오드를 하나의 칩에 형성하여 화소 사이즈를 최소화할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020040095079A
公开(公告)日：2004-11-12
申请号：KR1020030028681
申请日：2003-05-06
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L31/10
Abstract: PURPOSE: A structure of a high-sensitive nano photo-detector is provided to improve sensitivity and reduce dark current by connecting electrically a floating gate to a body and forming channel width with a nano size level. CONSTITUTION: A structure of a high-sensitive nano photo-detector includes a channel(20) formed on an active SOI wafer, a gate insulating layer formed around the channel, a gate for controlling the carrier flow of the channel, a source(10) and a drain(11) formed at both ends of the channel, and a metal layer connected to the gate, the source, and the drain. The channel is formed with a quantum channel of a nano size. A body(21) as a neutral region of the channel is electrically connected to the gate.
Abstract translation: 目的：提供高灵敏度纳米光电探测器的结构，通过将浮动栅极电连接到主体并以纳米级别形成通道宽度来提高灵敏度并减少暗电流。 构成：高灵敏度纳米光检测器的结构包括形成在有源SOI晶片上的通道（20），围绕通道形成的栅极绝缘层，用于控制通道的载流子流的栅极，源极（10） ）和形成在通道的两端的漏极（11）以及连接到栅极，源极和漏极的金属层。 该通道由纳米尺寸的量子通道形成。 作为通道的中性区域的主体（21）电连接到门。
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公开(公告)号：KR1020040036338A
公开(公告)日：2004-04-30
申请号：KR1020020065313
申请日：2002-10-24
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L31/10
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a photo detector is provided to increase the surface area of a light absorbing part for the same incident surface area by additionally performing a simple etching process on a conventional PIN(Positive-Intrinsic-Negative) photo diode. CONSTITUTION: An N+ doped region is formed at the backside of an intrinsic substrate. A P+ doped region is formed on the upper surface of the intrinsic substrate by using the first predetermined mask. The second predetermined mask is additionally used for etching the P+ doped region in order to form a light absorbing region of a PIN photo diode. The P+ doped region and the intrinsic substrate are etched by using the second predetermined mask. Preferably, the second predetermined mask is made of photoresist, SiO2, or Si3N4.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造光电检测器的方法，通过对传统的PIN（正 - 内 - 负）光电二极管进行简单的蚀刻处理，增加相同入射表面积的光吸收部分的表面积。 构成：在本征衬底的背面形成N +掺杂区域。 通过使用第一预定掩模在本征衬底的上表面上形成P +掺杂区域。 为了形成PIN光电二极管的光吸收区域，另外使用第二预定掩模来蚀刻P +掺杂区域。 通过使用第二预定掩模蚀刻P +掺杂区域和本征衬底。 优选地，第二预定掩模由光致抗蚀剂，SiO 2或Si 3 N 4制成。
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公开(公告)号：KR1020120116754A
公开(公告)日：2012-10-23
申请号：KR1020110034386
申请日：2011-04-13
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H04N21/443 , H04N21/40 , H04N5/44 , H04N5/63
CPC classification number: H04N21/4436 , H04N21/42204
Abstract: PURPOSE: An automatic mode switching method of a broadcasting receiving apparatus and a broadcasting receiving apparatus applying the same are provided to reduce recognition time and to extend a range of STB non-use state recognition. CONSTITUTION: If a remote signal is received from a remote controller to a remote controller receiving unit, a processor recognizes a user command by analysis of the received remote controller signal(S420,S430). If the recognized user command is a TV-OFF command, the processor switches an operation mode of an STB(Set Top Box) into a standby mode(S440,S450). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S410) Operating in an ON mode; (S420) Remote controller signal is received?; (S430) Verifying an user command by analyzing the remote controller signal; (S440) User command=TV OFF command?; (S450) Stand-by mode conversion
Abstract translation: 目的：提供一种广播接收装置和应用该广播接收装置的广播接收装置的自动模式切换方法，以减少识别时间并扩展STB不使用状态识别的范围。 构成：如果从遥控器接收远程信号到遥控器接收单元，则处理器通过分析所接收的遥控器信号来识别用户命令（S420，S430）。 如果识别的用户命令是TV-OFF命令，则处理器将STB（机顶盒）的操作模式切换到待机模式（S440，S450）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S410）工作在ON模式; （S420）接收遥控器信号？ （S430）通过分析遥控器信号验证用户命令; （S440）用户命令= TV OFF命令？ （S450）待机模式转换
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公开(公告)号：KR100942440B1
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：KR1020070110075
申请日：2007-10-31
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 마이크로 플레이트의 시료들에 대해 한번에 촬영된 이미지로 각각의 pH, O
2 농도, CO
2 농도 등의 정보를 얻을 수 있는 시료분석 장치에 대한 것으로서, 시료를 담기 위한 복수의 웰이 위치하는 웰 유닛부 및 상기 웰 유닛부의 측면에 결합되는 색상 참조부로 구성되는 마이크로 플레이트, 상기 마이크로 플레이트의 웰 각각에 균일한 백색 광을 조사하는 플레이트형 광원 유닛, 상기 플레이트형 광원 유닛의 반대편에 위치하고 상기 마이크로 플레이트 전체 이미지를 얻기 위한 이미지 센서 및 상기 이미지 신호의 각 웰에 대응되는 영역의 RGB값을 산출하고, 상기 색상 참조부에 대응되는 영역의 이미지 신호를 참조하여 상기 RGB값 각각을 보정하고, 상기 보정된 RGB값을 상기 제어부에 저장된 RGB 변화표와 비교하여 상기 웰 각각의 시료에 대한 정보를 산출하여 출력하는 제어부를 포함한다.
pH, 농도, 마이크로 플레이트, 균일광, 보정-
Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR2020090004505U
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：KR2020070018035
申请日：2007-11-08
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: A61B10/0233 , A61B2560/04
Abstract: 본 고안은 피부조직을 소정 형상으로 펀칭한 후 펀칭된 피부조직이 펀칭팁으로부터 용이하게 분리되도록 하여 피부조직 채취시간을 절약하고, 펀칭팁에서 분리되지 않은 피부조직 샘플을 수작업으로 분리함에 따른 피부조직 샘플의 손상 및 오염을 방지하며, 작업자의 안전을 확보할 수 있는 피부조직 채취기에 관한 것이다.
