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公开(公告)号：KR1020090108757A
公开(公告)日：2009-10-19
申请号：KR1020080034016
申请日：2008-04-14
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H01L51/5221 , H01L21/31058 , H01L51/5253 , H01L2924/01038
Abstract: PURPOSE: An organic light-emitting diode device is provided to enhance the stability using a metal transparent electrode instead of an inorganic thin layer. CONSTITUTION: An organic light-emitting diode device includes a cathode layer. The cathode layer includes a transmitter(4) and a stiffening layer(5). The transmitter is formed by the thickness more than 3nm with the metal of the low work function. The transmitter has a transparency more than 20%. The stiffening layer is the high-conductivity and low-reaction metal, and is formed on the transmitter to increase the permeability over 60%. The thickness of the cathode layer is 8 nm ~ 35nm.
Abstract translation: 目的：提供一种有机发光二极管装置，以使用金属透明电极代替无机薄层来提高稳定性。 构成：有机发光二极管装置包括阴极层。 阴极层包括发射器（4）和加强层（5）。 发射机由低功函数的金属形成，厚度大于3nm。 发射机的透明度超过20％。 加强层是高导电性和低反应性金属，并且形成在变送器上以增加渗透率超过60％。 阴极层的厚度为8nm〜35nm。
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公开(公告)号：KR100681250B1
公开(公告)日：2007-02-09
申请号：KR1020040114477
申请日：2004-12-28
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/786 , H05B33/00
Abstract: 본 발명은 비대칭 전극 구조를 가지는 유기 발광 트랜지스터 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 일함수가 비대칭인 소스 전극과 드레인 전극을 형성하여 금속과 유기 발광 물질막 사이에 접촉저항을 줄여 높은 발광 효율을 갖는 소자를 구현할 수 있는 효과가 있다.
유기, 일함수, 트랜지스터, 발광-
公开(公告)号：KR100666300B1
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：KR1020040114476
申请日：2004-12-28
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G02F1/1335
Abstract: 본 발명은 플렉서블(Flexible) 액정 디스플레이에 관한 것으로, 상호 대향되어 일정 간격으로 이격되어 있는 한 쌍의 플렉서블 편광필름과; 상기 한 쌍의 플렉서블 편광필름 사이에 개재되는 액정 물질과; 상기 액정 물질을 감싸고, 상기 한 쌍의 플렉서블 편광필름에 접착되어 있는 봉지부를 포함하여 구성된다.
따라서, 본 발명은 한 쌍의 플렉서블 편광필름 사이에 액정 물질을 개재하여 디스플레이를 구현함으로써, 종래 기술과 같이 고분자 기판을 사용하여 디스플레이의 경박단소화를 시킬 수 없는 한계를 극복하고, 2장의 고분자 필름 기판을 사용할 필요가 없어, 디스플레이를 매우 얇은 두께로 제작할 수 있으며, 추가적인 편광판 부착 공정이 필요 없게 되어 제작 공정의 단순화시킬 수 있고 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
플렉서블, 디스플레이, 편광, 액정-
公开(公告)号：KR100576685B1
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：KR1020030071327
申请日：2003-10-14
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G02F1/1343
Abstract: 본 발명은 전자장치용 투명전극에 관한 것으로, 본 발명의 투명전극은, Mg, Ba와 Ca 중 선택된 어느 한 물질로 이루어진 제 1 금속층과; 상기 제 1 금속층 상부에 형성되며, Ag 또는 Al로 이루어진 제 2 금속층으로 형성하거나, 또는, Ca＼CaOx＼Ag, CaOx＼Ag, CaOx＼Ag＼AgOx, Ca＼AgOx, CaOx＼AgOx와 Ca＼Ag＼AgOx 중 선택된 어느 하나의 적층막으로 형성한다.
따라서, 본 발명은 투명전극 증착시 하부층에 손실을 주지 않고, 전기 전도도가 우수하며, 두께를 얇게 형성하여도 투과도를 우수하게 할 수 있으며, 기존의 ITO막에 비하여 저가의 재료, 장비와 공정으로 우수한 품질의 투명 전극을 얻을 수 있는 효과가 있다.
