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公开(公告)号：KR101238335B1
公开(公告)日：2013-03-04
申请号：KR1020110067802
申请日：2011-07-08
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/072 , H01L31/18 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 (1) n층은 제 1 아연화합물로 형성하고; (2) p층은 제 2 아연화합물로 형성하며; (3) np층의 이종접합은 (a) 아연 또는 제 3 아연화합물을 첨가한 후, 열처리하여 형성하거나, (b) 아연 또는 제 3 아연화합물 분위기에서 열처리하여 형성하는 것; 을 특징으로 하는 아연화합물을 이용한 이종접합 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 박막 태양전지는 첫째, CdTe, CdS와 같이 중금속을 함유하는 물질을 사용하지 않아 친환경적이라는 점에 종래기술과 차별화되는 유리한 효과가 인정되고, 둘째, 광흡수층을 포함한 모든 박막층이 이원계 화합물로 구성되어, 박막형성 공정의 제어가 쉽고 양산이 용이하다는 유리한 효과가 인정된다.-
公开(公告)号：KR1020120081349A
公开(公告)日：2012-07-19
申请号：KR1020110002647
申请日：2011-01-11
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: PURPOSE: A transparent conductive layer made by an organic metal chemical vapor deposition method is provided to remarkably reduce an amount of dopant materials by periodically injecting dopant materials into a reactor. CONSTITUTION: Organic metal with zinc, gas with oxygen, gas with dopant elements, and organic metal with the dopant elements are injected into the reactor through additional lines. Gas with oxygen is selected among vapor, O2, CO2, and O3. The gas with the dopant element is diborane gas. The gas with dopant elements and the organic metal with the dopant elements are periodically injected to the reactor.
Abstract translation: 目的：提供通过有机金属化学气相沉积方法制成的透明导电层，通过将掺杂剂材料周期性地注入反应器来显着减少掺杂剂材料的量。 构成：具有锌，气体与氧气的有机金属，掺杂元素的气体以及掺杂元素的有机金属通过附加的管线注入反应器。 含氧气体选自蒸气，O2，CO2和O3。 具有掺杂剂元素的气体是乙硼烷气体。 具有掺杂剂元素的气体和具有掺杂剂元素的有机金属被周期性地注入到反应器中。
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公开(公告)号：KR100967903B1
公开(公告)日：2010-07-06
申请号：KR1020080135620
申请日：2008-12-29
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/04 , H01L31/18
Abstract: PURPOSE: A laminated type solar cell and a manufacturing method thereof are provided to offer high efficiency solar cell by manufacturing a laminated solar cell where a monocrystalline silicon layer and an amorphous silicon layer are formed. CONSTITUTION: A p+ layer is formed in both sides of a monocrystalline silicon substrate. An amorphous silicon layer is formed by injecting Hydrogen ion into the predetermined depth of the monocrystalline silicon substrate. A conductive substrate is formed in the upper surface of the p+ layer. The monocrystalline silicon layer and the amorphous silicon layer are formed on the conductive substrate. The monocrystalline silicon substrate is cut in the location where the hydrogen ion is injected. A transparent conductivity oxide layer is formed in the upper surface of the amorphous silicon layer.
Abstract translation: 目的：提供层叠型太阳能电池及其制造方法，通过制造形成单晶硅层和非晶硅层的层叠太阳能电池来提供高效太阳能电池。 构成：在单晶硅衬底的两侧形成p +层。 通过将氢离子注入单晶硅衬底的预定深度来形成非晶硅层。 在p +层的上表面形成导电性基板。 在导电基板上形成单晶硅层和非晶硅层。 在注入氢离子的位置切割单晶硅衬底。 在非晶硅层的上表面形成透明导电氧化物层。
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公开(公告)号：KR100922890B1
公开(公告)日：2009-10-22
申请号：KR1020070108989
申请日：2007-10-29
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 CIGS 광흡수층 제조방법 및 CIGS 광흡수층을 포함하는 태양전지에 관한 것으로 구리인듐(CuIn), 구리갈륨(CuGa) 및 셀레나이드 화합물을 기판의 상부에 증착하여 전구체를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 전구체를 열처리하는 단계를 포함한다.
