엑시톤 폴라리톤 소자용 구조체 및 이의 제조방법

    公开(公告)号:KR101782716B1

    公开(公告)日:2017-09-28

    申请号:KR1020160008060

    申请日:2016-01-22

    Abstract: 본발명은, 엑시톤폴라리톤소자용구조체, 이의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 둥근모서리를갖는코어-쉘단면을포함하고, 상기코어는제1 화합물반도체의나노구조체를포함하며, 상기쉘은상기코어의측면에형성된양자구조층을포함하는, 엑시톤폴라리톤소자용구조체및 이의제조방법에관한것이다. 본발명은, 엑시톤과광자의상호작용을증가시키고, 상온에서엑시톤폴라리톤의구동이가능한엑시톤폴라리톤소자용구조체를제공할수 있다.

    광소자의 국소적 전류주입 평가 방법 및 이를 이용한 평가 시스템

    公开(公告)号:KR101772317B1

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:KR1020160031054

    申请日:2016-03-15

    Abstract: 본발명은, 광소자의국소적전류주입평가방법및 이를이용한평가시스템에관한것으로, 보다구체적으로광소자의발광정보를측정하는단계; 및상기발광정보를이용하여광소자의국소적전류주입분포를평가하는단계; 를포함하고, 상기발광정보는, 전계루미너센스및 광루미너센스인광소자의국소적전류주입평가방법, 이를이용한평가시스템및 광소자의제조방법에관한것이다. 본발명은, 비파괴적으로광소자의국소전류주입을실시간으로분석할수 있고, 광소자의효율과수율을개선시키는데효과적으로적용할수 있다.

    엑시톤 폴라리톤 소자용 구조체 및 이의 제조방법
    3.
    发明公开
    엑시톤 폴라리톤 소자용 구조체 및 이의 제조방법 有权
    外延极性装置的结构及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020170088128A

    公开(公告)日:2017-08-01

    申请号:KR1020160008060

    申请日:2016-01-22

    Abstract: 본발명은, 엑시톤폴라리톤소자용구조체, 이의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 둥근모서리를갖는코어-쉘단면을포함하고, 상기코어는제1 화합물반도체의나노구조체를포함하며, 상기쉘은상기코어의측면에형성된양자구조층을포함하는, 엑시톤폴라리톤소자용구조체및 이의제조방법에관한것이다. 본발명은, 엑시톤과광자의상호작용을증가시키고, 상온에서엑시톤폴라리톤의구동이가능한엑시톤폴라리톤소자용구조체를제공할수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种激子极性瑞通器件结构,其制造方法为,更具体地,具有圆形的芯角 - 和包括壳体部分,其中,所述芯包含半导体的第一化合物的纳米结构,所述壳 以及在卤化银核芯的侧面上形成的量子结构层及其制造方法。 本发明可以提供能够增加激子与光子之间的相互作用并能够在室温下驱动激子极化激元的激子极化激元器件的结构。

    양자광 소자 및 이의 제조방법
    4.
    发明公开
    양자광 소자 및 이의 제조방법 有权
    量子光学器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020160052511A

    公开(公告)日:2016-05-12

    申请号:KR1020160050952

    申请日:2016-04-26

    Inventor: 조용훈 공수현

    Abstract: 본발명은양자광소자및 이의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 기판; 상기기판상에형성된 n-형질화갈륨반도체층; 및상기 n-형질화갈륨반도체층상의적어도일부분에형성된나노구조체층을포함하고, 상기나노구조체층은, 나노구조체; 및상기나노구조체및 상기 n-형질화갈륨반도체의적어도일부분을덮는금속층을포함하고, 상기나노구조체는원뿔또는다각형뿔형상의상단을갖는나노구조체이며, 상기상단의적어도일부분에양자구조로이루어진활성층을포함하는양자광소자및 이의제조방법에관한것이다. 상기양자광소자는양자구조의광추출효율이높고, 양자구조와나노공진기의결합이용이하여양자광소자의생산효율을향상시킬수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种量子光学器件及其制造方法。 更具体地说,量子光学器件包括:衬底; 在该基板上形成的n型氮化镓半导体层; 以及形成在n型氮化镓半导体层的至少一部分上的纳米结构层。 纳米结构层包括纳米结构; 以及覆盖n型氮化镓半导体层和纳米结构的至少一部分的金属层。 纳米结构的上部是圆锥形或多边形的,并且在量子结构中形成的有源层被包括在上部的至少一部分中。 量子光学器件能够具有量子结构的高光提取效率,并且通过容易地将量子结构与纳米谐振器组合来提高量子光学器件的生产效率。

    양자광 소자 및 이의 제조방법

    公开(公告)号:KR101733350B1

    公开(公告)日:2017-05-24

    申请号:KR1020160050952

    申请日:2016-04-26

    Inventor: 조용훈 공수현

    Abstract: 본발명은양자광소자및 이의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 기판; 상기기판상에형성된 n-형질화갈륨반도체층; 및상기 n-형질화갈륨반도체층상의적어도일부분에형성된나노구조체층을포함하고, 상기나노구조체층은, 나노구조체; 및상기나노구조체및 상기 n-형질화갈륨반도체의적어도일부분을덮는금속층을포함하고, 상기나노구조체는원뿔또는다각형뿔형상의상단을갖는나노구조체이며, 상기상단의적어도일부분에양자구조로이루어진활성층을포함하는양자광소자및 이의제조방법에관한것이다. 상기양자광소자는양자구조의광추출효율이높고, 양자구조와나노공진기의결합이용이하여양자광소자의생산효율을향상시킬수 있다.

