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公开(公告)号：KR101484156B1
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：KR1020130052430
申请日：2013-05-09
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 CIGS 박막 태양전지에서 무(無)카드뮴 버퍼층으로 인듐 설파이드(In
2 S
3 ) 층을 이용하는 태양전지에 관한 것으로, 용액 성장법을 이용하여 성장하는 버퍼층에 있어서 틴(Sn)이 도핑된 인듐 설파이드 박막을 적층하는 방법 및 이로부터 제조되는 태양전지에 관한 것이다.
본 발명은 틴이 도핑된 인듐 설파이드 박막은 높은 광 투과도를 가지면서 우수한 전기 전도도를 가지게 되고, CIGS와 인듐 설파이드 계면에서 전도대의 에너지 장벽을 낮춤으로써 재결합 손실을 줄이는 등으로 태양전지의 광전기적 특성을 향상시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020140132987A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：KR1020130052430
申请日：2013-05-09
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/0749
Abstract: 본 발명은 CIGS 박막 태양전지에서 무(無)카드뮴 버퍼층으로 인듐 설파이드(In
2 S
3 ) 층을 이용하는 태양전지에 관한 것으로, 용액 성장법을 이용하여 성장하는 버퍼층에 있어서 틴(Sn)이 도핑된 인듐 설파이드 박막을 적층하는 방법 및 이로부터 제조되는 태양전지에 관한 것이다.
본 발명은 틴이 도핑된 인듐 설파이드 박막은 높은 광 투과도를 가지면서 우수한 전기 전도도를 가지게 되고, CIGS와 인듐 설파이드 계면에서 전도대의 에너지 장벽을 낮춤으로써 재결합 손실을 줄이는 등으로 태양전지의 광전기적 특성을 향상시킬 수 있다.Abstract translation: 本发明涉及一种在CIGS薄膜太阳能电池中使用硫化铟（In2S3）层作为非镉缓冲层的太阳能电池，用于堆叠掺杂锡的硫化铟薄膜以形成缓冲层的方法，该缓冲层由 溶液生长方法和由此制造的太阳能电池。 本发明通过降低CIGS和硫化铟之间的界面处的导带的能量势垒并降低复合损耗，从而改善了锡掺杂的硫化铟薄膜的透光率和导电性，从而提高了太阳能电池的光电性能。
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公开(公告)号：KR101439992B1
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：KR1020120150409
申请日：2012-12-21
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 넓은 밴드갭에너지를 가지는 산화물 및 황화물과 같은 무(無)카드뮴 버퍼층을 사용한 Cu(In,Ga)Se
2 (이하 "CIGS"라고 약칭한다.) 박막태양전지의 충실도를 향상시키기 위한 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 버퍼층으로 사용된 산화물 및 황화물 박막을 원자층증착법을 이용하여 제조할 때 박막내부의 조성을 조절하여 서로 다른 전기적 특성을 갖는 이중층의 구조를 가지는 버퍼층을 제조한다. 따라서 전기전도도가 낮은 산화물이나 황화물을 버퍼층으로 사용한 CIGS 박막태양전지에서 발생한 비교적 낮은 충실도 문제를 해결할 수 있다.
본 발명으로 제조된 이중층의 버퍼층을 사용한 CIGS 박막 태양전지의 구조 및 그 태양전지의 충실도와 광변환 효율 향상시킬 수 있다.-
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公开(公告)号：KR101067295B1
公开(公告)日：2011-09-26
申请号：KR1020090095263
申请日：2009-10-07
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/0445
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 박막 태양전지와 그 제조방법에 관한 것으로서, 구체적으로 박막 태양전지는 도전성 기판이나 투명기판, 투명전극층, 윈도우층, 광흡수층, 금속전극을 포함하고, 광흡수층을 인화아연(Zn
3 P
2 )이나 텔루륨화카드뮴(CdTe)으로 구성하고, 태양전지의 광전변환 효율을 향상하기 위해 광흡수층과 인접하는 면에 나트륨(Na)이 도핑된 텔루륨화아연(ZnTe)층을 더 포함하는 구성을 가지는 것을 특징으로 한다.
박막, 태양전지, 윈도우층, 광흡수층, 도전성, 나트륨, 텔루륨화아연-
Patent Agency Ranking6.发明公开
公开(公告)号：KR1020080109167A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：KR1020070057157
申请日：2007-06-12
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/20
Abstract: A substrate composite for the flexible polycrystalline silicon thin film element fabrication and a manufacturing method thereof are provided to increase the quality of the polycrystalline silicon thin film by using the mica substrate having the high heat resistance of 600‹C as a substrate. The buffer layer is formed on the mica substrate(10) of the heat resistance for improving the stability of the electric component manufacture. The buffer layer on the mica substrate has the structure of monolayer or the multi-layered type. The buffer layer on the mica substrate performs the duty as a protective layer, an adhesive layer or a shield layer. The adhesive layer is formed of the titanium, the titanium mixture or the titanium composition. The protective layer is formed of the tantalum, the tantalum mixture or the tantalum composition.