본 발명에 의하면 2개의 금속 합금 타겟과 1개의 셀레나이드 화합물 타켓을 동시에 스퍼터링하거나 순차적으로 적층하여 복합 전구체를 형성한 후, 이를 유독성 기체인 셀렌화수소(H
2 Se)를 사용하지 않고 셀레늄 분위기에서 열처리하여 CIGS 박막을 제조한다.-
公开(公告)号：KR1020090043245A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：KR1020070108989
申请日：2007-10-29
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 본 발명은 CIGS 광흡수층 제조방법 및 CIGS 광흡수층을 포함하는 태양전지에 관한 것으로 구리인듐(CuIn), 구리갈륨(CuGa) 및 셀레나이드 화합물을 기판의 상부에 증착하여 전구체를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 전구체를 열처리하는 단계를 포함한다.
본 발명에 의하면 2개의 금속 합금 타겟과 1개의 셀레나이드 화합물 타켓을 동시에 스퍼터링하거나 순차적으로 적층하여 복합 전구체를 형성한 후, 이를 유독성 기체인 셀렌화수소(H
2 Se)를 사용하지 않고 셀레늄 분위기에서 열처리하여 CIGS 박막을 제조한다.
CIGS, 광흡수층, 셀레나이드, 전구체-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100738659B1
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：KR1020060032918
申请日：2006-04-11
Applicant: 한국과학기술원
Inventor： 안병태
IPC: H01L21/31 , H01L21/205 , H01L21/324
Abstract: A method for fabricating a polycrystalline silicon thin film is provided to minimize metal pollution of the thin film by annealing an amorphous silicon thin film under an atmosphere containing compound of nickel and halogen. An oxide layer is formed on an amorphous silicon thin film on a substrate, and then the amorphous thin film with the oxide layer is subjected to an annealing process under an atmosphere containing a compound of nickel and halogen to form a polycrystalline silicon thin film. The oxide layer formed on the amorphous silicon thin film is any one of a chemical oxide layer, a thermal oxide layer, a plasma oxide layer, a chemical vapor deposition oxide layer, and an atomic layer deposition oxide layer.
Abstract translation: 提供一种用于制造多晶硅薄膜的方法，以通过在含有镍和卤素化合物的气氛下对非晶硅薄膜进行退火来使薄膜的金属污染最小化。 在衬底上的非晶硅薄膜上形成氧化层，然后在含有镍和卤素化合物的气氛下对具有氧化层的非晶薄膜进行退火处理，形成多晶硅薄膜。 形成在非晶硅薄膜上的氧化物层是化学氧化物层，热氧化物层，等离子体氧化物层，化学气相沉积氧化物层和原子层沉积氧化物层中的任何一种。
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公开(公告)号：KR1019990086355A
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019980019299
申请日：1998-05-27
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 화학기상증착법에 의한 코발트다이실리사이드 (cobalt disilicide) 증착과 고집적회로 반도체소자에 이용되는 모스 트랜지스터에서의 콘택 형성방법에 관한 것이다. 미세구조의 고집적 반도체 소자의 소스(source)(15)드레인(drain)(30) 및 게이트(gate)(3) 전극의 접촉저항과 비저항을 감소시키기 위한 실리사이드 (silicide) 공정을 화학기상증착법에 의해 기판온도 600℃ 이상에서 코발트의 증착과 동시에 실리콘 표면에서 코발트와 실리콘의 금속간 화합물인 CoSi
2 (7)를 직접 형성시킴으로서, 후속공정인 열처리 및 보호막 증착 공정들을 생략할 수 있어 실리사이드 형성공정을 단순화시킬 수 있다. 이와 같은 화학기상증착법은 도포성(step coverage)이 우수하여 기가디램(Giga D RAM)급 이상의 초미세반도체 집적회로 제조에 이용할 수 있다. 또한 기존의 콘택형성 공정보다도 공정온도가 낮고 단결정이나 단결정에 가까운 에피택시층(epitaxial layer)의 CoSi
2 (7)를 성장시킴으로써 소스(15), 드레인(30)에서의 특성이 우수한 콘택을 형성시킬수 있다.-
公开(公告)号：KR100222913B1
公开(公告)日：1999-10-01
申请号：KR1019970005429
申请日：1997-02-22
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/3205
Abstract: 본 발명은 다결정 규소박막의 제조방법에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 폴라즈마 기상 화학 증착 방법을 이용하여 이중층 구조를 갖는 비정질 규소 박막을 증착한 후 이를 저온에서 열처리하여 입자크기가 큰 다결정 규소 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 목적은 종래의 방법에 비하여 비정질 규소박막의 증착 시 증착 조건만을 변화시켜 추가비용 증가가 없고, 또한 기존의 방법과 병행하여 사용할 경우 더욱 좋은 결과를 얻을 수 있는 새로운 다결정 규소박막의 제조방법을 제공함에 있다.
