公开(公告)号：KR1020160014981A

公开(公告)日：2016-02-12

申请号：KR1020140097271

申请日：2014-07-30

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 안병태 ,  정광선 ,  신동협 ,  권혁상

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18

Abstract: 본발명은 CIGS 박막제조방법및 이렇게제조된태양전지의광흡수층인 CIGS 박막을포함하는태양전지에관한것이다. 본발명은 Se이포함된 (In,Ga)Se/Cu 적층전구체구조를이용하여외부 Se 공급없이 CIGS 박막을성장시킴으로써, 셀렌화공정에서유발되는기판과의흡착문제를해결하고공극없이 CIGS 광흡수층을형성할수 있고, 이공정을적용함으로써재현성이우수한대면적박막태양전지를제조할수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种薄型GIGS薄膜的制造方法以及包括薄CIGS薄膜的太阳能电池，该CIGS薄膜是由此制造的太阳能电池的光吸收层。 本发明通过使用包括Se的（In，Ga）Se / Cu层压体前体结构生长出不具有外部Se供应的薄CIGS膜，以消除在硒化过程中发生的衬底的吸附问题，形成CIGS光吸收 无间隙地应用该方法，制造具有良好重现性的大面积薄膜太阳能电池。

公开(公告)号：KR1020130114826A

公开(公告)日：2013-10-21

申请号：KR1020120037165

申请日：2012-04-10

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 안병태 ,  신동협

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

Abstract: PURPOSE: A ZnS/CIGS thin film solar cell and a manufacturing method thereof are provided to easily commercialize the ZnS/CIGS thin film solar cell by depositing a ZnO transparent conductive film with a sputtering method. CONSTITUTION: A rear electrode is formed on a substrate. A CIGS light absorption layer (3) is formed on the rear electrode. A ZnS buffer layer (4) is formed on the CIGS light absorption layer. A transparent conductive film is formed on the ZnS buffer layer and includes a first ZnO layer (5) and a second ZnO layer (6).

Abstract translation: 目的：提供ZnS / CIGS薄膜太阳能电池及其制造方法，以通过溅射法沉积ZnO透明导电膜来容易地使ZnS / CIGS薄膜太阳能电池商业化。 构成：背面电极形成在基板上。 CIGS光吸收层（3）形成在后电极上。 在CIGS光吸收层上形成ZnS缓冲层（4）。 在ZnS缓冲层上形成透明导电膜，包括第一ZnO层（5）和第二ZnO层（6）。

公开(公告)号：KR101633024B1

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：KR1020140097271

申请日：2014-07-30

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 안병태 ,  정광선 ,  신동협 ,  권혁상

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 본발명은 CIGS 박막제조방법및 이렇게제조된태양전지의광흡수층인 CIGS 박막을포함하는태양전지에관한것이다. 본발명은 Se이포함된 (In,Ga)Se/Cu 적층전구체구조를이용하여외부 Se 공급없이 CIGS 박막을성장시킴으로써, 셀렌화공정에서유발되는기판과의흡착문제를해결하고공극없이 CIGS 광흡수층을형성할수 있고, 이공정을적용함으로써재현성이우수한대면적박막태양전지를제조할수 있다.

公开(公告)号：KR101322652B1

公开(公告)日：2013-10-29

申请号：KR1020120037165

申请日：2012-04-10

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 안병태 ,  신동협

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 용액성장법(chemical bath deposition)으로 성장한 황화아연(ZnS) 버퍼층을 이용하여 고효율 Cu(In,Ga)Se
2 (이하 CIGS) 박막태양전지를 제조하는 방법으로서, CIGS 박막 위에 얇은 황화아연 버퍼층을 증착한 후 산화아연(ZnO) 투명전도막을 증착하는 과정에서 스퍼터링에 의한 황화아연과 CIGS 광흡수층의 손상을 최소화하면서 비저항의 증가도 최소화하는 것이다. 이를 위해서 낮은 스퍼터링 파워에서 증착한 얇은 산화아연층과 높은 스퍼터링 파워에서 증착한 두꺼운 산화아연층으로 이루어지는 이중층 산화아연 투명전도막의 구조와 그 제조방법을 제공한다.