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公开(公告)号：KR101733350B1
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：KR1020160050952
申请日：2016-04-26
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은양자광소자및 이의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 기판; 상기기판상에형성된 n-형질화갈륨반도체층; 및상기 n-형질화갈륨반도체층상의적어도일부분에형성된나노구조체층을포함하고, 상기나노구조체층은, 나노구조체; 및상기나노구조체및 상기 n-형질화갈륨반도체의적어도일부분을덮는금속층을포함하고, 상기나노구조체는원뿔또는다각형뿔형상의상단을갖는나노구조체이며, 상기상단의적어도일부분에양자구조로이루어진활성층을포함하는양자광소자및 이의제조방법에관한것이다. 상기양자광소자는양자구조의광추출효율이높고, 양자구조와나노공진기의결합이용이하여양자광소자의생산효율을향상시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170012176A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：KR1020160181312
申请日：2016-12-28
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은, 본발명은전자방출체, 이의제조방법및 이를포함하는발광장치에관한것으로, 보다구체적으로, 적어도일부분에나노구조체가형성된반도체웨이퍼를포함하는전자방출체에관한것이다. 본발명은, 대면적의전자방출체를제공할수 있고, 전자주입방식으로구동가능할뿐 아니라발광효율이개선된발광장치를제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR101697824B1
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：KR1020140182208
申请日：2014-12-17
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L33/20
Abstract: 본발명은, 광자다이오드, 이를포함하는광전자디바이스및 광자다이오드의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 기판; 및상기기판상에형성된나노구조체를포함하고, 상기나노구조체는코어-쉘구조를포함하고, 상기코어는나노와이어또는나노로드이며, 상기쉘은양자우물, 양자점및 양자선중 1종이상인양자구조를포함하는것인광자다이오드, 이를포함하는광전자디바이스및 광자다이오드의제조방법에관한것이다. 본발명은한 방향으로만선택적빛 전달이가능하고, 높은효율의광집적회로를실현할수 있는광자다이오드를제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种光子二极管，包括该光子二极管的光电子器件和一种光子二极管制造方法。 更具体地，光子二极管包括：基板; 和形成在基底上的纳米结构。 纳米结构包括核 - 壳结构。 核心是纳米线或纳米棒。 壳是量子点，量子阱和量子线中的至少一个。 本发明能够在一个方向上选择性地传输光，并且以高效率形成光集成电路。
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公开(公告)号：KR1020160073649A
公开(公告)日：2016-06-27
申请号：KR1020140182208
申请日：2014-12-17
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L33/20
Abstract: 본발명은, 광자다이오드, 이를포함하는광전자디바이스및 광자다이오드의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 기판; 및상기기판상에형성된나노구조체를포함하고, 상기나노구조체는코어-쉘구조를포함하고, 상기코어는나노와이어또는나노로드이며, 상기쉘은양자우물, 양자점및 양자선중 1종이상인양자구조를포함하는것인광자다이오드, 이를포함하는광전자디바이스및 광자다이오드의제조방법에관한것이다. 본발명은한 방향으로만선택적빛 전달이가능하고, 높은효율의광집적회로를실현할수 있는광자다이오드를제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种光子二极管，包括该光子二极管的光电子器件和一种光子二极管制造方法。 更具体地，光子二极管包括：基板; 和形成在基底上的纳米结构。 纳米结构包括核 - 壳结构。 核心是纳米线或纳米棒。 壳是量子点，量子阱和量子线中的至少一个。 本发明能够选择性地仅在一个方向上传输光，并且以高效率形成光学集成电路。
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公开(公告)号：KR1020150055454A
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：KR1020130137848
申请日：2013-11-13
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은양자광소자및 이의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 기판; 상기기판상에형성된 n-형질화갈륨반도체층; 및상기 n-형질화갈륨반도체층상의적어도일부분에형성된나노구조체층을포함하고, 상기나노구조체층은, 나노구조체; 및상기나노구조체및 상기 n-형질화갈륨반도체의적어도일부분을덮는금속층을포함하고, 상기나노구조체는원뿔또는다각형뿔형상의상단을갖는나노구조체이며, 상기상단의적어도일부분에양자구조로이루어진활성층을포함하는양자광소자및 이의제조방법에관한것이다. 상기양자광소자는양자구조의광추출효율이높고, 양자구조와나노공진기의결합이용이하여양자광소자의생산효율을향상시킬수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及量子光学器件及其制造方法，更具体地说，涉及一种量子光学器件，其包括衬底，形成在衬底上的n型氮化镓半导体层和纳米结构层 形成在n型氮化镓半导体层的至少一部分上。 纳米结构层包括纳米结构和覆盖n型氮化镓半导体和纳米结构的至少一部分的金属层。 纳米结构具有具有圆锥体或多边形金字塔的顶侧，并且包括在具有量子结构的顶侧的至少一部分上形成的有源层。 量子光学器件具有量子结构的光提取效率高。 通过容易地将量子结构与纳米级谐振器组合来提高量子光学器件的生产效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150040589A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：KR1020130119295
申请日：2013-10-07
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은양자구조를포함하는나노구조체에관한것으로, 보다구체적으로원뿔또는다각형뿔형상의상단을갖는오벨리스크나노구조체로서, 상기오벨리스크나노구조체의적어도일부분에형성된양자구조를포함하는나노구조체, 이의제조방법및 이를이용한광자방출소자에관한것이다. 본발명에의한양자구조를포함하는나노구조체는높은광추출효율및 발광재결합효율이우수하고, 단일양자구조의위치확인이용이하여고효율의광자방출소자를제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及含有量子结构的纳米结构，更具体地说，涉及在方尖塔纳米结构的一部分或全部形成的量子结构的纳米结构，所述纳米结构具有锥形上端或多角锥形的方尖塔纳米结构 形状，其制造方法和包含该光学发射装置的光子发射装置。 包含根据本发明的量子结构的纳米结构具有高的外耦合效率和高的辐射复合效率，有利于单个量子结构的位置确认并且能够提供高效光子发射器件。