투명전극, 금속, Ca, Ag, 산화막-
公开(公告)号：KR1020050060530A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：KR1020030092166
申请日：2003-12-16
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 플렉서블 기판을 갖는 전자장치에 관한 것으로, 플렉서블 기판 상부에 구동할 수 있는 전자 소자들이 형성되어 있는 플렉서블 기판을 갖는 전자장치에 있어서, 상기 전자 소자들과 플렉서블 기판을 감싸서 형성되어 휘어짐에 따른 특성 저하를 방지할 수 있는 유기 보호막이 더 구비되어 있는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명은 전자 소자를 감싸며 플렉서블 기판 상부에 유기 보호막을 형성하여, 플렉서블 기판이 휘어질 때, 인가되는 충격으로부터 전자소자를 보호할 수 있으므로, 크랙 발생을 저하시켜, 기계적 특성을 우수할 수 있는 효과가 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100488428B1
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：KR1020030034944
申请日：2003-05-30
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H05B33/10
Abstract: 본 발명은 유기 전계 발광 표시 패널 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 낮은 일함수를 갖는 투명 전도성 금속을 이용해 캐소드 전극을 형성함으로써, 종래와 같이 얇은 두께의 금속 박막 위에 스퍼터링시켜 ITO를 증착함으로써 발광층의 유기물에 손상이 발생되는 것을 방지하여, 소자 구동시 쇼트가 발생되지 않도록 하며, 또한, 캐소드 전극을 낮은 일함수를 갖는 투명 전도성 금속을 사용해 이중층으로 형성함으로써 투과율이나 전기 전도도를 향상시킬 수 있도록 한다.
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公开(公告)号：KR1020050004578A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：KR1020030044818
申请日：2003-07-03
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: C01G19/02 , B82Y40/00 , C01G15/00 , C01P2004/64
Abstract: PURPOSE: A preparation method of nano-sized indium tin oxide(ITO) powder using colloidal dispersion of In and Sn in organic solvent as a start material is provided, which excludes the washing/neutralizing process for decrease in production process and cost, and lowers preparation temperature. CONSTITUTION: The nano-sized indium tin oxide(ITO) powder is prepared by the following steps of: (S10) preparing each colloidal solution containing In and Sn by separately dissolving indium acetate and tin acetate in organic solvent such as acetone, isopropyl alcohol or ethanol at room temperature, wherein the use of starting materials in the form of acetate, not chloride, reduces cost, process and temperature in the production of ITO powder; (S20) mixing In-solution and Sn-solution in a volume ratio of 85:15 - 95:5, and stirring the mixed solution to vaporize organic solvent; (S30) drying solvent-removed materials at 50-150deg.C for 20-40min to get a composite gel; (S40) thermal treating the composite gel at 250-350deg.C; and (S50) grinding thermal-treated composite and sieving.
Abstract translation: 目的：提供使用有机溶剂中In和Sn的胶体分散体作为起始材料的纳米尺寸氧化铟锡（ITO）粉末的制备方法，其不包括用于降低生产工艺和成本的洗涤/中和过程，并降低 制备温度。 构成：通过以下步骤制备纳米尺寸的氧化铟锡（ITO）粉末：（S10）通过将有机溶剂如丙酮，异丙醇或乙酸乙酯分别溶解在乙酸铅和乙酸镉中， 乙醇，其中以醋酸盐形式而不是氯化物的原料的使用降低ITO粉末生产中的成本，工艺和温度; （S20）以85:15〜95:5的体积比混合溶液和Sn溶液，并搅拌混合溶液以蒸发有机溶剂; （S30）在50-150℃干燥除去溶剂的物料20-40分钟，得到复合凝胶; （S40）在250-350℃热处理复合凝胶; 和（S50）研磨热处理复合材料和筛分。
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公开(公告)号：KR1020040103059A
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：KR1020030034944
申请日：2003-05-30
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H05B33/10
CPC classification number: H01L51/5234 , H01L27/3283 , H01L51/0014 , H01L2251/308 , H01L2251/5392
Abstract: PURPOSE: An organic electroluminescence display device and a method are provided to prevent damage of organic materials of a light emitting layer, by forming a cathode electrode from a transparent conductive material. CONSTITUTION: A method for manufacturing an organic electroluminescence display device comprises a first step of forming an anode electrode(21) by evaporating a metal on a substrate(20) and repeatedly patterning the metal; a second step of evaporating an insulation film(22) on the anode electrode, and exposing a certain part of the anode electrode by forming contact holes in each unit pixel region to emit light; a third step of depositing a barrier rib material on the insulation film, and forming barrier ribs(23) by patterning the barrier rib material in the direction orthogonal to the anode electrode; a fourth step of forming a light emitting layer(24) on the anode electrode exposed in the second step, insulation film deposited in the second step, and the barrier ribs formed in the third step; and a fifth step of forming a cathode electrode(25) by evaporating a transparent conductive metal having a low work function, on the light emitting layer formed in the fourth step.
