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公开(公告)号：KR102235137B1
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：KR1020160181312A
申请日：2016-12-28
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/36 , H01L2924/12041
Abstract: 본 발명은, 본 발명은 전자 방출체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 발광 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 적어도 일부분에 나노 구조체가 형성된 반도체 웨이퍼를 포함하는 전자 방출체에 관한 것이다. 본 발명은, 대면적의 전자 방출체를 제공할 수 있고, 전자 주입 방식으로 구동가능할 뿐 아니라 발광 효율이 개선된 발광 장치를 제공할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2017014385A1
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：PCT/KR2016/000630
申请日：2016-01-21
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y40/00 , H01J1/308 , H01J9/025 , H01L33/00 , H01L33/10 , H01L33/54
Abstract: 본 발명은, 본 발명은 전자 방출체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 발광 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 적어도 일부분에 나노 구조체가 형성된 반도체 웨이퍼를 포함하는 전자 방출체에 관한 것이다. 본 발명은, 대면적의 전자 방출체를 제공할 수 있고, 전자 주입 방식으로 구동가능할 뿐 아니라 발광 효율이 개선된 발광 장치를 제공할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种电子发射器及其制造方法，以及包括该发光装置的发光装置，更具体地说，涉及一种包括其至少部分形成有纳米结构的半导体晶片的电子发射器。 本发明能够提供大面积的电子发射体，并且还能够提供具有改善的发光效率并且可以通过电子注入法操作的发光装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170012176A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：KR1020160181312
申请日：2016-12-28
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은, 본발명은전자방출체, 이의제조방법및 이를포함하는발광장치에관한것으로, 보다구체적으로, 적어도일부분에나노구조체가형성된반도체웨이퍼를포함하는전자방출체에관한것이다. 본발명은, 대면적의전자방출체를제공할수 있고, 전자주입방식으로구동가능할뿐 아니라발광효율이개선된발광장치를제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170011573A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：KR1020150104400
申请日：2015-07-23
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y40/00 , H01J1/308 , H01J9/025 , H01L33/00 , H01L33/10 , H01L33/54
Abstract: 본발명은, 본발명은전자방출체, 이의제조방법및 이를포함하는발광장치에관한것으로, 보다구체적으로, 적어도일부분에나노구조체가형성된반도체웨이퍼를포함하는전자방출체에관한것이다. 본발명은, 대면적의전자방출체를제공할수 있고, 전자주입방식으로구동가능할뿐 아니라발광효율이개선된발광장치를제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明中，本发明涉及一种电子发射器，包括在其中形成在纳米结构的半导体晶片，更具体地，至少包括电子发射体，它们的制造和这种方法的发光器件的一部分。 本发明可以提供大面积电子发射体，可以通过电子注入方法驱动，并且可以提供具有提高的发光效率的发光器件。
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公开(公告)号：KR102235137B1
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：KR1020160181312
申请日：2016-12-28
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은, 본발명은전자방출체, 이의제조방법및 이를포함하는발광장치에관한것으로, 보다구체적으로, 적어도일부분에나노구조체가형성된반도체웨이퍼를포함하는전자방출체에관한것이다. 본발명은, 대면적의전자방출체를제공할수 있고, 전자주입방식으로구동가능할뿐 아니라발광효율이개선된발광장치를제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR101921825B1
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：KR1020170091368
申请日：2017-07-19
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 질화물기반반도체양자점의하위밴드전이를이용한광통신파장에서상온동작가능한결정적양자광원과그 제작방법및 동작방법이제시된다. 일실시예에따른양자광원제작방법은기판에삼차원구조체를형성하는단계; 상기삼차원구조체의상부에 n 타입으로도핑된박막을형성하는단계; 상기 n 타입으로도핑된박막의상부에양자점을형성하는단계; 상기삼차원구조체를광학적구조로사용하기위해삼차원구조체를재성장시키는단계; 상기삼차원구조체의꼭지점에금속박막을증착하는단계; 및 n 타입으로도핑된영역과상기금속박막에각각전극을연결하는단계를포함하고, 연결된상기전극에전압인가를통해상기양자점에전자가포획되며상기양자점을광 여기시켜양자광원을동작시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR101710793B1
公开(公告)日：2017-02-27
申请号：KR1020150104400
申请日：2015-07-23
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y40/00 , H01J1/308 , H01J9/025 , H01L33/00 , H01L33/10 , H01L33/54
Abstract: 본발명은, 본발명은전자방출체, 이의제조방법및 이를포함하는발광장치에관한것으로, 보다구체적으로, 적어도일부분에나노구조체가형성된반도체웨이퍼를포함하는전자방출체에관한것이다. 본발명은, 대면적의전자방출체를제공할수 있고, 전자주입방식으로구동가능할뿐 아니라발광효율이개선된발광장치를제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种电子发射器及其制造方法，以及包括该发光装置的发光装置，更具体地说，涉及一种包括在其至少一部分形成有纳米结构的半导体晶片的电子发射器。 本发明能够提供大面积的电子发射体，并且还能够提供具有改善的发光效率并且可以通过电子注入法操作的发光装置。
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