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公开(公告)号：KR1020140142849A
公开(公告)日：2014-12-15
申请号：KR1020130064491
申请日：2013-06-05
Applicant: 엘지이노텍 주식회사 , 한국과학기술원
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/28 , H01L33/30 , H01L2924/12041
Abstract: 실시 예는 제1 반도체층, 제2 반도체층, 및 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하며, 상기 활성층은 In
x Al
y Ga
1
-x-
y N(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지며, 적어도 1회 이상 교대로 적층되는 우물층 및 장벽층을 포함하며, 상기 활성층은 제1 두께를 갖고, 상기 우물층은 제2 두께를 가지며, 상기 장벽층은 상기 제2 두께보다 얇거나 동일한 제3 두께를 갖는다.Abstract translation: 实施例包括第一半导体层，第二半导体层和布置在第一半导体层和第二半导体层之间的有源层。 有源层具有In x Al y Ga 1-x-y N（0 <= x <= 1,0 <= y <= 1,0 <= x + y <= 1）的公式，并且包括阱层和阻挡层 交替堆叠至少一次。 有源层具有第一厚度。 阱层具有第二厚度。 阻挡层具有比第二厚度更薄或相同的第三增厚。
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公开(公告)号：KR101250446B1
公开(公告)日：2013-04-08
申请号：KR1020100025301
申请日：2010-03-22
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 공간 광변조기를 이용한 리소그라피 장치를 이용한 리소그라피 방법에 관한 것으로, 대상물에 일정 간격으로 빔을 조사하고, 일정 간격들의 사이 공간들에 추가로 빔을 조사하는 단계를 구비하며, 조사된 빔들이 임계 치를 넘는 부분만 전사되는 방식으로 광의 분해능의 한계 보다 미세한 패턴을 형성할 수 있는 리소그라피 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020120081717A
公开(公告)日：2012-07-20
申请号：KR1020110002987
申请日：2011-01-12
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: G01N21/63 , G01M11/0242 , G06F17/10
Abstract: PURPOSE: A method for calculating the internal quantum efficiency and a recombination-rate of an optical element is provided to directly evaluate the internal quantum efficiency and a relative rate of various recombination-rates of various optical elements. CONSTITUTION: A method for calculating the internal quantum efficiency of an optical element is as follows. Change data of the integrated intensity of PL emitted from a specimen is obtained according to an optical output change of pumped lasers. A parameter P2 is obtained by calculating based on a pumped laser optical output relation expression with respect to the integrated intensity. The internal quantum efficiency is obtained with a predetermined equation because the integrated intensity of the PL and the laser optical output are drawn out.
Abstract translation: 目的：提供一种用于计算光学元件的内部量子效率和复合率的方法，以直接评估各种光学元件的内部量子效率和各种复合速率的相对速率。 构成：计算光学元件的内部量子效率的方法如下。 根据泵浦激光器的光输出变化，获得从样品发射的PL的积分强度的变化数据。 通过基于相对于积分强度的泵浦激光光输出关系表达式的计算来获得参数P2。 由于PL和激光光输出的积分强度被拉出，因此用预定方程式获得内部量子效率。
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公开(公告)号：KR1020110079223A
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：KR1020090136218
申请日：2009-12-31
IPC: H01L21/027 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L21/31144 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L21/31138
Abstract: PURPOSE: A surface treatment method of a device using a nano mask is provided to control a shape of a device surface via a simple method. CONSTITUTION: A structure having a surface of the first polarity is prepared. Nano particles are coupled on a surface of the structure by supplying the nano particles with the surface of the second polarity for the structure. A curved structure(13) is formed on the surface of the structure by engraving the surface of the structure via a dry engraving process.
Abstract translation: 目的：提供使用纳米掩模的器件的表面处理方法，以通过简单的方法控制器件表面的形状。 构成：准备具有第一极性表面的结构。 纳米颗粒通过为纳米颗粒提供具有第二极性的表面而结构的结构的表面上。 通过经由干式雕刻工艺雕刻结构的表面，在结构的表面上形成弯曲结构（13）。
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