Abstract translation: 目的：通过从透明导电材料形成阴极电极，提供有机电致发光显示装置和方法，以防止发光层有机材料的损坏。 构成：一种制造有机电致发光显示装置的方法包括：通过蒸发基板（20）上的金属并重复地图案化金属来形成阳极电极（21）的第一步骤; 蒸发阳极电极上的绝缘膜（22）的第二步骤，通过在每个单位像素区域中形成接触孔来曝光阳极电极的某一部分以发光; 在所述绝缘膜上沉积障壁材料的第三步骤，通过在与所述阳极电极正交的方向上对所述障壁材料进行图案化而形成阻挡肋（23）; 在第二步骤中暴露的阳极上形成发光层（24）的第四步骤，在第二步骤中沉积的绝缘膜和在第三步骤中形成的隔壁; 以及通过在第四步骤中形成的发光层上蒸发具有低功函数的透明导电金属形成阴极电极（25）的第五步骤。
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公开(公告)号：KR1020040024952A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：KR1020020056706
申请日：2002-09-18
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/861
Abstract: PURPOSE: A thin film diode device formed on a flexible polymer-based substrate and a fabricating method thereof are provided to reduce the generation of crack and the deformation by forming a stress buffering layer on the flexible polymer-based substrate and stacking a plurality of layers thereon. CONSTITUTION: A thin film diode device formed on a flexible polymer-based substrate includes a flexible polymer-based substrate(1), a stress buffering layer(5), a bottom electrode layer(2), an insulating layer(3), and a top electrode layer(4). The stress buffering layer(5) is formed on both sides of the flexible polymer-based substrate(1). The bottom electrode layer(2), the insulating layer(3), and the top electrode layer(4) are sequentially on the stress buffering layer. The stress buffering layer is formed with one of SiO2, Al2O3, MgO, and TiO2. The bottom electrode layer and the top electrode layer are formed with one of Ta, Ti, Cr, Al, Au, Ag, Ni, Cu, and ITO.
Abstract translation: 目的：提供一种形成在基于柔性聚合物的基底上的薄膜二极管器件及其制造方法，用于通过在柔性聚合物基底上形成应力缓冲层来减少裂纹和变形的产生，并堆叠多个层 在其上。 构成：在柔性聚合物基底上形成的薄膜二极管器件包括柔性聚合物基底（1），应力缓冲层（5），底部电极层（2），绝缘层（3）和 顶部电极层（4）。 应力缓冲层（5）形成在柔性聚合物基底（1）的两侧。 底部电极层（2），绝缘层（3）和顶部电极层（4）依次位于应力缓冲层上。 应力缓冲层由SiO 2，Al 2 O 3，MgO和TiO 2中的一种形成。 底电极层和顶电极层由Ta，Ti，Cr，Al，Au，Ag，Ni，Cu和ITO中的一种形成。
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公开(公告)号：KR1020030090825A
公开(公告)日：2003-12-01
申请号：KR1020020028411
申请日：2002-05-22
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/861 , B82Y30/00
Abstract: PURPOSE: A thin film diode and a fabricating method therefor are provided to use a three-layered thin film diode structure in a soft polymer substrate by forming an insulation layer and a mask between a lower electrode and an upper electrode. CONSTITUTION: A lower electrode(21) of a soft material is formed on a substrate(10). An insulation layer(25) of an organic material is formed on the substrate and the lower electrode. An upper mask of an insulation layer is applied to a position corresponding to the lower electrode. The insulation layer is patterned through a dry etch process. An upper electrode(23) is formed in a predetermined region of the lower electrode.
Abstract translation: 目的：提供薄膜二极管及其制造方法，通过在下电极和上电极之间形成绝缘层和掩模，在软质聚合物基板中使用三层薄膜二极管结构。 构成：在基材（10）上形成软质材料的下电极（21）。 在基板和下电极上形成有机材料的绝缘层（25）。 将绝缘层的上掩模施加到对应于下电极的位置。 通过干蚀刻工艺对绝缘层进行图案化。 上电极（23）形成在下电极的预定区域中。
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