公开(公告)号：KR1020140134246A

公开(公告)日：2014-11-21

申请号：KR1020140142872

申请日：2014-10-21

Applicant: 주성엔지니어링(주)

Inventor： 허승회 ,  한정훈

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

Abstract: 본 발명은 플라즈마 공간과 소스 가스 분사 공간을 분리하여 박막 물질의 균일도를 증가시키고 박막 물질의 막질 제어를 용이하게 할 수 있도록 한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 기판 상에 플라즈마를 분출시키기 위한 플라즈마 형성 공간; 상기 기판 상에 소스 가스(Source Gas)를 분사하기 위한 소스 가스 분사 공간; 및 상기 공정 챔버의 상부에 설치되며, 상기 기판 지지부 쪽으로 일정한 높이를 가지도록 나란하게 돌출되어 공간적으로 분리되는 상기 플라즈마 형성 공간과 상기 소스 가스 분사 공간을 마련하는 공간 형성 부재를 포함하여 구성될 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及通过从源气体注入空间分离等离子体空间并容易地控制薄膜材料的薄膜质量和基板处理方法来提高薄膜材料的均匀性的基板处理装置。 根据本发明的基板处理装置包括处理室; 基板支撑部，其安装在处理室并支撑基板; 用于将等离子体注入到基板上的等离子体形成空间; 用于将源气体注入到所述基板上的源气体注入空间; 以及空间形成构件，其安装在处理室的上部，并且准备在基板支撑部分中一排突出并在空间上分离以具有恒定高度的等离子体形成空间和源气体注入空间。

公开(公告)号：KR1020130133925A

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：KR1020120057047

申请日：2012-05-30

Applicant: 주성엔지니어링(주)

Inventor： 한정훈 ,  김영훈 ,  서승훈 ,  황철주

IPC: H01L21/205 ,  H01L31/18

CPC classification number: C23C16/50 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32051

Abstract: The present invention relates to a substrate processing apparatus capable of easily controlling the quality of a thin film and enhancing uniformity in deposition of the thin film deposited on the substrate and a substrate processing method. According to the present invention, the substrate processing apparatus includes a process chamber; a substrate support part supporting at least one substrate and installed on the bottom of the process chamber; a chamber lead covering the upper part of the process chamber to face the substrate support part; and a gas injection part partly injecting an activated source gas onto the substrate and installed in the chamber lead to partly face the substrate support part. The gas injection part forms plasma by a plasma formation gas and injects the source gas to a part of the plasma region where the plasma is formed to activate the source gas.

Abstract translation: 本发明涉及能够容易地控制薄膜质量并提高沉积在基板上的薄膜沉积的均匀性的基板处理装置和基板处理方法。 根据本发明，基板处理装置包括处理室; 衬底支撑部分，其支撑至少一个衬底并且安装在所述处理室的底部; 覆盖处理室的上部以面对衬底支撑部分的腔室引线; 以及气体注入部分，其将活化的源气体部分地注入到所述基板上并且安装在所述室中，以部分地面对所述基板支撑部。 气体注入部件通过等离子体形成气体形成等离子体，并将源气体注入形成等离子体的一部分等离子体区域，以激活源气体。

公开(公告)号：KR1020130085842A

公开(公告)日：2013-07-30

申请号：KR1020120006951

申请日：2012-01-20

Applicant: 주성엔지니어링(주)

Inventor： 한정훈

IPC: H01L21/205

Abstract: PURPOSE: A substrate treatment apparatus and a substrate treatment method are provided to increase a degree of deposition uniformity of a thin film deposited on a substrate by spatially separating a source gas and a reaction gas that are sprayed on the substrate. CONSTITUTION: A substrate support part (120) is installed in a process chamber and rotates in a predetermined direction. A chamber lid (115) covers an upper part of the process chamber to face the substrate support part. A gas spray part (130) spatially separates a first gas and a second gas that are different from each other and sprays on multiple substrates. A first gas spray module (130a) sprays the first gas that is supplied to a gas spray space prepared between multiple ground electrode members. A second gas spray module (130b) is distanced apart from the first gas spray module and supplies the second gas to a gas spray space prepared between the multiple ground electrode members.

Abstract translation: 目的：提供基板处理装置和基板处理方法，以通过空间分离喷射在基板上的源气体和反应气体来增加沉积在基板上的薄膜的沉积均匀度。 构成：衬底支撑部分（120）安装在处理室中并沿预定方向旋转。 腔室盖（115）覆盖处理室的上部以面对衬底支撑部分。 气体喷射部分（130）在空间上分离彼此不同的第一气体和第二气体，并在多个基板上喷射。 第一气体喷射模块（130a）喷射供应到在多个接地电极构件之间制备的气体喷射空间的第一气体。 第二气体喷射模块（130b）与第一气体喷射模块分开，并将第二气体供应到在多个接地电极构件之间制备的气体喷射空间。

公开(公告)号：KR1020130073777A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：KR1020110141796

申请日：2011-12-23

Applicant: 주성엔지니어링(주)

Inventor： 허승회 ,  한정훈

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68764 ,  B05D3/044 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32752 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/68771

Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for processing a substrate are provided to improve the use efficiency of a source gas by preventing the deposition of a thin film material on a plasma electrode member. CONSTITUTION: A substrate support part (120) is rotatable in a process chamber (110). The substrate support part supports substrates. A plasma formation space for discharging plasma onto the substrate is formed. A source gas injection space for emitting a source gas onto the substrate is formed. An electrode part (130) is arranged in the upper part of the substrate support part.