Abstract translation: 提供了一种用于柔性多晶硅薄膜元件制造的衬底复合体及其制造方法，其通过使用具有600℃的高耐热性的云母基底作为基底来提高多晶硅薄膜的质量。 缓冲层形成在耐热性的云母基板（10）上，以提高电气部件制造的稳定性。 云母基板上的缓冲层具有单层或多层结构。 云母基板上的缓冲层执行作为保护层，粘合剂层或屏蔽层的作用。 粘合剂层由钛，钛混合物或钛组合物形成。 保护层由钽，钽混合物或钽组合物形成。
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公开(公告)号：KR100569881B1
公开(公告)日：2006-04-11
申请号：KR1020040069268
申请日：2004-08-31
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 실리사이드 에피택시층을 이용한 고품위 실리콘 박막의 전이방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 실리콘 기판 위에 실리사이트 에피택시층을 이용하여 고품위 실리콘 박막을 형성하여 성장시킨 후 실리콘 기판과 다른 이종기판에 고품위 실리콘 박막을 전이하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실리사이드 에피택시층을 이용한 실리콘 박막의 전이방법은
(1)실리콘 기판 위에 실리사이드 에피택시층을 형성하는 단계와,
(2)실리사이드 에피택시층 위에 고품위 실리콘 박막을 형성하는 단계와,
(3)실리사이드 에피택시층을 선택적으로 제거하여 실리콘 기판으로부터 고품위 실리콘 박막을 분리하고 분리된 고품위 실리콘 박막을 이종기판에 접합시키거나, 또는 고품위 실리콘 박막을 이종기판에 접합시킨 후 실리사이드 에피택시층을 선택적으로 제거하여 실리콘 기판으로부터 이종기판에 접합된 고품위 실리콘 박막을 분리하는 단계를 포함한다.-
公开(公告)号：KR1020050068749A
公开(公告)日：2005-07-05
申请号：KR1020030100539
申请日：2003-12-30
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 다결정 규소박막의 제조방법에 관한 것으로, 비정질 규소박막을 알루미늄 할로겐 화합물 보다 바람직하게는 알루미늄 클로라이드(AlCl
3 )와 이종 금속 또는 이 금속이 함유된 금속 화합물의 혼합 분위기에서 열처리함으로써 경제적으로 다결정 규소박막을 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 알루미늄 할로겐 화합물 보다 바람직하게는 알루미늄 클로라이드(AlCl
3 )와 이종 금속 또는 이 금속이 함유된 금속 화합물의 혼합 분위기의 저온에서 비정질 규소박막을 결정화하여 경제적으로 효율적인 다결정 규소박막을 제조할 수 있는 방법과 이러한 방법에 의해 얻을 수 있는 다결정 규소박막의 제공을 목적으로 한다.
본 발명의 다결정 규소박막의 제조방법은 종래 다결정 규소박막의 제조에 있어서, 기판 위에 형성된 비정질 규소박막을 알루미늄 할로겐 화합물과 이종 금속 또는 이 금속이 함유된 금속 화합물이 99:1∼1:99의 비로 혼합된 분위기에서 400℃∼600℃의 온도로 열처리하는 단계를 포함한다.-
公开(公告)号：KR100353622B1
公开(公告)日：2002-09-27
申请号：KR1020000019691
申请日：2000-04-14
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01J9/24
Abstract: 본 발명은 투명전극을 게이트로 사용하여 금속 실리사이드가 코팅된 실리콘 팁 어레이 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 살리사이드 공정을 이용하여 실리콘 팁을 금속 실리사이드로 코팅하였고, 산화막을 샤도우 마스크로 하여 삼극관 구조의 실리콘 팁 제조시 게이트 물질을 투명전극으로 대체하여 팁 코팅에 의해 수반되는 추가 공정을 최소화하였다. 팁 어레이 제조 후 전면에 금속을 증착한 후 열처리를 하면 노출된 실리콘 팁 영역만 금속과 반응하여 금속 실리사이드를 형성하고 게이트 절연막과 게이트에는 실리사이드 반응이 일어나지 않고 금속으로 잔존하게 된다. 이 잔존하는 금속을 에칭하게 되면 게이트 물질과는 선택적 에칭이 가능하여 게이트에 손상을 입히지 않고 게이트 절연막에 잔존하는 금속을 완전히 제거할 수 있어 기존 금속 실리사이드 코팅 후에 야기되는 게이트 전류의 증가를 방지 할 수 있게 된다.-
公开(公告)号：KR1020020038391A
公开(公告)日：2002-05-23
申请号：KR1020000068610
申请日：2000-11-17
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/324
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a polycrystalline silicon thin film using an atmosphere of aluminum compound is provided to replace a conventional crystallizing heat treatment method, by crystallizing the polycrystalline thin film at a low temperature, by extremely limiting the quantity of residual metal in the crystallized silicon thin film and by making the polycrystalline silicon thin film have excellent surface planarization. CONSTITUTION: An amorphous silicon thin film is deposited on a substrate. A heat treatment process is performed regarding the amorphous silicon thin film in the atmosphere of aluminum compound to form the polycrystalline silicon thin film. The amorphous silicon thin film is formed by a chemical vapor deposition(CVD) method, sputtering method or evaporation method.
Abstract translation: 目的：提供一种使用铝化合物的气氛制造多晶硅薄膜的方法，以代替传统的结晶热处理方法，通过极低限度地将多晶薄膜在低温下结晶化，结晶化 硅薄膜和通过使多晶硅薄膜具有优异的表面平坦化。 构成：将非晶硅薄膜沉积在基底上。 对铝化合物的气氛中的非晶硅薄膜进行热处理，形成多晶硅薄膜。 非晶硅薄膜通过化学气相沉积（CVD）法，溅射法或蒸发法形成。
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