Abstract:
PURPOSE: A heat spreader and a method for manufacturing the same are provided to effectively control heat generated from electronic devices and to reduce the sizes of the electronic devices. CONSTITUTION: A method for manufacturing a heat spreader includes the following: natural graphite is oxidized and expanded; highly thermal conductive nano-sized carbide and nitride such as C, SiC, Bn, and AlN are dispersed in horizontal interlayer pores to be vacuum-filled without coagulation; a compressive molding process is implemented using a roller or a press; and the resultant product is in the form of a sheet or a plate. Ammonium polycarboxylate, sodium polycarboxylate, sodium dodecylsulfate, and ethylene glycol are further added into the product as a dispersing agent.
Abstract:
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)용 백색유전체 프리트 조성에 관한 것으로서 산화비스무스(Bi 2 O 3 ) 25-50중량퍼센트, 산화아연(ZnO) 10-20중량퍼센트, 산화바륨(BaO) 10-20중량퍼센트, 산화붕소(B 2 O 3 ) 10-20중량퍼센트 조성을 갖는 유리프리트에 굴절율이 높은 결정질필러로 아나타제(Anatase)형과 루타일(Rutile)형의 산화티타늄(TiO 2 ), 산화바륨(BaO), 산화바륨+산화티타늄(BaO+TiO 2 (anatase)), 산화바륨+산화티타늄(BaO+TiO 2 (rutile))을 혼합하여 첨가한 백색유전체로서, 이 백색유전체를 소다라임기판유리(soda-lime silicate substrate glass)위에 도포한 후 480-540℃에서 소성 했을 때, 고반사율을 갖으며 환경오염문제가 없는 무연 백색 유전체로 제조되는 것을 목적으로 하고 있다. 백색유전체, 소다라임 기판유리, 결정질필러
Abstract:
PURPOSE: Glass frit for an unleaded sealant, a filler using thereof, and a crystallinity increasing method of the filler are provided to offer the environmentally-friendly property to a binder or the sealant for an electronic component or a display. CONSTITUTION: Glass frit for an unleaded sealant capable of low-temperature sintering and heat-treating at the temperature lower than 430deg C contains the following: a main composition containing 1.5mol of SnO2, 0.9mol of P2O5, and 0.05mol of Al2O3; and 0.1mol of more than two compounds selected from ZnO, Li2O, TiO2, ZrO2, or CaO. The main component additionally contains 0.1mol of B2O3.
Abstract translation:目的:提供用于无铅密封剂的玻璃料,其使用的填料和填料的结晶度增加方法,以提供粘合剂或用于电子部件或显示器的密封剂的环境友好性。 构成:在低于430℃的温度下进行低温烧结和热处理的无铅密封剂的玻璃料含有以下:含有1.5mol SnO 2,0.9mol P 2 O 5和0.05mol Al 2 O 3的主要成分; 和0.1mol以上选自ZnO,Li 2 O,TiO 2,ZrO 2或CaO的两种以上化合物。 主要成分还含有0.1mol的B2O3。
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a transparent conductive film of indium tin oxide is provided to reduce the grain boundary of a transparent conductive film and manufacture an ITO transparent conductive film, which has high surface roughness on a soda-lime glass board. CONSTITUTION: A method for manufacturing a transparent conductive film of indium tin oxide comprises following steps. A diffusion stopper is evaporated on the soda lime glass of the substrate. An indium tin oxide thin film is evaporated on the upper part of the protective layer. The thin film is heat-treated and crystallized.
Abstract:
발명은 현재 아이티오 투명전도성 산화물에서 인듐을 18.6~28.7% 아연과 주석으로 대체한 인듐 저감 조성(In 1 .6 Zn 0 .2 Sn 0 .2 O 3 ~ In 1 .2 Zn 0 .4 Sn 0 .4 O 3 )으로 단일상의 인듐 산화물 타겟을 제조한 후 투명 전도막을 성막하여 유기전계발광소자나 유기태양전지용 박막으로 적용하는 것이다. 위 발명에 따라 유기전계발광소자나 유기태양전지용으로 현재 사용하고 있는아이티오 타겟을 대체할수 있는 인듐 저감 대체 타겟을 개발함에 따라 인듐 고갈에 대비하는 효과 외에도 인듐 저감으로 원재료 가격 절감, 아이티오 타겟 합성에서의 폐수발생 문제를 해결할 수 있었을 뿐만 아니라 현 아이티오보다 더 치밀화한 나노 크기 분말의 고밀도화 방법 제시 및 인듐저감으로 투명전도성 타겟의 가격을 30%이상 절감할 수 있는 효과가 있다.