Abstract translation: 目的：提供一种用于处理基板的装置和方法，以通过防止薄膜材料沉积在等离子体电极构件上来提高源气体的使用效率。 构成：衬底支撑部分（120）可在处理室（110）中旋转。 基板支撑部分支撑基板。 形成用于将等离子体排放到基板上的等离子体形成空间。 形成用于将源气体发射到基板上的源气体注入空间。 在基板支撑部的上部配置电极部（130）。

公开(公告)号：KR101175265B1

公开(公告)日：2012-08-21

申请号：KR1020110063822

申请日：2011-06-29

Applicant: 주성엔지니어링(주)

Inventor： 노경석 ,  조정훈 ,  천민호 ,  최혁집 ,  한정훈

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02046

Abstract: PURPOSE: An apparatus and method for depositing a thin film are provided to prevent cleaning gas from penetrating through a catalyst gas supply pipe by supplying purge gas. CONSTITUTION: A processing chamber(110) provides a reaction space. A source material supply unit(210) supplies source materials to the processing chamber. A reactant supply unit(230) supplies reactants the processing chamber. A catalyst gas supply unit(250) supplies catalyst gas to the processing chamber. A cleaning gas supply unit(270) supplies cleaning gas to the processing chamber.

Abstract translation: 目的：提供一种用于沉积薄膜的设备和方法，以防止清洁气体通过供应吹扫气体而穿透催化剂气体供应管。 构成：处理室（110）提供反应空间。 源材料供给单元（210）将源材料供应到处理室。 反应物供应单元（230）为处理室提供反应物。 催化剂气体供给单元（250）向处理室供应催化剂气体。 清洁气体供给单元（270）向处理室提供清洁气体。

公开(公告)号：KR101170597B1

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：KR1020060042031

申请日：2006-05-10

Applicant: 주성엔지니어링(주)

Inventor： 한정훈 ,  유진혁 ,  김영록

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31608 ,  C23C16/045 ,  C23C16/507 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/76837

Abstract: 본 발명은, 갭이 형성된 기판을 챔버 내부의 기판안치대에 안치시키는 단계; 상기 챔버 내부로 비반응성 가스를 공급하고, 소스 RF전력을 인가하여 기판 상부의 반응공간에 플라즈마를 발생시키는 단계; 상기 반응공간에 증착용 공정가스를 공급하고, 바이어스 RF전력을 진폭변조시켜 기판안치대에 인가하는 단계; 상기 공정가스의 공급과 상기 바이어스 RF전력의 인가를 차단하는 단계; 상기 반응공간의 플라즈마를 소멸시키는 단계를 포함하는 갭필(Gap-fill) 방법 및 이를 위한 갭필 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 갭필 공정에서 바이어스 RF전력을 진폭변조시켜 공급함으로써 갭의 개구부로 입사하는 이온의 에너지 및 분압을 주기적으로 커졌다 작아지게 할 수 있다. 따라서 증착 및 식각에 기여하고 발생한 부산물이 재증착되지 않고 주기적으로 갭 외부로 원활하게 빠져나갈 수 있게 되어 갭필특성을 크게 향상시킬 수 있다.
갭필, HDP CVD, 진폭변조

公开(公告)号：KR101146906B1

公开(公告)日：2012-05-22

申请号：KR1020040052389

申请日：2004-07-06

Applicant: 주성엔지니어링(주)

Inventor： 한정훈 ,  김철식 ,  이용현

IPC: H01L21/68

Abstract: 본 발명은 반도체 제조 장치의 웨이퍼 고정용 정전척에 관한 것으로, 유전체 판, 쿨링 판 및 상기 유전체 판과 쿨링 판간을 결합시키기 위한 접속막을 포함하는 정전척에 있어서, 상기 유전체 판의 가장자리 영역이 굴절된다. 여기서, 웨이퍼가 파지되는 상기 유전체 판의 상부 가장자리 영역이 굴절되거나, 상기 유전체 판과 상기 쿨링 판이 결합하는 면의 가장자리 영역이 굴절될 수 있다. 이와같이 정전척의 세라믹 판과 쿨링 판을 결합시키는 인듐막의 가장자리에 소정의 경로차를 주어 외부의 플라즈마에 의한 인듐막의 손상을 방지할 수 있고, O-링의 제거하여 O-링으로 인한 접속면 사이의 간격을 제거하여 접촉을 향상시킬 수 있으며, 세라믹판 및 쿨링판의 바깥쪽 공간을 5mm이하로 줄일 수 있고, 이로인해 본딩영역을 더 넓게 할 수 있으며, 정전척의 수명을 늘릴 수 있다.
정전척, 경로차, 인듐막, 세라믹 판, 쿨링 판, 챔버, 웨이퍼