본 고안의 피부조직 채취기는 일측이 복수개의 칼날로 갈라지며 피부조직을 절취하기 위한 펀칭팁, 상기 펀칭팁의 피부조직을 절취하는 쪽의 반대쪽 일측면에 연결되어 펀칭팁을 지지해주는 중간막대, 상기 중간막대의 일측면 중 펀칭팁과 연결되지 않은 쪽에 연결되어 펀칭팁에 압력을 주기 위한 누름판, 상기 펀칭팁과 중간막대의 돌출부 사이에 존재하여 펀칭팁, 중간막대 및 누름판에 탄성력을 주는 용수철, 상기 펀칭팁의 복수개의 칼날을 오므려주는 펀칭팁 조절부 및 상기 펀칭팁, 중간막대 및 누름판을 감싸는 본체를 포함함에 기술적 특징이 있다.
피부조직, 채취, 펀칭, 용수철, 분리, 탄성력Abstract translation: 本主题创新是从节省组织采样时间产生，以确保皮肤组织，其冲压皮肤组织成预定的形状从冲压尖端容易地分离，并手动分离不是从冲压尖端分离的组织样本后的冲孔的皮肤组织 能够防止样品的损伤和污染并确保操作者的安全的皮肤组织取样器。
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公开(公告)号：KR1020090044148A
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：KR1020070110098
申请日：2007-10-31
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 마이크로 플레이트의 시료들에 대해 한번에 촬영된 이미지로 각각의 pH, O
2 농도, CO
2 농도 등의 정보를 얻을 수 있도록 마이크로 플레이트의 각각의 웰에 대해 균일한 광을 동시에 조사하는 광원 장치에 대한 것으로서, 내부에 공동이 형성되고, 마이크로 플레이트의 각 웰에 대응되는 영역에 형성된 복수의 통공을 포함하는 광원 플레이트, 상기 통공의 내부로 연장되고, 상기 광원 플레이트의 내부 방향으로 벌어지는 형상의 캡 및 상기 광원 플레이트의 적어도 하나의 일측변에 부착된 측부 광원을 포함하고, 상기 복수의 통공 각각을 통해 발산되는 각각의 광은 균일한 것을 특징으로 한다.
마이크로 플레이트, 균일광, 광효율, 광산란-
公开(公告)号：KR100866258B1
公开(公告)日：2008-11-03
申请号：KR1020060135843
申请日：2006-12-28
Applicant: 전자부품연구원
IPC: A61B5/00
Abstract: 본 발명은 대상물의 피부에 빛을 입사시키는 광원, 상기 광원으로부터 상기 대상물로 입사되어 확산된 빛의 세기를 상기 대상물의 피부로부터의 거리에 따른 데이터로써 측정하는 리니어 이미지 센서 및 상기 리니어 이미지 센서에서 측정된 데이터를 통해 상기 대상물의 피부 두께를 분석하는 특성분석수단을 포함하는 피부 특성 측정장치에 대한 것으로서 비교적 간단한 수단에 의해 정확도가 높은 피부 두께 등의 특성을 산출할 수 있다.
피부 두께, 리니어 이미지 센서, 피부 굴곡, 빛의 확산-
公开(公告)号：KR1020070068080A
公开(公告)日：2007-06-29
申请号：KR1020050129813
申请日：2005-12-26
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/1203 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: An SOI image sensor is provided to use signal processing techniques of a conventional image sensor in the surface of an SOI substrate by using a small and high-reliable silicon device in a periphery part while performing a signal process with high speed and high sensitivity by an SOI light receiving pixel of a minimum light receiving unit. A light receiving pixel(210) converts light into an electrical signal, formed on an SOI substrate. A signal process part(200) converts the electrical signal received from the light receiving pixel into a digital signal, adjoining the light receiving pixel and formed in a region of the SOI substrate from which a buried oxide layer(230) is removed. The light receiving pixel can include a reset transistor, an amplification transistor and an address select transistor. The reset transistor resets an image sensor applied from the outside and controlled by a reset signal. The amplification transistor amplifies the photoelectrically converted signal outputted from the light receiving pixel. The address select transistor switches the amplification signal outputted from the amplification transistor.
Abstract translation: 提供SOI图像传感器，以通过在周边部分中使用小且高可靠性的硅器件来在SOI衬底的表面中使用传统图像传感器的信号处理技术，同时通过以下方式执行高速和高灵敏度的信号处理 最小光接收单元的SOI光接收像素。 光接收像素（210）将光转换成形成在SOI衬底上的电信号。 信号处理部件（200）将从光接收像素接收的电信号转换成邻接光接收像素的数字信号，并形成在去除了掩埋氧化物层（230）的SOI衬底的区域中。 光接收像素可以包括复位晶体管，放大晶体管和地址选择晶体管。 复位晶体管复位从外部施加并由复位信号控制的图像传感器。 放大晶体管放大从光接收像素输出的光电转换信号。 地址选择晶体管切换从放大晶体管输出的放大信号。
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