    광자 다이오드 및 이의 제조방법
    6.
    发明授权
    광자 다이오드 및 이의 제조방법 有权
    光电二极管及其制造方法

    公开(公告)号:KR101697824B1

    公开(公告)日:2017-01-18

    申请号:KR1020140182208

    申请日:2014-12-17

    Abstract: 본발명은, 광자다이오드, 이를포함하는광전자디바이스및 광자다이오드의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 기판; 및상기기판상에형성된나노구조체를포함하고, 상기나노구조체는코어-쉘구조를포함하고, 상기코어는나노와이어또는나노로드이며, 상기쉘은양자우물, 양자점및 양자선중 1종이상인양자구조를포함하는것인광자다이오드, 이를포함하는광전자디바이스및 광자다이오드의제조방법에관한것이다. 본발명은한 방향으로만선택적빛 전달이가능하고, 높은효율의광집적회로를실현할수 있는광자다이오드를제공할수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种光子二极管,包括该光子二极管的光电子器件和一种光子二极管制造方法。 更具体地,光子二极管包括:基板; 和形成在基底上的纳米结构。 纳米结构包括核 - 壳结构。 核心是纳米线或纳米棒。 壳是量子点,量子阱和量子线中的至少一个。 本发明能够在一个方向上选择性地传输光,并且以高效率形成光集成电路。

    광자 다이오드 및 이의 제조방법
    7.
    发明公开
    광자 다이오드 및 이의 제조방법 有权
    光电二极管及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020160073649A

    公开(公告)日:2016-06-27

    申请号:KR1020140182208

    申请日:2014-12-17

    CPC classification number: H01L33/20 H01L33/04 H01L33/32 Y02E10/50

    Abstract: 본발명은, 광자다이오드, 이를포함하는광전자디바이스및 광자다이오드의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 기판; 및상기기판상에형성된나노구조체를포함하고, 상기나노구조체는코어-쉘구조를포함하고, 상기코어는나노와이어또는나노로드이며, 상기쉘은양자우물, 양자점및 양자선중 1종이상인양자구조를포함하는것인광자다이오드, 이를포함하는광전자디바이스및 광자다이오드의제조방법에관한것이다. 본발명은한 방향으로만선택적빛 전달이가능하고, 높은효율의광집적회로를실현할수 있는광자다이오드를제공할수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种光子二极管,包括该光子二极管的光电子器件和一种光子二极管制造方法。 更具体地,光子二极管包括:基板; 和形成在基底上的纳米结构。 纳米结构包括核 - 壳结构。 核心是纳米线或纳米棒。 壳是量子点,量子阱和量子线中的至少一个。 本发明能够选择性地仅在一个方向上传输光,并且以高效率形成光学集成电路。

    양자광 소자 및 이의 제조방법
    8.
    发明公开
    양자광 소자 및 이의 제조방법 无效
    量子光学器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020150055454A

    公开(公告)日:2015-05-21

    申请号:KR1020130137848

    申请日:2013-11-13

    Inventor: 조용훈 공수현

    CPC classification number: H01L33/06 B82Y20/00 H01L33/20 H01L33/32 H01L33/40

    Abstract: 본발명은양자광소자및 이의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 기판; 상기기판상에형성된 n-형질화갈륨반도체층; 및상기 n-형질화갈륨반도체층상의적어도일부분에형성된나노구조체층을포함하고, 상기나노구조체층은, 나노구조체; 및상기나노구조체및 상기 n-형질화갈륨반도체의적어도일부분을덮는금속층을포함하고, 상기나노구조체는원뿔또는다각형뿔형상의상단을갖는나노구조체이며, 상기상단의적어도일부분에양자구조로이루어진활성층을포함하는양자광소자및 이의제조방법에관한것이다. 상기양자광소자는양자구조의광추출효율이높고, 양자구조와나노공진기의결합이용이하여양자광소자의생산효율을향상시킬수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及量子光学器件及其制造方法,更具体地说,涉及一种量子光学器件,其包括衬底,形成在衬底上的n型氮化镓半导体层和纳米结构层 形成在n型氮化镓半导体层的至少一部分上。 纳米结构层包括纳米结构和覆盖n型氮化镓半导体和纳米结构的至少一部分的金属层。 纳米结构具有具有圆锥体或多边形金字塔的顶侧,并且包括在具有量子结构的顶侧的至少一部分上形成的有源层。 量子光学器件具有量子结构的光提取效率高。 通过容易地将量子结构与纳米级谐振器组合来提高量子光学器件的生产效率。

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