Abstract translation: 本发明涉及一种晶片卡盘，用于固定的半导体制造装置，根据所述电介质板，所述冷却板和所述静电卡盘，其包括连接膜为电介质板和冷却庞安，介电板的边缘区域接合被折射 。 这里，折射率电介质板或晶片的上边缘区域被保持，该表面的边缘区域以粘合电介质板和冷却板可以折射。 在该静电卡盘的陶瓷板之间，这样给出在用于冷却板耦合铟膜边缘上的预定路径差可以防止由于由外部等离子体铟膜的损伤，通过去除引起的O形环接触面的O形环的 以改善接触以除去间隙，并且可以到陶瓷板的外部空间和冷却板降低到小于5mm，这可以进一步更宽的接合面积，能够提高静电吸盘的寿命。

公开(公告)号：KR1020090001230A

公开(公告)日：2009-01-08

申请号：KR1020070065456

申请日：2007-06-29

Applicant: 주성엔지니어링(주)

Inventor： 한정훈 ,  유진혁

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76837 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76876

Abstract: The gap-filling method is provided to form the insulating layer having the thickness by using the ALD or the thermal chemical vapor deposition method and to fill the gap between the micro-patterns. The semiconductor substrate(210) having a plurality of patterns is formed. The first insulating layer(220) is deposited on the semiconductor substrate having a plurality of patterns. The first insulating layer is dry-etched with the predetermined thickness. The second insulating layer(230) is formed by using the plasma on the first insulating layer. The gap between a plurality of patterns is filled. The first insulating layer is deposited by using the ALD method or the thermal chemical vapor deposition method. The first insulating layer is deposited in a part of the region in which patterns are tightly formed.

Abstract translation: 提供间隙填充方法以通过使用ALD或热化学气相沉积方法形成具有厚度的绝缘层，并填充微图案之间的间隙。 形成具有多个图案的半导体基板（210）。 第一绝缘层（220）沉积在具有多个图案的半导体衬底上。 将第一绝缘层用预定厚度进行干蚀刻。 第二绝缘层（230）通过在第一绝缘层上使用等离子体形成。 填充多个图案之间的间隙。 通过使用ALD法或热化学气相沉积法沉积第一绝缘层。 第一绝缘层沉积在形成图案的区域的一部分中。

公开(公告)号：KR1020070109275A

公开(公告)日：2007-11-15

申请号：KR1020060042031

申请日：2006-05-10

Applicant: 주성엔지니어링(주)

Inventor： 한정훈 ,  유진혁 ,  김영록

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31608 ,  C23C16/045 ,  C23C16/507 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/76837

Abstract: A gap-fill method using an amplitude modulation RF power and a gap-fill apparatus for the same are provided to exhaust remaining particles periodically not to be deposited again by supplying a bias RF power through an amplitude modulation to vary periodically the energy of the incoming ions. A substrate having a gap is mounted on a substrate mounting plate(12) within a chamber(11). An inactive gas is supplied into the chamber, and plasma is generated at an reaction space on the substrate by adding a source RF power(15). A depositing process gas is supplied into the reaction space, and is added to the substrate mounting plate by performing amplitude modulation to the bias RF power(17). The process gas and the RF power are blocked. A plasma in the reaction space is eliminated.

Abstract translation: 提供了使用幅度调制RF功率的间隙填充方法和用于其的间隙填充装置，通过提供通过幅度调制的偏置RF功率来周期性地不再沉积的剩余颗粒来周期性地改变进入的能量 离子。 具有间隙的基板安装在室（11）内的基板安装板（12）上。 将惰性气体供应到室中，并通过添加源RF功率（15）在基板上的反应空间处产生等离子体。 将沉积工艺气体供应到反应空间中，并通过对偏压RF功率（17）进行幅度调制而添加到衬底安装板。 过程气体和RF功率被阻塞。 消除反应空间中的等离子体。

公开(公告)号：KR102205349B1

公开(公告)日：2021-01-20

申请号：KR1020200009663

申请日：2020-01-28

Applicant: 주성엔지니어링(주)

Inventor： 허승회 ,  한정훈

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 본발명은공정챔버, 상기공정챔버에회전가능하게설치되고, 복수의기판이탑재지지되는기판지지부, 상기기판지지부에대향되도록상기공정챔버의상부를덮는챔버리드, 및상기챔버리드에일정한간격으로설치된복수의전극모듈을포함하는기판처리장치에관한것이다.