즉, 본 발명은 이중층 구조의 비정질 규소박막의 증착도중 증착변수를 변화시켜 고상결정화하여 입자크기를 조절함을 특징으로 하는 다결정 규소박막의 제조방법이다.
본 발명에 의한 다결정 규소박막은 액정 디스플레이, SRAM 등에 사용되는 TFT용 활성층, 태양전지 및 SOI 등에 사용될 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020160014981A
公开(公告)日：2016-02-12
申请号：KR1020140097271
申请日：2014-07-30
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/18 , H01L31/0256 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/04 , H01L31/0256 , H01L31/0749 , H01L31/18
Abstract: 본발명은 CIGS 박막제조방법및 이렇게제조된태양전지의광흡수층인 CIGS 박막을포함하는태양전지에관한것이다. 본발명은 Se이포함된 (In,Ga)Se/Cu 적층전구체구조를이용하여외부 Se 공급없이 CIGS 박막을성장시킴으로써, 셀렌화공정에서유발되는기판과의흡착문제를해결하고공극없이 CIGS 광흡수층을형성할수 있고, 이공정을적용함으로써재현성이우수한대면적박막태양전지를제조할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种薄型GIGS薄膜的制造方法以及包括薄CIGS薄膜的太阳能电池，该CIGS薄膜是由此制造的太阳能电池的光吸收层。 本发明通过使用包括Se的（In，Ga）Se / Cu层压体前体结构生长出不具有外部Se供应的薄CIGS膜，以消除在硒化过程中发生的衬底的吸附问题，形成CIGS光吸收 无间隙地应用该方法，制造具有良好重现性的大面积薄膜太阳能电池。
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公开(公告)号：KR101227111B1
公开(公告)日：2013-01-28
申请号：KR1020110002647
申请日：2011-01-11
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 도펀트의 주기적 주입을 통하여 유기금속 화학 기상 증착법에 의한 박막 태양전지용 산화아연 투명 전도막의 제조 방법에 관한 것으로서, 아연 함유 유기 금속 및 산소함유 기체를 별개의 라인을 통해 반응기에 주입시키고, 동시에 전도성 향상을 위해 3족 원소를 포함하는 기체 및 유기금속물질을 주기적으로 반응기에 주입하고, 5 mmHg의 압력, 150도 정도의 내부온도를 갖는 반응기 조건하에서 반응시켜, 우수한 전기 전도도 및 광 투과도를 가지며 입사빔의 흡수를 극대화 시킬 수 있는 높은 표면 거칠기를 가진 산화아연 투명 전도막을 성장시키는 것을 포함하며, 본 발명에 따른 도펀트의 주기적 도입을 통한 유기금속 화학 기상 증착법에 의하면, 투명 전도막의 대량생산이 가능하고 전도도 향상을 위해 도펀트로 사용되는 유기금속 물질 및 기체의 양을 획기적으로 줄일 수 있다.
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